在硅基材料上用Sol-gel法制备涂层测定氧扩散系数研究

提出一种测定氧扩散系数新方法。用Sol-gel法制备了Y2O3/SiO2均匀致密的薄膜，能成功解决其它方法无法得到的冶炼所得到的熔体，光学椭偏测定氧化层的膜厚。探讨了氧在薄膜中的扩散，在Wagner理论基础上，用数学方法表达在掺杂SiO2薄膜氧扩散系数与氧化层膜厚的关系。     

ACEX 1K系列CPLD的配置

Altera公司近期推出新一代CPLD器件-ACEX 1K，这种芯片具有易失性，需要配置器件来保存CPLD器件的配置数据。对此，介绍了ACEX 1K系列器件的配置方法，对各种配置方法进行了分析对比，并着重论述了应用配置器件配置ACEX 1K系列器件的优点。     

溅射偏压对Cu膜屈服强度的影响

用高真空磁控溅射在Si片上沉积纯Cu膜,通过纳米压入实验得到薄膜硬度和弹性模量,模型和数值计算相结合得到薄膜屈服强度.结果表明溅射偏压对薄膜屈服强度影响较大,可以使薄膜在比较厚的情况下得到和数百纳米厚的薄膜相似的高屈服强度.其主要原因是溅射偏压改变了薄膜的晶粒取向和晶粒尺寸.     

Ni膜与Ti基体之间的界面结合能研究

报道了用断裂力学的三点弯曲实验测试Ni膜与Ti基体之间的膜基界面结合能G,并与剥离实验结果以及Miedema模型计算结果进行了对比.结果表明:断裂力学方法测得的界面结合能G随基体的表面粗糙度R a 值的增大而增大,而与薄膜厚度无关;断裂力学方法测得的本征界面结合能与Miedema模型计算结果一致,而与剥离实验结果有差距,但仍具有可比性.文中还讨论了用断裂力学三点弯曲实验方法测量膜基界面结合能的适用范围.     

改进的多孔硅生长模型和计算机模拟

基于多孔硅生长过程中阳极化电流,氢氟酸(HF)含量与多孔硅微结构的关系,提出一个改进的多孔硅生长模型,并进行了计算机模拟.该模型吸收了限制扩散模型的优点,同时考虑了F-与空穴的反应过程因素,利用该模型可以模拟出多孔硅形成过程中大电流条件下的电化学抛光现象.二维(100×100)点阵模拟结果与实验数据具有较好的匹配性,模拟得出的多孔硅的多孔度同实验数据相比较,误差不超过10%.     

导电高分子在光电材料领域中的研究进展

综述了近年来国内外导电高分子材料在光电材料领域中研究进展情况．论述了聚乙炔、聚苯胺、聚噻吩、聚对苯乙烯撑(PPV)及其衍生物等导电高分子材料作为非线性光学材料所具有的优良性能，介绍了导电高分子电致发光材料和发光材料在实际领域中的应用．     

非致冷红外焦平面阵列驱动电路优化设计

提出了基于复杂可编程逻辑器件 (CPLD)及低压差 (LDO)线性稳压器实现 3 2 0× 2 40长波红外非致冷焦平面阵列 (UFPA)驱动电路优化设计的方法 .选用Altera公司的MAX70 0 0AE系列CPLD作为硬件设计平台 ,运用VHDL语言对驱动时序进行硬件描述 ;选用TI公司的LDO线性稳压器及 14bit视频A/D转换器THS14 0 8实现UFPA偏置电路及视频输出信号的模数转换电路的设计 .测量与仿真结果证明是可行的 .     

以LaNiO3作为底电极的Pb(Zr0.3,Ti0.7)O3铁电薄膜的性能研究

采用溶胶－凝胶法在Si(100）衬底上制备了LaNiO3薄膜，采用相同方法在LaNiO3/Si(100）上制备了Pb（Zr0.3,Ti0.7）薄膜，对LaNiO3薄膜和Pb(Zr0.3,Ti0.7）O3薄膜的结晶性，表面形貌和电性能进行了研究。     

氧化铟锡薄膜在光学太阳反射镜上的应用

研究了光学太阳反射镜抗静电放电用氧化铟锡薄膜的设计原则.理论分析和实验结果表明,在将氧化铟锡(ITO)薄膜应用于光学太阳反射镜(OSR)表面防静电放电时,ITO薄膜的表面方阻R□不能小于5 kΩ@□-1,否则会导致OSR的太阳光谱吸收率增加.建议取R□=5～106kΩ@□-1,薄膜厚度d=(150～200)×10-10 m.同时必须保证ITO薄膜接地效果良好,否则会使OSR表面充放电现象更加严重.     

真空紫外薄膜光学常数的多约束非线性方程组计算

本文推导出目标函数的导数公式，改进了利用“多约束非线性方程组”计算真空紫外光学常数的方法，我们自编了ＶＵＶ－ＲＯＣＰ微机软件，可由真空紫外反射率求出真空紫外薄膜光学常数和入射光的偏振度。运用该软件对不同工艺的Ａｕ、Ｐｔ、Ａｌ样品的反射率进行解析，得到了它们的真空紫外薄膜光学常数，并与国外报道的结果进行了比较。