多光子解离CHClF_2富集~(13)C

用无氦TEA CO_2激光器(9μm带谱线)辐照F-22,选择性激发~(13)CHClF_2,使其达到离解,得到~(13)C的富集。测得选择系数α的峰值位置在1047cm~(-1),相对于~(13)CHClF_2的线性吸收峰位置红移了36cm~(-1),α随激光能量密度、F-22气压的增高而降低。     

苯系芳烃共振能的计算

本文提出了一个新的计算苯系芳烃共振能的计算公式: RE(ev)=0.215(0.89N_0+0.75N_1+0.36N_2)式中N_0、N_1、N_2分别相应于分子中支化度为3及不同环境中支化度为2的碳原子数目。     

奥氏体不锈钢在高温变形过程中的动态再结晶

本文利用热扭转试验方法研究了奥氏体不锈钢的高温变形行为,采用迭加方法,导出了动态再结晶临界应变与峰值应变的关系,并得到了实验的验证.     

深部储层动力学刍议

随着非线性科学的发展及其在地学中的应用,人们逐渐认识到深中储层并非是一封闭、孤立的系统,而是一典型的耗散系统,其含油气性受深部壳幔结构控制。借助非线性动力学思想,尝试提出“深部储层动力学”这一全新的概念及它的基本研究内容和解决问题的方法。     

四个经济特区宏观经济投入产出有效性分析

应用DEA理论和技术,特别是投入冗余率、产出不足率等概念,对4个经济特区经济投入产出状况进行深入的分析,指出它们的建设发展经历了相似历程,即“DEA有效－DEA无效（非DEA有效）－DEA有效”;指出DEA无效主要是由于对一些资源的利用不合理而造成的,文中提出了一些改进资源配置的建议。     

Banach-值HL积分的收敛定理

引入Banach 值HL可积函数序列等度HL可积的概念;利用等度HL可积性定理,证明了Banach 值HL可 积函数序列的一个收敛定理.     

试析中原汉族文化中蹴鞠的兴衰

蹴鞠即中国古代足球运动，它经过黄帝时期的萌芽期，战国时期的成长期，两汉时期的繁荣期，隋唐时期的鼎盛期，宋元时期的成熟期后，到明清时期就呈现衰落的趋势，直至现在已被现代足球运动所代替，笔者从研究蹴鞠运动自身发展以及它与当时政治、经济、军事的关系人手剖析该运动项目发展的规律，使我们的体育项目保护工作从中得以借鉴，优秀的传统项目得以健康发展。     

电弧喷涂防磨损涂层性能评价

采用电弧喷涂法在45#钢表面制备了1Cr13,3Cr13,T8三种防磨损涂层,通过硬度、强度、磨损试验性能测试、用碳硫分析仪检测其碳元素含量及在金相显微镜上观察其组织形貌的方法,对3种涂层的性能给出了综合评价。研究结果表明,3Cr13涂层的硬度、强度及耐磨性均大大高于1Cr13涂层和T8涂层。T8涂层的强度及耐磨性均低于1Cr13涂层,而硬度却高于1Cr13涂层。铬元素对改善3Cr13涂层性能比改善1Cr13涂层性能所做贡献大,因此应优先选用3Cr13涂层对轴件进行修复及表面强化。T8涂层中由于碳元素被大量烧损,导致涂层氧化严重,孔隙率高,这是造成涂层硬度和强度不高及耐磨性较差的主要原因。     

基于独立分量分析的失匹配负波快速提取

失匹配负波(MM N)是一种由刺激变化所诱发的听觉诱发电位成分,其过低的信噪比造成检测和提取比较困难。提出利用独立分量分析(ICA)方法对多导听觉诱发电位信号进行多次分解,根据MM N产生的生理机制及其信号特征,设计合理的独立分量选取原则,提取MM N。该方法通过仿真实验验证,能有效提高信噪比。在真实数据的处理中,仅用传统方法20%左右的实验时间,实现MM N成分波的提取。这将促进MM N在认知神经科学及临床上的应用。     

Modulation of low-frequency oscillations in GaAs MESFETs’ channel current by sidegating bias

Low-frequency oscillations in channel current are usually observed when measuring the GaAs MESFET‘s output characteristics. This paper studies the oscillations by testing the MESFET‘s output characteristics under different sidegate bias conditions. It is shown that the low-frequency oscillations of channel current are directly related to the sidegate bias. In other words, the sidegate bias can modulate the oscillations. Whether the sidegate bias varies positively or negatively, there will inevitably be a threshold voltage after which the low-frequency oscillations disappear. The observation is strongly dependent upon the peculiarities of channel-substrate (C-S) junction and impact ionization of traps-EL2 under high field. This conclusion is of particular pertinence to the design of low-noise GaAs IC‘s.