温场对CZ硅单晶氧含量和径向扩展电阻均匀性的影响

利用测量熔体温度、液流模拟、红外吸收和扩展电阻探针研究了温场对硅单晶的氧含量和径向扩展电阻均匀性的影响。高温场中整个熔体的温度梯度与重力方向一致,矮温场中只有上部熔体的温度梯度与重力方向一致,而下部熔体的温度梯度与重力方向相反。高温场中整个熔体有热对流,矮温场中只有上部熔体有热对流。高温场中生长的单晶的氧含量明显高于矮温场中生长的单晶。高温场中生长的硅片,径向扩展电阻分布有中央平坦部分、剧烈起伏部分和边缘波纹起伏部分,矮温场中生长的硅片无剧烈起伏部分。这一部分可能是熔体中泰勒柱与热对流区之间的切变层是高氧熔体造成的。     

A_r~+激光诱导氯气刻蚀硅

本文通过被局域刻蚀硅表面形貌的精确测量,考察了刻蚀速率对于激光功率、波长、反应室气压的依赖关系,讨论了在不同光斑尺寸和刻蚀深度下反应机理的变化,给出了衬底晶向和表面氧化层对刻蚀效果影响的一些新的结果。     

多孔硅的制备和光致发光

用阳极氧化方法制备了多孔硅样品，研究了样品在室温下受温下受紫外光（３５５ｎｍ）激发的发光特性，发现着阳极氧化电流密度和腐蚀时间的增加，发光峰呈蓝移，用ＫＯＨ溶液和水对多孔硅处理，发光光谱有明显变化，解释了有关发光现象。     

硅中杂质,缺陷对器件制作与性能的影响及控制

本文针对硅中杂质、缺陷对器件制作和性能的影响进行研究,提出控制杂质与缺陷的不良影响和提高器件的成品率和优品率的途径。     

硅钨酸在膨润土上的固载化

具有Keggin结构的杂多酸作为一种新型多功能催化剂,在均相对许多反应都表现出优异的催化活性.近年来杂多酸正逐步在多个反应过程中实现工业应用.将杂多酸固载化以实现均相反应的多相化,因具有更大的实用性更令人瞩目.本文报道的是以经过化学处理的膨润土为载体,研究硅钨酸的固载化问题.     

乙二醇焦油的硫化活化作用及硫化动力学初探

研究了不同乙二醇焦油(GTO)用量对硅铝炭黑(简称SAC)丁苯混炼胶的硫化活化、交联密度及力学性能的影响,得出了综合三种性能于最佳点的最宜GTO用量。通过对添加GTO的SAC丁苯胶料硫化动力学的研究,发现加有2.2％硫黄的该体系的硫化反应近似为一级反应。GTO可显著降低体系的硫化活化能,从而对GTO的硫化活化作用可进行定量评价。     

三甲基硅基烯醇醚的合成

本文研究了酮类化合物与原位产生的三甲基碘硅烷反应,制取了1-三甲硅氧基环己烯,2-三甲硅氧基丙烯和α-三甲硅氧基苯乙烯。此法原料易得,反应条件温和,反应时间短,产品纯度和收率高。     

用化学浸蚀形成光致发光多孔硅的研究

在ＨＦ－ＨＮＯ３水溶液中化学浸蚀单晶硅，得到了具有可见光致发光的多孔硅层（ＰＳＬ）。金相显微镜和扫描电镜（ＳＥＭ）观察表明，化学浸蚀后的表面呈绒面状，说明浸蚀具有各向异性。浸蚀过程中出现显色循环，当显色处于临界时间时，样品光致发光最强，与阳极氧化样品相比，化学浸蚀形成多孔硅的光致发光强度要弱近一个数量级，其峰值能量为１．９４－２．０４ｅＶ，半峰宽（ＦＷＨＭ）为０．３５－０．４１ｅＶ。还对比讨论了阳     

高温水蒸汽处理硅沸石（silicalite－1）的结构及吸附性质的影响

用粉末Ｘ射线衍射仪、红外吸收光谱、２９Ｓｉ魔角固体核磁共振、超微量电子真空吸附天平及化学分析研究水热处理对硅沸石（ｓｉｌｉｃａｌｉｔｅ－１）的结构及吸附性质的影响．长期的高温水热处理，使含钠量不同的硅沸石发生结构脱铝、脱羟基作用，并会改变硅沸石骨架在室温时的对称性．经长期的高温水热处理，钠含量低的硅沸石，其Ｓｉ—ＯＨ及Ｓｉ（１Ａｌ）结构缺陷会消失，晶格趋于完美，而钠含量高的硅沸石，会发生部分骨架崩塌．硅沸石的疏水亲有机物的吸附性质主要取决于微观的结构缺陷．