电路分析双语课程教学方法的探索与改革

如何提高双语教学质量一直是我国高校普遍关注的问题.通过对电路分析双语课程教学实践的反思,指出在教学指导思想、教学方法和考核评价体系等方面的一些认识误区.提出采用基于实例分析的研究式教学方法,构建和完善课后英语学习环境,增加课后英语学习环节,采取重视过程评价的全面考核体制等措施,旨在激发学生的学习兴趣和能动性.经过教学实践,学生的学习积极性和成绩都在稳步提高.     

基于YOLO与图像处理的塔吊裂缝研究

在塔式起重机发生事故越来越频繁的背景下,根据实际需求提出采用YOLOv3捕捉裂缝并提取裂缝区域,使用Otsu算法等图像处理技术对捕捉的裂缝进行转换处理获取贴近裂缝的二值像素图像,最终计算获取裂缝缺陷的具体参考参数,为工程技术人员提供危险评估参考和解决方案根据.实验表明YOLOv3识别精度为80.53％,图像处理获取的数据参数误差在5％-18％区间,基本满足需求.最后还提出存在的一些问题并指出下一步改进的工作方向,更好得帮助塔式起重机安全管理监督.     

一种安全快速存储机顶盒系统信息的方法

本文介绍了一种安全快速存储机顶盒系统信息的方法。通过在闪存(Flash Memory)中建立有效的块备份机制,保证数据存储的安全;通过控制数据在Flash块中不同位置上轮流存储,减少块擦除的频率,从而提高数据存储的速度,并延长Flash的使用寿命。     

Multisim在电子实训实践教学中的应用

按照"以赛带训,以训促学"电子技术实践教学模式,根据传统的电子实训实践教学现状,提出虚拟技术教学的概念。通过实例利用Multisim电子仿真软件对电子实训实践教学中的应用进行分析,说明虚拟技术在当今电子实训实践教学过程中的优越性。     

简析STM32单片机原理及硬件电路设计

STM32是一款性能优良的嵌入式芯片,在目前的嵌入式系统设计中占有主流地位。通过对STM32的各类硬件接口进行电路设计,使得对该类嵌入式芯片的理解更加深入。因此,对STM32的硬件电路设计进行分析和研究具有重要的意义。     

初道屏蔽效应对低能电子碰撞H(e,2e)反应的影响

考虑初道屏蔽效应,研究了低能电子碰撞H(e,2e)的反应过程.计算了共面非对称几何条件下能量为27.2 eV的入射电子碰撞H(e,2e)反应的三重微分截面(TDCS),将其计算结果与3C、DS3C和CDS3C模型所得结果及实验数据进行了比较,结果表明CDS3C模型能对上述碰撞过程成功描述,改善了与实验结果的符合程度.     

海森堡自旋链中的宏观量子相干

迄今为止,磁性宏观量子效应的研究主要集中于单畴磁体[1],即零维空间.扩展到一维空间(如自旋链)和二维空间(如磁性薄膜)不仅有实际的应用价值,而且具有重要的理论意义,因为一直缺乏满足物理要求的瞬子解.     

基于TMS320VC5409型DSP+XC3S400型FPGA的指纹识别及其采集系统

介绍了指纹识别技术的基本原理,提出了以TMS320VC5409型DSP和XC3S400型FPGA相结合的指纹识别和采集接口的设计实现方案,并采用滑动式指纹传感器完成了高质量的指纹采集工作,重点阐述了指纹识别算法的改进设计思路及硬件结构.该系统结构简单,可靠性强,操作方便,可广泛应用于需要指纹识别的各种场合,具有良好的性能价格比.     

锰氧化物La0.67Ca0.33Mn0.9A0.1O3的正电子湮没研究

采用固相反应法制备了La0.67Ca0.33Mn0.9A0.1O3(其中A为Cr、Co、Fe、Al、Cu)系列Mn位替代的氧化物样品;利用正电子湮没对该系列样品的结构缺陷进行了分析,结果表明:τ1的变化范围不大,表明样品主要受大尺寸点缺陷的影响,τ2的变化比较明显,说明样品内存在一定数量的空洞及微空洞等缺陷.类比合金中正电子长寿命与缺陷簇之间的关系,估算了元素替代后样品的缺陷半径大小,可能大的空位团簇、位错和晶界在样品中起着重要作用.按Cr、Co、Fe、Al、Cu的掺杂顺序,平均寿命τavg逐渐增加,而电子密度ne则逐渐减小.说明元素掺杂引起锰离子局域环境的改变,样品中的铁磁与反铁磁作用的相互竞争及样品内部电子局域化所形成的极化行为等因素的影响,导致了正电子寿命各参数的变化.     

CdS,ZnO1-xSx电子结构和光学特性的第一性原理研究

 采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似(GGA)的PBE平面波超软赝势方法,研究了闪锌矿型CdS和ZnO_1-xS_x(x=0,0.25,0.5,0.75,1)的电子结构和光学特性.计算并分析了闪锌矿型CdS和ZnO_1-xS_x的复介电函数、光电导率、吸收系数和损失函数.研究结果表明,闪锌矿型CdS和ZnO_1-xS_x(x=0,0.25,0.5,0.75,1)均为直接带隙半导体材料.ZnO中一定浓度的硫掺杂,导致带隙宽度变窄,而晶格常数随掺杂基本呈线性变化.就目前制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池普遍使用CdS缓冲层而言,ZnO_1-xS_x具有与CdS类似的电子结构,但光学特性上高频特性有明显改善.这些特性对于改善电池吸收层表面性能和光吸收特性、制备高效CIGS薄膜太阳能电池非常有利.