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针对硅基RF-MEMS带通滤波器制备过程中金层电镀沉积工艺,基于亚硫酸金盐无氰电镀液,并结合脉冲电镀技术,通过对电流密度、占空比、正负脉冲时间比、脉冲频率、温度、搅拌速率等相关工艺参数进行优化组合,实现了所设计的硅基双层自屏蔽式RF-MEMS带通滤波器制备与测试,也为相关RF-MEMS器件制备提供了工艺指导. 相似文献
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低碳经济环境下,强调企业的发展不应以牺牲环境为代价。本文针对低碳型企业的特点构建低碳财务管理理论新体系,包括财务管理的目标、原则及内容等。 相似文献
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详细介绍了塑料涂膜厚度的效测量方法,原理及数据处理过程,为喷涂工序的质量管理提供了可靠的数据来源。 相似文献
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基于线性复合平板理论,将机-电-声等效方法应用于压电合成射流激励器,建立了激励器的集总参数模型(LEM).借助ANSYS软件和Matlab软件提取等效模型的关键参数,并使用Matlab软件对合成射流激励器的LEM模型进行了仿真.仿真结果与实验测试值进行了对比,两者吻合得较好.与传统仿真方法相比,所提出的LEM方法具有操作简单、耗时短、占用资源少和效率高等优点. 相似文献
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对低阻硅TSV以及铜填充TSV的热力学性能通过有限元仿真的方法进行对比分析.低阻硅TSV在绝缘层上方以及低阻硅柱上方的铝层区域中凸起最为显著,且高度分别为82 nm和76 nm;铜填充TSV的凸起位置主要集中在通孔中心铜柱的上方,最大值为150 nm.应力方面,低阻硅TSV在绝缘层两侧的应力最大,且最大值为1 005 MPa;铜填充TSV在中心铜柱外侧应力最大,且最大值为1 227 MPa.另外,两种结构TSV的界面应力都在靠近TSV两端时最大.低阻硅TSV界面应力没有超过400 MPa,而铜填充TSV在靠近其两端时界面应力已经超过800 MPa.综上所述,相比于铜填充TSV,低阻硅TSV具有更高的热力学可靠性. 相似文献
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硅通孔(through-silicon-via,TSV)是三维集成技术中的关键器件.本文对低阻硅TSV与铜TSV的热力学特性随各项参数的变化进行了比较.基于基准尺寸,比较了低阻硅TSV和铜TSV在350℃的工作温度下,最大von Mises应力和最大凸起高度之间的不同.基于这两种结构,分别对TSV的直径、高度、间距进行了变参分析,比较了不同参数下,两种TSV的热力学特性.结果表明,低阻硅TSV具有更好的热力学特性. 相似文献
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本文阐述了借助EXCEL的数据处理功能,对传统成本核算方法的原始数据进行重整,按作业成本计算法原理设计EXCEL费用分配计算表模板,以达到快速成本核算的目的。 相似文献
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系统性地对长沙市某小区46户已装修完住宅室内空气甲醛进行了调查研究,同时对比了不同通风时间和施工方式对甲醛含量的影响,按《室内空气质量标准》(GB/T18883—2002)进行检测和评价.结果被检测住宅合格率较低,主要居室合格率不足40%,室内甲醛污染严重. 相似文献
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本文以上市公司的若干财务指标为样本,采用回归分析法,描述了公司中各利益相关者之间的财务利益关系,结果显示,大多数利益相关者之间的利益关系基本上是一致的、不存在冲突。但是,股东与其他多数利益相关者之间的利益关系不十分显著。 相似文献