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11.
该文采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备了PZT和PZT/PTO两种结构的铁电薄膜,通过PTO种子层调控PZT薄膜的微观结构和电学性能.研究发现,加入PTO种子层之后,薄膜的SEM图像呈现出更加致密的形态,晶粒分布较均匀.PZT/PTO铁电薄膜在550℃下退火后测得的剩余极化强度比PZT薄膜650℃下退火获得的剩余极化强度要大,说明种子层的加入降低了薄膜的结晶温度.此外,加入PTO种子层后,PZT铁电薄膜的介电常数升高,介电损耗降低,抗疲劳性能也变好,薄膜的电学性能得到了较好的改善. 相似文献
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该文采用原子层沉积在Si/SiO2/TiN基底上制备了20 nm Hf0.5Zr0.5O2 (HZO)薄膜,并分别以TiN和Cu为盖层构筑了HZO铁电电容器掠入射X射线衍射测试表明,TiN和Cu作为盖层的HZO薄膜都具有明显的正交相系统比较研究了Cu和TiN盖层对HZO薄膜的铁电、漏电和可靠性的影响极化 电压测试表明,TiN和Cu为盖层的HZO薄膜在±4 V扫描电压下,剩余极化强度 (2Pr) 值分别为40.4 μC/cm2和21.2 μC/cm2相应的矫顽电压分别为+1.7 V和+2.0 V极化疲劳与保持特性测试表明,在经过2.3×108循环次数后,以TiN和Cu为盖层的HZO薄膜的2Pr值分别衰减了39.7%和45.6%经过1.3×104 s保持测试,TiN和Cu盖层的HZO薄膜的2Pr值从初始34.4 μC/cm2和17.1 μC/cm2分别下降到了22.6 μC/cm2和1.6 μC/cm2上述结果说明,金属盖层是影响HZO铁电性的一个非常重要的因素盖层的功函数、热膨胀系数、界面缺陷和界面介电层都是导致HZO薄膜铁电性差异的可能机制该文工作对于进一步理解HZO铁电性起源和影响机制提供了有意义的借鉴,将有助于发展未来高性能的HZO铁电存储器和负电容晶体管 相似文献
15.
刘贝贝 《科技情报开发与经济》2015,(3):93-95
分析了公共图书馆开展少儿阅读活动的现状,阐述了邗江区图书馆"新启蒙"少儿阅读活动的具体实践,指出了未来邗江区图书馆开展少儿阅读推广活动的方向。 相似文献
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针对多层织物织造过程中,各层纬纱打纬力需保持一致以及需要减少钢筘与纱线之间摩擦的要求,提出八连杆平行打纬机构,并根据工艺要求对打纬机构进行优化。以打纬机构的主轴转动140°时,筘座在后心位置处的近似静止位移Δs最小为优化目标,通过Matlab软件分析确定设计变量,优化钢筘在后死心位置的近似停留时间。运动学仿真结果表明,优化后的打纬机构不仅保证了钢筘的打纬动程和其在后死心处的静止时间,而且增大了钢筘的惯性打纬力,有利于厚重织物的打纬。 相似文献
18.
为充分利用气候资源,提高新晃侗族自治县(以下简称新晃县)粮食总产量,结合该县再生稻生长的实际生产情况,通过对新晃县国家一般站1981—2018年38年气候资料和具有代表性的5个区域站2018年气象资料进行分析、对比和研究。结果表明:①≥10℃、10~22℃的活动积温随站点海拔的升高而线性减少(已通过置信度为0.01的显著性检验);②新晃县低海拔地区(400 m以下),热量资源相对较多,是可以满足再生稻种植条件;③适宜该县再生稻生长的主要生育期时间可以安排为:4月上旬播种、7月上旬前季稻抽穗扬花、8月中下旬前季稻收割再生季发苗、9月上旬再生稻安全齐穗。 相似文献
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现代企业制度下,内部控制是为了保证企业经营活动有序、规范地进行,确保资产安全,查漏纠误。维护会计资料真实、合法的方法和措施。加强企业内部控制,对保证企业决策的正确、完整,化解企业风险,促进企业健康发展和维护正常的社会经济秩序,具有极为重要的意义。在当前市场竞争日益激烈、复杂的新形势下,对企业内部控制提出了一些新要求,本文结合实践,对企业内部控制作如下探讨。 相似文献