初道库仑场对低能电子碰撞H电离反应的影响

基于CDS3C模型，研究了低能电子碰撞H（e，2e）反应过程．计算了能量为54．4eV的人射电子碰撞H（e，2e）反应的TDCS，将其计算结果与3C、DS3C模型所得结果与实验结果进行了比较．表明在碰撞过程中初通道存在一不可忽略的库仑场．     

初道屏蔽效应对氦原子单电离三重微分截面的影响

考虑初道屏蔽效应，计算了不对称几何条件下电子碰撞He（e，2e）反应的三重微分截面，并与BBK模型计算结果、DS3C模型计算结果、已有的CCC理论结果和实验数据做了比较.表明，考虑初道的屏蔽效应成功地修正了BBK模型和DS3C模型，改善了与实验结果的符合程度.     

He原子的低能(e,2e)过程中的极化和关联效应

用包含后碰撞作用和极化效应的扭曲波玻恩近似理论计算了共面不对称几何条件下入射电子能量为50eV时He原子的低能(e,2e)反应的三重微分截面,并同实验测量结果进行了比较。指出后碰撞作用和极化效应在共面不对称几何条件下He原子的低能(e,2e)过程中均起着重要的作用。     

电子碰撞Li＋离子（e,2e）反应微分截面中的干涉效应

利用修正BBK理论,计算了能量为145．6eV的入射电子碰撞Li (1s),(e,2e)反应三重微分截面（TDCS）,并讨论了交换,关联与干涉效应及入射道库仑场对TDCS的重要影响。     

氢原子(e,2e)反应中基态三重微分散射截面的计算

利用(e,2e)反应中跃迁矩阵的后滞形式,忽略了质心运动和相对运动的情况下,计算基态氢原子单离化的三重微分散射截面,与相关的实验结果符合的较好.笔者的近似计算能较好的反映基态的散射过程,计算量较小,该方法可以进一步推广到激发态散射截面的计算中.     

He(e,3e)末态波函数动量相关效应

考虑末态波函数动量相关效应，计算了入射能量为5599eV时，敲出电子等能分享几何安排下的He（e，3e）反应的五重微分截面，并比较采用各种末态波函数动量相关下的计算结果．表明理论计算结果在误差范围内与实验数据基本吻合，末态波函数动量相关效应对He（e，3e）反应的五重微分截面具有一定影响．     

各种碰撞过程对氦原子单电离三重微分截面的影响

考虑各种碰撞过程对氦原子单电离三重微分截面的影响,计算了共面不对称和共面等能几何条件下,电子碰撞He(e,2e)反应的三重微分截面,同时给出了直接碰撞过程、交换碰撞过程以及干涉效应对三重微分截面的贡献.结果表明,三种碰撞过程对He(e,2e)反应三重微分截面影响是不可忽视的.     

共面不对称几何条件下Xe 4d(e,2e)反应的理论研究

采用标准的扭曲波玻恩近似理论和修正后的扭曲波玻恩近似理论,计算了共面不对称几何条件下Xe 4d轨道(e,2e)反应的三重微分截面.散射电子能量为1 000 eV,敲出电子能量为100 eV,散射电子角度分别固定在2°和8°.理论计算与Avaldi等人的实验结果和理论计算进行了比较,发现两出射电子之间的后碰撞相互作用很弱,考虑极化效应会造成理论计算与实验结果产生很大差别,同时,散射电子和束缚电子之间的交换作用在反应过程中起着重要作用.     

(e,2e)反应研究的意义及进展

本文从动力学和结构学两方面简单介绍了(e，2e)反应研究的意义及进展，并对(e，2e)谱仪的发展作了简单的介绍。     

氦原子(e,3e)碰撞的理论推导

在这篇文章中，完成了高入射能、低敲出能情形下，电子入射双电离He原子五重微分截面(FD－CS)的理论推导，计算中使用了三个电子在He^ 2离子场中的四体末态波函数。所得理论曲线，除个别点之外，其形状上与最新的实验结果是吻合的。     

S4+离子3s2-3s3p和S5+离子3s-3p电子碰撞激发截面

利用全相对论扭曲波电子碰撞激发计算程序REIE06,系统计算了阈值附近不同入射电子能量下S~(4+)离子基态3s~(21)S_0到激发态3s3p ~3P_(0,1,2)~1P_1和S~(5+)离子基态3s ~2S_(1/2)到激发态3p ~2P_(1/2)~2P_(2/3)精细结构能级的碰撞截面,在两种关联模型下,分析了组态相互作用对碰撞截面的影响.目前的计算结果与Wallbank实验值~([14])相比,得到很好的一致性.     

丙二烯分子结构的量子化学从头计算

采用 PSHONDO- SCF全电子从头计算程序 ,对丙二烯分子的两种不同对称性构型的电子结构进行计算 .结果表明丙二烯分子 ,采用 D2 d对称结构比 D2 h结称结构更稳定 .丙二烯分子(D2 d)的电子结构 :(1)总能量为 - 5.0 4 2 94 6 2 0× 10 -16J,前线轨道 HOMO为 E(2 e) =- 1.6 4 0192 56× 10 -18J,LU MO为 E(3e) =7.6 6 110 52 4× 10 -19J;(2 )键级直接相键连的 C- H为 0 .3814,C=C为 0 .6 7711;(3)电荷分布—— C(1) 为 - 0 .1758,C(2 ) 和 C(3 ) 均为 - 0 .2 2 4 8,H为 0 .156 4     

（e,2e）反应中初通道相互作用强度的理论研究

在前期工作的基础上，用修正后的BBK理论研究了共面等能几何条件下，电子入射离化氢原子三重微分截面的结构，讨论了低能（e,2e)反应中的Rutherford散射效应，揭示了(e,2e)反应中初通道相互作用强度是怎样随入射能的增加而改变的。     

垂直于→q平面几何条件下102ev电子碰撞He原子电离的动力学关联效应

考虑出射道三粒子之间的动力学屏蔽（DS）效应（简称DS3C模型）,用DS3C理论模型计算和分析了垂直于动量转移平面（即垂直于平面）几何条件下,入射能量为102eV电子碰撞He原子单电离的完全微分截面（FDCS）,将计算结果与绝对实验数据及3C、DWB1-CM、DWB2-CM等模型的理论数据进行了比较。结果表明：DS3C能够较好地定性描述垂直于平面的碰撞结果。说明入射电子能量较低时,对于非共面几何条件下的碰撞,出射道不仅要考虑核与电子、电子与电子间的相互作用,而且也不能忽略出射粒子间的动力学屏蔽效应。     

高振动激发态的C_6H_6与N_2、O_2碰撞传能的QCT计算

准经典轨线法 (QCT)是目前理论上研究高振动激发态大分子碰撞传能的常用方法之一 ,本文用QCT方法计算了高振动激发态的C6H6 与N2 、O2 的碰撞传能 通过计算发现 ,与N2 、O2碰撞时 ,C6H6 的每次碰撞平均振动失能值与实验结果符合较好 计算结果表明 ,高振动激发态的C6H6 失去的振动能传到了N2 、O2 的振动自由度上 ,即V V传能 通过分析每一条轨线 ,发现了直接碰撞、络合碰撞及颤动碰撞三种碰撞类型 ,这与文献计算是完全一致的     

4种计算自然常数e的方法及精度比较

用Visual C++6.0语言设计了3种计算方法:利用极限、级数、积分计算自然常数e的值.经过不断改进,让计算机按照人的思维方式对e的值进行了计算.计算结果表明:利用极限计算的e值能精确到小数点后8位;利用级数和定积分计算的e值精确到小数点后16位;利用人的思维方式计算e的值能精确到小数点后800位.     

不共面对称条件下电子离化He原子的三重微分截面

运用修正后的BBK理论计算了入射能E0=64.6eV,不共面对称等能条件下电子入射离化氦原子的三重微分截面,所得结果与实验进行比较,符合较好.指出:对3C波函数进行索末菲参量的修正是成功的,这一修正使得BBK模型也能对不共面对称等能条件下的低能(e,2e)过程给出很好的描述.     

蕴含K1,4+e可图序列的刻划

对于给定的图H,称π是蕴含H可图的,如果π有一个实现包含H作为子图.K_k,C_k,P_k分别表示k阶完全图,圈长为k的圈和路长为k的路.K_(1,4) e表示K_(1,4)添加一条边后构成的具有5个顶点5条边的简单图.Luo Rong~[12]考虑了蕴含C_k可图序列的刻划问题,并刻划了当k=3,4,5时,蕴含C_k的可图序列.此外,Luo等人~[13]刻划了蕴含K_4的可图序列.Eschen和Niu~[14]刻划了蕴含K_4-e的可图序列.Yin Jianhua等人~[18]刻划了当r=2,s=3和r=2,s=4时,蕴含K_(r,s)的可图序列,其中K_(r,s)是r×s完全二部图.Hu Lili等人~[3-4]刻划了蕴含K_5-C_4,K_5-Z_4的可图序列.本文刻划了当n≥5时,蕴含K_(1,4) e的可图序列.     

GaAs光致发射极化电子源的原理及其在极化(e.2e)中的应用

GaAs半导体光致发射极化电子源是70年代末国际上出现的一种新型极化电子源。它采用GaAs半导体晶片作为光阴极，并在高真空环境下将碱金属铯及氧化剂镀到光阴极上，以获得负电子亲和势（Negative lectron Affinity）表面，然后通过用波长合适的圆偏振激光阴极，来获得自旋极化的电子束，详细讨论了GaAs半导体光致发射极化电子源的原理及实验过程，并介绍了极化电子在极化（e.2e)反应中的应用。     

低能(e,2e)反应中的碰撞机制

以入射能量为64.6eV、能量均分、共面不对称几何条件下He原子电子碰撞电离过程为例 ,分析低能(e,2e)反应中的碰撞机制和交换效应 ,在回顾了中高入射能量下两种传统的碰撞机制的基础上提出了两种新的碰撞机制 ,从而成功地解释了三重微分截面的结构 ,特别是binary 峰和recoil峰的位置