L-半胱氨酸自组装膜对铜的缓蚀功能研究

在金属铜表面上制备了L-半胱氨酸自组装膜,采用循环伏安法、电化学交流阻抗以及极化曲线研究了各种浓度的L-半胱氨酸溶液制备的自组装膜对铜的缓蚀性能,研究发现,1×10-3 mol/L的L-半胱氨酸溶液的自组装膜在0.5 mol/L的NaCl溶液中有较好的缓蚀效果,缓蚀效率84.9％.     

γ-巯基丙基三甲氧基硅烷自组装膜的制备及其防腐蚀性能

采用自组装的方法在铜片表面制备了γ-巯基丙基三甲氧基硅烷的单分子膜,并利用金相显微镜及粗糙度测定仪观察自组装分子膜的表面形貌,利用电化学工作站评价了自组装分子膜对铜片的缓蚀性能。结果表明：自组装分子膜对铜片具有一定的修饰作用,修饰效果与时间呈正相关;γ-巯基丙基三甲氧基硅烷自组装膜对铜片具有一定的缓蚀性能,其缓蚀性能与...     

钢表面2-巯基苯并噻唑衍生物自组装膜的缓蚀性能研究

运用自组装技术在钢片表面制备了2-巯基苯并噻唑衍生物的分子膜,并用倒置金相显微镜观察了其自组装分子膜的膜形貌;采用电化学测试技术研究了自组装膜在1mol/L HCl中对钢片的缓蚀性能。结果表明,这种2-巯基苯并噻唑衍生物缓蚀剂自组装膜对钢片有良好的缓蚀能力。     

十二烷基硫醇对铜的缓蚀作用

利用自组装方法在铜表面制备十二烷基硫醇单层膜,采用失重法、电化学极化曲线法和交流阻抗法,研究在不同成膜时间条件下得到的自组装膜在0.51 mol/L的NaCl溶液中对铜的缓蚀作用.实验结果表明:十二烷基硫醇膜对铜具有较好的缓蚀作用,经自组装处理后铜电极在NaCl溶液中电荷传递的电阻增大,腐蚀电流密度下降.该膜对腐蚀反应的阴极过程具有更强的阻碍作用,在吸附时间为30 min时,可产生较好的缓蚀效果.     

以[NEt4]3[Fe(CN)6]和[Mn(Ⅲ)(SB)S1S2]ClO4为单元的分子磁体的合成和表征

以[NEt4]3[Fe(CN)6]和[Mn(Ⅲ)(SB)S1S2]ClO4(SB,席夫碱＝5-CH3salophen (双水杨醛缩邻苯二胺)和5-CH3salen (双水杨醛缩乙二胺),S1和S2为H2O或CH3OH)为单元,室温下组装得到了新的化合物,并进行了相应的表征.结合元素分析、红外光谱分析、紫外-可见光谱分析和热分析结果,可以看出,席夫碱配体的空间位阻不同,化合物的结构也有很大变化.     

以[NEt4]3[Fe（CN）6]和[Mn（Ⅲ）（SB）S1S2]C1O4为单元的分子磁体的合成和表征

以[NEt4]3[Fe(CN)6]和[Mn(Ⅲ)(SB)S1S2]ClO4(SB,席夫碱=5 CH3salophen(双水杨醛缩邻苯二胺)和5 CH3salen(双水杨醛缩乙二胺),S1和S2为H2O或CH3OH)为单元,室温下组装得到了新的化合物,并进行了相应的表征.结合元素分析、红外光谱分析、紫外 可见光谱分析和热分析结果,可以看出,席夫碱配体的空间位阻不同,化合物的结构也有很大变化.     

新型Schiff碱的合成及对铜缓蚀性能研究

合成了新型Schiff碱缓蚀剂:1,5-二甲基-2-苯基-4-(4-羟基苯亚甲胺)-3-吡唑啉酮(MBAP).采用UV-vis和FT-IR对其结构进行了表征.采用电化学交流阻抗(EIS)和极化曲线测试方法,研究了不同浓度的缓蚀剂MBAP-乙醇溶液在0.5mol/L NaCl溶液中对紫铜防腐蚀性能的影响.结果表明,随着缓蚀剂-乙醇溶液浓度的增大,缓蚀剂对紫铜的缓蚀效率增大.当加入0.5mol/L NaCl溶液中的缓蚀剂-乙醇溶液浓度为2.0mmol/L时,缓蚀效率达到最大值.MBAP通过化学和物理吸附两种形式在铜表面形成自组装膜,起到良好的防腐蚀性能.     

酪氨酸水杨醛缩席夫碱与锌离子的现场配位

对水溶液中酪氨酸水杨醛缩席夫碱配体与锌离子现场配位进行了研究,找到了席夫碱配体及其锌配合物的适宜条件均为溶液pH值的下限是8,浓度下限是0.3×10-4mol/L.     

硅烷自组装膜对碳钢表面的改性及缓蚀性能研究

采用分子自组装技术在碳钢表面制备了3-巯基丙基三甲氧基硅烷自组装膜(MPTS-SAM).通过原子力显微镜(AFM)观察了碳钢表面成膜过程,并对其表面粗糙度进行了分析;利用动电位极化曲线研究了该自组装膜对碳钢的缓蚀性能.结果显示:该自组装膜对碳钢具有良好的缓蚀性能,且经MPTS自组装分子膜改性处理的碳钢表面较平滑,粗糙度明显降低;硅烷分子的水解程度对自组装有一定影响,且随着组装时间的延长,自组装膜更完整,对碳钢的缓蚀效率更高.     

席夫碱自组装膜对铜的腐蚀保护

首次用交流阻抗和稳态极化技术测试了带有巯基的席夫碱在0．5mol／LNaCl溶液中对铜的缓蚀作用，初步结果显示，所研究的席夫碱可以在HNO3处理的铜表面自组装成膜，该膜对铜有一定的腐蚀保护能力。     

电解质溶液浓度对铜/硫醇自组装膜缓蚀行为的影响

采用交流阻抗法首次研究了在不同浓度的NaCl和HCl溶液中十八－硫醇自组装置对铜电极的缓蚀行为。实验结果表明随NaCl和HCl溶液浓度的增加，十八－硫醇自组装膜对铜电极的缓蚀能力降低。     

新型铜酸洗缓蚀剂烷基苯并咪唑的研究

采用失重法测定了两种烷基苯并咪唑在0.5 mol/L HCl溶液中对铜的缓蚀率;用扫描电镜观察了铜表面的腐蚀情况;通过吸附等温式和计算吸附自由能,分析了盐酸溶液中烷基苯并咪唑在铜表面的吸附机理.     

硫酸介质中四唑类化合物对紫铜的缓蚀作用

采用动电位极化曲线和电化学阻抗谱(EIS)技术,研究5-(4-羟苯基)-1,2,3,4-四唑(4-HPTT)和5-(4-氨苯基)-1,2,3,4-四唑(4-APTT)在暴露于空气的0.5 mol/L H2SO4介质中对紫铜的缓蚀作用。结果表明:在0.5 mol/LH2SO4溶液中,4-HPTT和4-APTT对紫铜的缓蚀效率随浓度的增加而增大,当4-HPTT和4-APTT浓度为0.25 mmol/L时,缓蚀效率分别达到99.3%和97.6%;4-HPTT为阴极型缓蚀剂,而4-APTT为混合型缓蚀剂;加入4-HPTT和4-APTT后紫铜的腐蚀控制步骤由活化和扩散的混合控制过程改变为电荷转移过程;4-HPTT和4-APTT在紫铜/溶液界面的吸附遵循Langmuir吸附等温式。     

2-己基咪唑作为铜的盐酸酸洗缓蚀剂作用机理的研究

通过失重法研究了2-己基咪唑 (2-HeIM )在5%盐酸中对铜的酸洗缓蚀性能。探讨了温度和 2-HeIM浓度对缓蚀效果的影响，从中得出了 2-HeIM在铜表面的吸附等温式，计算了吸附热及 2-HeIM的加入对铜在盐酸中腐蚀反应活化能的影响，进而探讨了 2-HeIM对铜的缓蚀作用机理。结果表明，30℃下，在 5%盐酸中，当 2-HeIM的浓度在 6mmol/L以下缓蚀率随 2-HeIM浓度的增加而增加 ,当浓度达到 6mmol/L时 ,缓蚀率趋于定值。在 2mmol/L到 6mmol/L浓度范围内吸附在铜表面的 2-HeIM分子间的作用力整体表现为引力；2-HeIM在铜表面的吸附是吸热反应；2-HeIM的加入降低了铜的腐蚀反应活化能。     

含苯并三唑和噻二唑单元的铜缓蚀剂制备和缓蚀作用

通过硫烷基法反应,制备了含有苯并三唑和噻二唑单元的分子内聚集物（SBTA）;采用失重法、电化学极化曲线法和电化学阻抗谱法,研究了在3％NaXCl(ω=0.03）和0.5mol/LH2SO4溶液中SBTA对铜的蚀作用,通过FT－IR方法考察了铜表面的腐蚀产物。结果表明,SBTA在3％NaXCl溶液中的缓蚀效果优于0.5mol/LH2SO4溶液中的缓蚀效果。     

2-巯基苯并噻唑衍生物自组装分子膜对45#钢的缓蚀性能

合成了2-辛巯基苯并噻唑化合物,运用IR、MS和元素分析等方法对其结构进行了表征。通过自组装技术在钢片表面制备有机分子膜;采用静态失重法和电化学测试技术研究了自组装膜在1mol/LHCl中对钢片的缓蚀性能。结果表明,2-巯基苯并噻唑衍生物缓蚀剂自组装膜对钢片有良好的缓蚀能力。     

HCl溶液中2-巯基苯并咪唑和1-苯基-5巯基-四氮唑对铜的缓蚀作用

采用失重法、电化学极化曲线和电化学阻抗谱考察了 0 .5 mol/ L HCl溶液中 2 -巯基苯并咪唑 (MBI)和 1 -苯基 -5 -巯基 -四氮唑 (PMTA)对铜的缓蚀作用。MBI和 PMTA的加入使铜的自腐蚀电位正移 ,对铜电极的阳极腐蚀过程存在抑制作用。两者复配使用增强了对铜电极的阳极和阴极电化学过程的抑制作用 ,提高了铜电极膜电阻 ,从而具有较好的缓蚀协同效果。