Eu-Ru共掺NiO-SnO2复合纳米粒子薄膜的阻变特性

通过低温水浴法制备了Eu-Ru共掺杂NiO-SnO2复合纳米粒子，透射电镜图像显示纳米粒子粒径均匀，选区电子衍射表明结晶性差，所测晶面间距与SnO2和NiO相应卡片数据一致，水热机理分析表明纳米粒子由NiO-SnO2微观p-n结组成.原子力显微镜测试薄膜表面平均粗糙度约025nm，由于薄膜太薄及样品结晶性差，XRD分析未见明显衍射峰.电学测试表明纳米粒子薄膜具有可重复双极阻变特性，阈值电压约1V，开关比约500.薄膜高阻态电学输运符合缺陷俘获载流子所致空间电荷限制导电机制，低阻态呈欧姆特性，故阻变机理应为电荷俘获及再释.     

模式识别对Lax BaTiO3纳米多晶制备工艺参数的设计

利用溶胶－凝胶法合成钡钛前驱体，经干燥、焙烧等工艺制备了一系列镧掺杂钛酸钡纳米多晶粉体，利用XRD确定物相及原始晶粒尺寸；通过模式识别中非线性映照及逆映照方法以原始晶粒尺寸作为目标值将试样分为3类，并通过分类图对工艺参进行设计，按设计结果进行实验验证，获得了预期结果的多晶粉体，说明模式识别的应用有利于克服传统“炒菜式”合成方法的盲目性。     

碳团簇的制备与分析

采用石墨电极放弧法，制备了金属掺要的富勒烯样品，提出了放弧阳极阳棒ＧＩＣ处理方法，并对样品进行了飞行时间质谱的测量，结果表明，在ＺｎＯ＾＃样品可能存在的ＺｎＣ３０，且含量较高Ｚｎ元素在放弧过程中对Ｃ２ｎ系列团簇的产生有较强的催化作用，元素的化学态对催化作用有一定的影响。     

掺Eu(DBM)3phen的PE膜的发光性能研究

制备了含稀土配合物Eu(DBM)3phen的PE荧光膜，研究了膜的紫外吸收光谱和荧光光谱，并与配合物在丙酮溶剂中的光谱作了对比。结果发现Eu(DBM)3phen在邢膜中的紫外吸收光谱发生了红移，荧光发射谱变宽，常温下配合物及其PE膜在紫外光下发出强的红光，主要是Eu^3 的^5D0→^7F22的跃迁。     

螯合法合成掺杂尖晶石型锂锰氧化物及其电化学性能研究

用螯舍法合成出掺杂镍和氯的尖晶石锂锰氧化物LixMn2-xNixO4-yCly。用能谱和原子吸收光谱分析测试了合成的样品的组成。分析了材料的电化学性能、FT—IR和XRD特性。结果表明：与没有掺杂的锂锰氧化物相比，掺杂量适当的样品其初始放电容量大，循环性能好，且在4．6～4．8V的电压平台较长。这归结于镍离子替换了部分处于16d的锰离子，使结构趋于更加稳定。     

纳米ZnO制备及共沉淀掺杂的溶液理论模拟

应用多元平衡理论对氨法生产纳米ZnO的最佳制备工艺条件及硅、钛、锆、铁、铜、银等离子的氧化物与ZnO复龠 人沉淀的可能性进行了理论模拟和分析，研究结果表明，当锌离子的总浓度为0.1mol/L时，使氨溶ZnO全部转化为[Zn(NH3)4]^2 络离子的最佳条件为[NH3]=2MOL/l,且CO3^2-的浓度与Zn^2 一致，同时在氨法工艺中仅ZrO2可实现与ZnO的复合共沉淀，最佳共沉淀的pH范围在10－12之间。     

Improving the Characteristic of the LaFeO_3 Alcohol Gas Sensor by Using Doping and Surface-Decorating Technique

采用掺杂和表面修饰技术制备ＬａＦｅＯ３乙醇气体传感器，明显地改善了传感器的特性．元件的灵敏度β≥１０（当乙醇气体浓度为２００×１０－６时），乙醇气体和汽油的分离度α为１４．３，在整个相对湿度变化范围内，元件阻值的相对变化在４％～６％之间，元件不通电存放７ｄ，其初期恢复时间为７０ｓ，不通电贮存２７０ｄ，其初期稳定时间小于３ｄ，在使用环境中连续工作９０ｄ其阻值相对变化率小于５％．     

SNO2掺Sb薄膜导电机理

透明导电膜是一种重要的光电材料,应用广泛。对SnO2薄膜电学性能的研究表明.适量的Sb掺杂能显著提高薄膜的导电性能,但是过量的掺杂会导致导电性能的下降。     

GaAlN/GaN量子阱中电子的激发态极化

考虑了纤锌矿结构材料的各向异性造成的内建电场的作用，计算了GaN／GaAlN量子阱内电子的激发态极化．结果表明．电子偶极矩改变随Al浓度的增加非线性减小．一般情况下激发态极化产生的电场强度远小于内建电场．可忽略不记，但当n取较大值(10^19／cm^3以上)时，即材料被重掺杂时，激发态极化产生的电场强度对内建电场的影响不能忽略．