小功率脉冲电镀仪在高效硅太阳电池中的应用

研制出用于制备空间硅太阳电池上电极的小功率脉冲电镀仪，该电镀仪脉冲电流的频率和占空比具有较宽的调节范围，满足高效率硅太阳电池脉冲电镀的要求，与国内，外普遍采用的真空蒸镀硅太阳电池上电极相比较，脉冲电镀可以制备更窄的栅指电极，电池上电极的遮光损失从７％￣９％降低到３％。     

镍基纳米复合电镀的研究进展

纳米复合电镀是制备复合材料的一种新的方法,大大提高了材料的表面性能如耐磨性、耐蚀性和抗高温氧化性等,与其它金属基纳米复合镀层相比,镍基纳米复合镀层表现出了更加优异的性能,受到广大研究者的关注.本文介绍了国内外关于镍基纳米复合电镀的研究进展,包括复合电镀工艺和不溶性固体微粒的种类等方面,评述了不同功能性镍基纳米复合镀层和主要应用范围,并展望了镍基纳米复合电镀的发展趋势.     

脉冲电流在选择性电镀中的应用

研究了选择性脉冲电镀中的金属分布规律,以局部酸性镀铜为例讨论了脉冲峰值电流密度和工作比对铜镀层金属分布的影响。最后根据测得的极化曲线从Wagner常数的角度进一步证实了选择性脉冲电镀中的电流分布规律。结论为:在极间距较小情况下,在高脉冲电流密度下施行选择性脉冲电镀,将大大提高镀层的定域性和集中性。     

高频双向电镀电流源的研究

本文研究的内容是用高频双向脉冲电镀电源来代替传统的直流电镀电源,以实现更好的电镀效果,满足多层、高密度印刷电路板镀铜的需要。文章对脉冲电镀电源的原理进行了深入的介绍,阐述了双向脉冲电镀电源在实际电镀中的优势,说明工业生产中采用双向高频脉冲电镀电源的优势和必要性。同时,文章对DC/DC变换的原理做了一个简要的概述,介绍了DC/DC变换的基本分类、构成以及相关电路。     

硅基自屏蔽式MEMS带通滤波器

基于硅基深反应离子刻蚀、表面金属化、热压金-金键合等微机电系统（micro-electro-mechanical-systems,MEMS）加工工艺,并结合耦合系数设计方法,选用终端开路式交指结构,实现了一种应用于C波段的自屏蔽式MEMS带通滤波器.开发了该新型滤波器工艺加工流程,并基于高阻硅衬底成功实现了滤波器的制造和测试.测试结果表明,所制造的滤波器中心频率为3.96 GHz,频率误差为2.6%,通带内插入损耗约4 dB,驻波比小于1.2,相对带宽为20.7%,器件整体尺寸为7.0 mm×7.8 mm×0.8 mm,器件质量小于0.1 g,具有尺寸小、重量轻、性能高、造价低、可批量生产、易于单片集成等显著优点,适应了微波毫米波电路对于滤波器件小型化、轻质化、集成化发展的应用要求.      

稳压电源改制双脉冲电镀电源

设计并实现了一磁由通用直流稳压电泊改制成双脉冲周期反向电镀稳定电源的具体方案，该电路具有简捷实用，功能多，成本低容易实现等特点，为脉冲电镀研究提供了方便。     

利用电镀铜填充微米盲孔与通孔之应用

电子产品之高密度内连结制程技术,从上游的半导体制程到中游的封装基板制程,一直到下游的电路板制程,似乎都需要依赖电镀铜填孔技术.近几年来,电镀铜填孔技术日趋受到重视,相关专秘的电镀配方、技术、设备以及周边配套的仪器设施等,如雨后春笋般地发展起来.以往常用但未能深入了解的电镀铜技术有了跃进式的突破,值得探讨.这些技术的发展,似乎有着轮回应用的走势,即下游电路板的电镀铜制程技术似乎渐渐朝半导体制程技术发展,因此衍生出电镀铜填充盲孔的制程技术;而上游的半导体制程工艺中以往没有所谓的镀通孔(PTH),如今却因为3D芯片整合的需要,出现了所谓的穿硅孔(TSV),而所谓的TSV,其实与镀通孔具有类似的制程步骤以及相同的功能与目的,只是介电材料、设备等不同而已.针对目前电镀铜填充微米级盲孔与通孔的相关技术作概略式的介绍与回顾.     

电镀工艺污染及其治理

电镀与喷漆是机电行业污染较严重的工艺。特别是电镀前预处理、有氰电镀、六价铬电镀,要产生大量有毒、有害的电镀废水。分析了电镀废水产生的工艺过程,介绍了电镀废水治理技术,可为建设项目环境影响评价提供参考。     

小波基带宽的变化对结构损伤识别的影响

分析了小波变换在结构损伤检测中的应用 ,证实选择具有不同带宽小波基对检测结果可起到关键性作用 .小波变换可以看作是一组带通滤波器 ,小波滤波器通过多尺度带通和自相关加强特性 ,对结构的动力信号进行实时检测 .利用灵活的多尺度带通小波滤波器组 ,对结构振动信号作滤波分析 ,结构所有的自然频率特性可以同时在时频空间出现 .通过观察不同带宽内振动信号的时频变化来判断结构损伤存在     

基于LMF100的自动跟踪带通滤波器的设计与实现

开关电容滤波器较其他滤波器更易实现对信号频率的跟踪滤波.采用LMF100开关电容滤波器芯片和锁相环电路MC14046,研究与设计了一种简单实用的自动跟踪带通滤波器.该滤波器是一个四阶的由LMF100中两节工作模式1的二阶带通滤波器级联构成,使用MC14046锁相环和双BCD同步加计数器MC14518对输入信号产生100或50倍频脉冲作为LMF100的时钟,实现带通滤波器中心频率的自动跟踪.实验结果表明,该滤波器取得了较好的跟踪滤波效果.     

用于圆型电路管壳的新镀层体系

首次将复合电镀技术应用于圆型电路管壳,采用由暗镍—Ni-Al_2O_3—酸性脉冲金组成的新镀层体系代替传统的镀层。采用上述新的镀层体系后,可以在不增加表面镀金层厚度的情况下,大幅度降低管壳外引线的断裂倾向。通过批量生产性的中间试验,摸索出符合实际生产的工艺条件。中间试验结果表明,采用新镀层体系后,镀层质量得到了显著的改善,提高了产品的抗断腿性能,满足“七专”外壳生产的各项技术条件。同时首次建立了鉴别管壳外引线耐蚀性的试验方法。     

硅基高非线性递增光纤的绝热脉冲压缩研究

本文提出一种利用硅基高非线性递增光纤（silicon-based high Nonlinearity Increasing Fiber）实现脉冲绝热压缩的新方案。数值计算结果表明：通过选取合适的光纤参量,可使脉冲在硅基高非线性递增光纤中的压缩过程基本符合绝热压缩的要求。     

纳米级光纤探针的拉制与镀膜

光学显微镜希望能够得到更高的分辨率 ,作为高分辨率探测系统中的关键部分——纳米级光纤探针的研制则显得尤为重要 .介绍一种利用激光器加热 ,通过重物在光纤一端拉制并进行镀膜的方法 .采用该方法可得到尖端曲率半径小于 4 0 nm的光纤探计     

A resonant miniature electric field sensor using bulk-micromachining process

Recentyears,increasingattentionhasbeenpaidtotheresearchoflow costandsmall sizedelectric fieldsensors(EFSs)[1,2]sincethereexistseveralap plicationsoftheirmacroscalecounterparts[3,4].Foryears,agrowingdevelopmentofmicromachining technologieshasbeenwitnessed,whichbroughtin significantimprovementinperformanceandfunction alityofvariousmicroelectromechanicalsystems(MEMS)devices[5,6].Inthispaper,weproposea methodofdesigningaminiatureEFS(MEFS)using six stepbulk micromachiningprocess.Advantagesofo…     

A resonant miniature electric field sensor using bulk-micromachining process

A novel design of a resonant miniature electric field sensor based on microfabrication technology is proposed. The operating principles and specifications, the design structure, and the silicon-based bulk-micromachining fabrication process are presented. The finite element simulation shows that our design can obtain good results in device parameters setting, and its simplicity and low-cost features make it an attractive product for future applications.     

Bandgap modulation of carbon nanotubes by encapsulated metallofullerenes

Motivated by the technical and economic difficulties in further miniaturizing silicon-based transistors with the present fabrication technologies, there is a strong effort to develop alternative electronic devices, based, for example, on single molecules. Recently, carbon nanotubes have been successfully used for nanometre-sized devices such as diodes, transistors, and random access memory cells. Such nanotube devices are usually very long compared to silicon-based transistors. Here we report a method for dividing a semiconductor nanotube into multiple quantum dots with lengths of about 10nm by inserting Gd@C82 endohedral fullerenes. The spatial modulation of the nanotube electronic bandgap is observed with a low-temperature scanning tunnelling microscope. We find that a bandgap of approximately 0.5eV is narrowed down to approximately 0.1eV at sites where endohedral metallofullerenes are inserted. This change in bandgap can be explained by local elastic strain and charge transfer at metallofullerene sites. This technique for fabricating an array of quantum dots could be used for nano-electronics and nano-optoelectronics.     

通过微孔镀金改善晶体管外引线的耐蚀性

本文报导了用于耐蚀用途的微孔镀金的工艺。晶体管外引线的腐蚀断裂是长期未能解决的问题。通过在可伐引线上电镀暗镍——Ni-Al_2O_3复合镀层——酸性脉冲镀金,构成微孔金镀层体系,使腐蚀断裂倾向明显降低。     

An efficient room-temperature silicon-based light-emitting diode

There is an urgent requirement for an optical emitter that is compatible with standard, silicon-based ultra-large-scale integration (ULSI) technology. Bulk silicon has an indirect energy bandgap and is therefore highly inefficient as a light source, necessitating the use of other materials for the optical emitters. However, the introduction of these materials is usually incompatible with the strict processing requirements of existing ULSI technologies. Moreover, as the length scale of the devices decreases, electrons will spend increasingly more of their time in the connections between components; this interconnectivity problem could restrict further increases in computer chip processing power and speed in as little as five years. Many efforts have therefore been directed, with varying degrees of success, to engineering silicon-based materials that are efficient light emitters. Here, we describe the fabrication, using standard silicon processing techniques, of a silicon light-emitting diode (LED) that operates efficiently at room temperature. Boron is implanted into silicon both as a dopant to form a p-n junction, as well as a means of introducing dislocation loops. The dislocation loops introduce a local strain field, which modifies the band structure and provides spatial confinement of the charge carriers. It is this spatial confinement which allows room-temperature electroluminescence at the band-edge. This device strategy is highly compatible with ULSI technology, as boron ion implantation is already used as a standard method for the fabrication of silicon devices.     

强激光脉冲在部分离化等离子体中的自聚焦

采用变分法推导出有限长激光脉冲在部分离化等离子体中的参数演化方程,其中包含群速度色散和自相位调制的影响,通过分析焦斑半径和脉冲宽度满足的耦合方程,详细讨论了等离子体密度对激光脉冲传播特性影响。研究结果表明:在部分离化等离子体中,对于给定强度的激光脉冲,随着等离子体密度增大,自相位调制会进一步增强激光脉冲的自聚焦;当等离子体密度增大时,激光脉冲传播频率由负向啁啾变化转变为正向啁啾频率变化,而且随着传播距离增大,激光脉冲红移减小而蓝移增大。研究结果对有限长激光脉冲电离诱导自注入加速电子的方案具有理论指导意义。