数据科学范式下的钙钛矿结构铁电新材料研究

 材料基因组计划倡导预测式新材料研发理念，推进高通量数据生产和利用技术，关注材料全生命周期价值。因此，材料基因组计划的执行需要在材料科学系统工程的框架下，集成统一计算、实验和理论等研究方法，以数据科学新范式为牵引、协同运用实验观测、理论建模和计算仿真研究范式，最终建立相关材料体系的性能与材料基因（原子系统的组成与结构）、工艺参数与使役条件之间的量化关系和数据库，实现新材料的按需设计和应用。本文在简单探讨科学研究范式、材料基因组计划和材料科学系统工程基本概念和方法的基础上，以钙钛矿结构氧化物铁电压电材料研究为例，探讨了数据科学范式下的新材料研究实践。结果表明，数据挖掘驱动的新材料设计确实可以降低探索时间和实验任务，加快新材料的发现和应用进程。     

半导体二维电子气研究新进展——长波红外辐射的探测

一种新型的红外探测器——超晶格量子阱红外探测器,正在有力地敲着半导体世界的大门。     

Hg_(1-x)Cd_xTe三元半导体的禁带宽度

三元系Hg_(1-x)Cd_xTe(0≤x≤1)随着x的增大由半金属转变成半导体,半导体的禁带宽度E_g既是发展红外探测器的基本参数,又是能带结构研究中必须由实验来确定的两个最基本的参数之一(另一个是电子有效质量m~*或动量矩阵元P),因而它与组分x和温度T的关系是一个特别重要的问题,有过不少的研究报道。     

以LaNiO3作为底电极的Pb(Zr0.3,Ti0.7)O3铁电薄膜的性能研究

采用溶胶－凝胶法在Si(100）衬底上制备了LaNiO3薄膜，采用相同方法在LaNiO3/Si(100）上制备了Pb（Zr0.3,Ti0.7）薄膜，对LaNiO3薄膜和Pb(Zr0.3,Ti0.7）O3薄膜的结晶性，表面形貌和电性能进行了研究。     

双层结构8—羟基喹啉铝电致发光的有效载流子形成过程

报道了分子掺杂聚合物作为空穴传输层、８－羟基喹啉铝作为发光层的有机分子／聚合物双层结构的电致发光。着重指出在稳定发光之前有一个有效载流子形成过程。     

In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱二维电子气的零场自旋分裂

用分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)方法在半绝缘InP衬底上生长In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱样品。在In0.52Al0.48As势垒层中进行元素Si的δ掺杂,元素Si电离的电子转移到量子阱中,在量子阱中形成二维电子气(two-dimensional electron gas,2DEG)。对该样品在低温下进行了磁输运测试,得到了2DEG纵向电阻(磁电阻)和横向电阻(Hall电阻)在不同温度下随磁场的变化曲线。观察到磁电阻的Shubnikov-de Haas(SdH)振荡和由零场自旋分裂引起的SdH振荡在低场下的拍频效应。也观察到Hall电阻出现量子Hall效应所特有的Hall平台。对Hall电阻在低场部分的直线拟合获得2DEG的Hall浓度,并根据Hall浓度和零场电导获得2DEG的Hall迁移率。对磁电阻曲线的快速傅立叶变换(fast Fourier trans-form,FFT)分析获得的2DEG浓度与Hall浓度一致。对拍频节点进行分析,获得了2DEG的自旋轨道耦合常数,并由此得到了零场自旋分裂能、自旋弛豫时间、自旋进动长度等实现自旋器件的相关参数。     

上海如何才能培养出自己的乔布斯

去年,当苹果公司创始人乔布斯病逝时,很多国内媒体发出这样的惋惜：为什么中国出不来乔布斯？显然,中国不缺乏人才,却少了真正让人才创造价值的机制和体制。改革开放30多年,中国经济的发展让世界瞩目,但这种发展模式是建立在人口红利、资源消耗和市场换技术的代价上。未来的中国要谋求更好的发展,必须跳出之前30多年的固定模式,     

人体手臂部几个穴位与非穴位区红外辐射光谱特征

用红外光谱检测装置记录到7名成人志愿者内关,劳宫和合穴等穴位区与其两侧旁开对照点红外光谱共63条,从中发现：人体红外辐射强度的个体差异以及穴位与非穴位区的红外辐射强度的差别都较大,但频谱特性的差异却不大,这表明人体红外辐射具有相同的生物物理学基础;在4－14um段,人体辐射与黑体辐射差别不大,而在4和14um波段人体辐射与黑体辐射差别较大,这表明人体表面除了主要的热致红外辐射还存在其他原因的红外辐射。     

基于锁相技术的C-V特性测试仪

基于锁相技术,提出了一种可行的差分电容测试方法。介绍了通过硬件和软件设计,利用数字锁相放大器model 7225,8051单片机单元等实现电容电压特性（C-V）仪器的自动化测试。实验结果表明,该仪器具有较高的测试性能,灵敏度和信噪比都达到进口成型仪器的水平,并可进行绝对测量和相对测量。     

氮气氛围下热处理的Na0.5Bi0.5TiO3薄膜的低温介电性能研究

采用溶胶凝胶法在LiNaO3(LNO)衬底上制备Na0.5Bi0.5TiO3(NBT)薄膜.部分NBT薄膜在氮气氛围下进行了热处理,记为NBT-N2.在100～400 K的温度范围内,测量了NBT-N2的介电性能.NBT-N2薄膜的介电频谱中出现了损耗峰,存在弛豫现象.利用Arrhenius公式拟合弛豫所对应的激活能,发现在NBT-N2薄膜中存在2个热激活过程:一个对应氧空位电离引入的极化子的跳跃跃迁;另一个对应导电电子与偏离氧八面体中心的Ti离子之间的耦合.此外,采用复阻抗谱分析了NBT-N2薄膜中的介电弛豫过程,在测试温度范围内,随着温度的升高,该弛豫过程逐渐趋向于理想的德拜模型.