fcc（γ）→hcp（ε）马氏体相变

列出热弹性马氏体相变的判据。据此，将Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ基合金中的ｆｃｃ（γ）→ｈｃｐ（ε）马氏体相变归属半热弹性相变，和铁基合金中ｆｃｃγ→ｂｃｔ（ｂｃｃ）α‘，βＣｕ基合金中的热弹性马氏体相变以及含ＺｒＯ２的陶瓷中ｔ→ｍ不同，在Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ的γ→ε中，母相的强化和晶粒大小不显著影响Ｍｓ，以及马氏体相变的内耗峰并不对应母相弹性模量的急剧下降，显示其可能层错直接形核而不强烈需求软模。比较了热诱发和     

在硅表面上的单原子操纵

室温条件下Si表面的单原子操纵在基础研究和微电子应用两方面都具有十分重要的意义。本文详细介绍了利用STM在Si(111)×7、Si（100）－2×1：H表面进行单原子操纵和加工原子级人工微结构的基本原理和技术方法。综述了近年来这一领域研究工作的最新进展，并探讨单原子操纵技术和激光选健技术相结合从而实现选键化学反应或“分子手术”的可能性和前景。     

射频磁控溅射沉积SiO2膜的研究

研究以射频磁控溅射法在Ｓｉ衬底上沉积ＳｉＯ２膜．这一方法避免了高温氧化法对器件性能的损害．在结构和物理性能上对ＳｉＯ２进行了多方面的测试和分析．结果表明，ＳｉＯ２膜具有：１）微晶结构，结构致密、表面均匀、无针孔等．２）优良的物理性能，腐蚀速率（在Ｐ腐蚀液中）０．２０～０．２４ｎｍ／ｓ，击穿场强２．６×１０７～４．４×１０７Ｖ／ｃｍ．可以得出结论：射频磁控溅射法沉积的ＳｉＯ２膜与热氧化法沉积的ＳｉＯ２膜具有相同的物理性质．     

硅基SiNxOy薄膜的光致发光

为了实现硅基光电子集成,人们正在致力于探求合适的硅基发光材料.由于SiO_2薄膜是硅集成电路中重要的掩蔽膜和介质膜,因此人们正在将它作为一种有前途的发光材料进行研究,并获得了一些有价值的结果众所周知,SiN_xO_y薄膜也是硅集成电路中重要的掩蔽膜和介质膜,由于它比SiO_2薄膜具有更多的优点,并在超大规模集成电路中得到了越来越多的应用,所以研究SiN_xO_y薄膜是否可以成为一种合适的硅基发光材料也就显得十分有意义了.就我们所知,还没有文献报道SiN_xO_y薄膜光致发光(PL)特性的研究.     

微机械单晶硅陀螺仪谐振器结构参数设计

微机械单晶硅陀螺仪谐振器的结构参数设计对陀螺仪的机械性能影响很大，它决定了陀螺仪的水平和垂直方向的固有振荡频率，并影响微机械单晶硅陀螺仪谐振器的振荡幅度，因而，也直接影响微机械单晶硅陀螺仪的灵敏度。研究了微机械单晶硅陀螺仪谐振器的结构参数设计与其机械性能的关系，探讨了微机械单晶硅陀螺仪谐振器结构设计的一般原则，微机械单晶硅陀螺仪谐振器的结构参数对其动态性能有显著的影响，文中对此进行了仿真研究。     

关于硅中硼磷扩散的微观机理的讨论

本文从硅中硼磷扩散的宏观特性出发,介绍近几年来为解释这种扩散的宏观特性而提出的几种扩散机理模型,并对此作初浅的讨论。     

改性聚硅酸耐温耐水粘结剂的研究

本文报道了一种新的耐高温特种粘结剂。选用了较先进的测试方法研究了硅乙氧基的水解特征,得出了较适宜的反应条件来生产该种粘结剂。最后,介绍了该粘结剂的性能及可望使用它的领域。     

非晶态硅薄膜的生长规律及其特性

非晶态半导体研究所涉及的重要问题之一,是探索制备薄膜材料的优化生长条件。文中对利用等离子体技术制备的非晶态硅薄膜的生长参数作了分析,优化了生长条件。并就生长参数对薄膜特性的影响进行了讨论。利用透射电子显微镜TEM观测了薄膜的结构与晶粒度,作了动力学理论分析,其结果与实验相一致。     

铸态高韧性球墨铸铁的研制和应用

对铸态直接获得高韧性球铁进行了研究。试验表明,在保证石墨球化良好的情况下,硅、锰含量是影响铁素体量和延伸率δ％的主要因素,δ％值随着硅的增加和锰的降低而相应地提高,在Si(2.90～3.20)％、Mn(0.15～0.40)％范围内,δ％值可达(19～21)％。这种铸态高韧性球铁成功地用于生产厚大断面和薄壁铸件。     

肉芝软珊瑚素全合成的研究——Ⅱ.6-甲基-8-三甲硅氧基-6-烯-2-酮-1-辛酸乙酯的合成

报道肉芝软珊瑚素的重要中间体6-甲基-8-三甲硅氧基-6-烯-2-酮-1-辛酸乙酯的合成。该中间体是肉芝软珊瑚素分子中的C_9-C_(17)片段。