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2.
赵晓锋 《山西科技》2011,26(1):70-71
主要介绍一台柳工侧卸装载机发动机大修镶新丝套后,出现了窜油故障,但检测有关部件的密封配合,以及用量缸表测量气缸体圆度、圆柱度偏差,均符合技术要求。后经拆检分析发现,窜烧故障是由气缸体承孔加工精度低与外径配合不良引起。  相似文献   
3.
论技术转移的环境条件   总被引:2,自引:0,他引:2  
技术转移是一个国家或地区加速技术进步增强经济实力的重要手段,但是,技术转移受诸多环境因素的制约。  相似文献   
4.
采用射频等离子体增强化学气相沉积系统(RF-PECVD)以高纯SiH4为气源在P型〈100〉晶向单晶硅片上、衬底温度600℃、射频(13.56MHz)电源功率50W时沉积非晶硅薄膜,利用高温真空退火制作纳米晶粒多晶硅薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、Raman光谱、AFM测量和分析薄膜微结构及表面形貌,实验结果表明,退火温度为800℃时非晶硅薄膜晶化,形成择优取向为〈111〉晶向的多晶硅薄膜;退火温度增加,Raman谱TO模和TA模强度逐渐减弱;AFM给出800℃退火后薄膜晶粒明显细化,形成由20~40nm大小晶粒组成的多晶硅薄膜,薄膜晶粒起伏程度明显减弱。  相似文献   
5.
纳米电子学研究与展望   总被引:1,自引:1,他引:0  
本文在阐述纳米科学技术概念、意义和内涵的基础上,着重展望了21世纪纳米电子学研究与发展的几个主要领域和发展前景.  相似文献   
6.
在EPW中采用(100)硅制作微悬臂梁凸角补偿及工艺研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
(100)硅片在EPW腐蚀液中进行各向异性腐蚀时,因在(111)侧面相交的凸角处出现一些腐蚀速率较高的晶面,使微悬臂梁凸角掩膜下的硅受到侧向腐蚀,出现严重的凸角削角现象.研究采用EPW腐蚀(100)硅片制作微悬臂梁的凸角补偿方法及制作工艺,给出采用圆形掩膜对(100)硅凸角进行补偿.实验结果表明,该方法能够较好的完成对EPW腐蚀液中悬臂梁凸角削角的补偿。  相似文献   
7.
本文利用自适应神经-模糊推理系统ANFIS良好的系统辨识能力,对具有较大非线性特性的小车摆系统进行辨识,得到了相应的系统模型.仿真实验进一步验证了ANFIS的系统辨识的能力.  相似文献   
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