辐射对半导体霍尔器件输入电阻的影响

用60Co、137Cs、90Sr-90Y放射源低剂量率对恒流激励、无磁场作用时的InSb、GaAs、Si、Ge等半导体霍尔器件进行短时辐照,测量了辐照过程中各器件输入电阻的变化。结果表明:因为位移效应所引起的辐射缺陷,三种辐照均导致各器件输入电阻增加,并与辐照时间成正比。比较相同射线、相同时间辐照所引起的输入电阻变化量,可以判定Ge器件的抗辐射能力最强,Si器件次之,InSb、GaAs器件最差。     

双光注入分布反馈半导体激光器的非线性动力学态实验研究简

实验研究了分布反馈半导体激光器（DFB-SLs）在双光注入下的非线性动力学行为. 研究结果表明：与单光注入相比,双光注入将使DFB-SLs呈现更丰富、更复杂的非线性动力学行为. 固定两注入光的波长,获得了双光注入强度取不同值时DFB-SLs输出的光谱和功率谱信息. 基于这些信息,对处于A,B和C三种不同情形下双光注入DFB-SLs所呈现的一些典型的动力学状态进行了判定. 最后,给出了双光注入DFB-SLs输出的动力学状态在由两注入光的注入强度构成的参数空间的分布图,并确定了A,B和C情形所在的区域范围.     

基于超表面的宽带太赫兹热释电探测器设计

为了解决传统太赫兹（THz）探测器吸收效率低,频率范围小的问题,提出将双层超表面吸收阵列结构与钽酸锂热释电探测器相贴合,构成宽带太赫兹超表面热释电探测器。采用MATLAB和CST联合仿真的优化方法对超表面结构进行按需优化;使用ANSYS对热释电探测器进行仿真分析,得到敏感层、绝热层等特征参数对太赫兹热释电探测器的温度变化率以及响应电流的影响。结果表明,采用超表面阵列结构提高了全THz波段的探测性能,凳型热释电探测器在给定条件下的平均热释电电流输出为31.52 pA。使用超表面作为吸收结构可以使热释电探测器具有连续且高效的吸波特性,为宽带太赫兹探测器的设计提供参考。     

半导体drift-diffusion模型的局部间断Galerkin方法及数值模拟

考虑半导体drift-diffusion(DD)模型一维和二维问题的局部间断Galerkin(LDG)方法,并进行数值模拟。模拟一维问题时,在浓度变化剧烈的部分采用细网格,在浓度变化平缓的地方采用粗网格,并与均匀网格的数值模拟进行比较,实现了在非均匀剖分下节省空间剖分单元数并加快了运行速度的目的。模拟二维问题时,采用了Dirichlet和Neumann相结合的边界。数值结果验证了LDG方法的稳定性。     

半导体制冷器件原理及其应用

在功率较小的温度控制系统中,可以广泛运用半导体制冷,因为它在制冷时,没有污染、可靠性非常强。例如便携式汽车冷暖箱、冷热饮水机、微机芯片的制冷等。本文详细叙述了半导体制冷片(器件)的工作原理、工作过程及其特点,并研究开发了一套以单片机STC12C5A60S2控制为核心,数字式温度传感器,半导体制冷片以及固态继电器配合使用的微机芯片温度检测制冷控制系统。该系统具有很强的实用性和可移植性。     

Characterization and chemical surface texturization of bulk ZnTe crystals grown by temperature gradient solution growth

Using tellurium as a solvent, we grew ZnTe ingots of 30 mm in diameter and 70 mm in length by a temperature gradient solution growth method. Hall tests conducted at 300 K indicated that the as-grown ZnTe exhibits p-type conductivity, with a carrier concentration of approximately 1014 cm-3, a mobility of approximately 300 cm2·V-1·s-1, and a resistivity of approximately 102 Ω·cm. A simple and effective method was proposed for chemical surface texturization of ZnTe using an HF:H₂O₂:H₂O etchant. Textures with the sizes of approximately 1 μm were produced on {100}, {110}, and {111}_Zn surfaces after etching. The etchant is also very promising in crystal characterization because of its strong anisotropic character and Te-phase selectivity.     

用于高速PLL的CMOS电荷泵电路

提出了一种应用于高速锁相环中的新型CMOS电荷泵电路．电荷泵核心部分为一带有参考电压电路的双管开关型电路,并对运放构成的反馈回路进行了改进,降低了电荷泵输出电压的抖动．电路采用chartered0．35μm 3．3 V CMOS工艺实现,模拟结果表明电流源输出电压在1～3V区间变化,其输出电流基本无变化,上下电流的失配率小于0．6％,具有很高的匹配性．在3．3V电源电压下,电荷泵输出电压的范围为0～3．1V,具有宽摆幅和低抖动（约0．2mV）等优点,能很好地满足高速锁相环的性能要求．     

一种基于模拟退火的LUT结构FPGA工艺映射算法

SoPC中提供给FPGA IP核的有限面积使面积优化成为工艺映射的关键目标之一．减少实现电路功能的可编程逻辑单元数可以有效地减小所需芯片面积,还能降低对布线资源的需求．利用模拟退火算法从全局范围对LUT结构FPGA的工艺映射过程进行考虑,针对减少所用LUT数目的目标得出映射结果,实验结果表明用该算法可以快速地得出非常优化的结果．     

带有片上天线的非接触式IC卡设计

介绍了一种基于ISO／IEC14443协议的带有片上天线的近耦合非接触式IC卡的芯片设计,它将天线集成到芯片中并用状态机代替MCU作为芯片的控制器,采用0．35pm工艺模型,用HSPICE对天线、模拟电路进行了仿真,采用Verilog语言和Synopsys综合工具对数字电路进行了VLSI设计,芯片仿真结果表明功能及各项性能达到了原定指标。     

Ge_2Sb_2Te_5薄膜及其存储特性研究

采用磁控溅射制备了Ge2Sb2Te5相变薄膜.通过XRD以及四探针法研究薄膜在退火过程中的微结构演变以及电导率变化规律.通过电流-电压特性研究了存储器的存储转变机制.