巧施农家肥

堆肥。可因地制宜施用，最好结合春秋耕作底肥。     

多量子阱结构的MOVPE生长

利用金属有机气相沉积技术生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ多量子阱结构，通过改变生长程序，得到了优化的陡峭量子阱界面．并利用光致发光（ＰＬ）和Ｘ射线双晶衍射对其界面质量分析，Ｘ射线双晶衍射表明界面起伏为一个原子层厚度，在１０Ｋ温度下ＰＬ谱半峰高宽（ＦＷＨＭ）为７ｍｅＶ     

激光熔蒸制备纳米硅微粒的Raman分析

以流动气体(N2,Ar2)作为反应环境,利用开放式激光熔蒸系统,通过改变制备参数熔蒸激光强度,流动气体种类及其流速,激光熔蒸时间,制备出一系列纳米硅样品.利用Raman光谱对在不同参数下所得到的样品表面形貌进行分析,可以看出,激光强度对生成的样品表面形貌有最直接的影响,并决定生成粒子的大小,而流动气体的种类则影响着沉积粒子的分布及其大小.流动的气体防止生成的纳米硅在开放系统中被氧化,而激光熔蒸时间对样品表面形貌的作用则表现的不是很明显.     

农膜光转换添加剂微结构的分析

农膜中光下转换材料(光转换添加剂CaS∶Cu,Eu)使用高温固相反应法制备,运用X射线光电子能谱(XPS)和光荧光技术,对不同工艺条件下制备的材料进行研究,获得荧光材料工艺与稳定性、转光效率的信息,为光转换添加剂及其相关产业的发展提供参考.     

硅衬底硫化锌薄膜发光器件的研制

用双舟热蒸发技术在硅衬底上制备硫化锌电致发光薄膜．用XRD、XPS技术和电致发光谱分析技术．研究该薄膜的微结构与发光特性．发现硅衬底上硫化锌薄膜与硫化锌粉末在晶体结构上存在差异，掺入的稀土元素铒呈三价．电致发光谱为Er^3 的发光谱线．硅衬底硫化锌发光薄膜器件可与硅器件工艺兼容．     

多孔硅荧光谱双峰结构的研究

采用阳极腐蚀法制备了多孔硅（PS），用原子力显微镜（AFM）照片对其表面和结构做了分析，观察到多孔硅纳米尺寸的微结构；并进行了多孔硅层（PSL）的光致发光谱（PL）测量，观察到PL谱峰的“蓝移”和双峰现象，符合量子尺寸效应和发光中心理论，红外吸收光谱进一步证明了发光中心的存在。     

利用K·P方法计算InGaAs/InP应变量子阱的能带

利用Ｋ·Ｐ方法计算了阱宽１０．０ｎｍ的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ应变量子阱在１％压缩应变、无应变和１％伸张应变三种情况下的能带结构及其态密度．结果表明在阱宽较宽时，伸张应变在１３．５～１３．２３ｍｅＶ能量范围之内子带较少，而在１３．３２～－３８ｍｅＶ能量内，具有比无应变时较低的的态密度．从能带角度考虑，在伸张应变时，利用增大阱宽可以改善器件性能