钇钡铜氧高T_c超导体的实验研究

对(Y+Ba):Cu为1～2的Y-Ba-Cu-O系列超导材料进行了广泛的实验研究.发现在这一实验范围内Y为15%～40%的任一配比经过通氧烧结后都是欠氧、超导的.观察了不同名义成分的超导体结构,发现它们都含有YBa_2Cu_3O_7的简单正交结构超导相(A相),而差异则体现在另一相(B相)的组分中,即后者似乎起了“吸杂中心”的作用.当Y的含量过多时,在B相上还会发现由Y_2O_3小粒子组成的C相.这些结果可用以解释一系列的实验现象.     

脉冲激光沉积TiO2薄膜的I-V和C-V

报道了使用３５５ｎｍ激光烧蚀金属钛在ｐ－Ｓｉ基片上反应性沉积ＴｉＯ２薄膜,并对Ａｌ／ＴｉＯ２／Ｓｉ电容器的Ｃ－Ｖ和Ｉ－Ｖ特性进行了测量。结果表明经过７００℃退火处理的薄膜具有高的介电常数４６。     

分子束研究Cl_2在Si(111)面化学吸附的平动能效应

气相小分子在金属单晶表面上解离化学吸附的机理研究十分活跃.目前描述化学吸附过程有两种不同的机理,即直接解离和前驱态(Precursor)机理.前者认为气相分子与固相表面碰撞能直接解离成碎片吸附于表面上;后者则假设分子入射表面先经中间前驱态再发生解离化学吸附.要深入研究上述不同的吸附机理,分子束技术是一种有效的实验手段,通过测定入射分子束的平动能以及入射角对解离吸附的影响,可以获得有关化学吸附的重要信息.在半导体表面气相化学蚀刻反应中Si-Cl_2体系占有十分重要的地位.我们在文献[4,5]中曾指出Cl_2分子在Si表面上解离吸附是蚀刻反应关键的一步,但是对其吸附机理的深入研究尚未见报道.本文将首次采用超声分子束、角分辨的飞行时间质谱和激光诱导吸附技术,研究Cl_2在Si(111)表面上吸附的平动能效应,并探讨其解离化学吸附的机理.