GaP和GaAs共面波导的直接电光调制特性

对Ⅲ-Ⅴ族电光晶体GaP和GaAs衬底上的共面波导（CPW）进行直接电光调制测量,得到GaP和GaAs的输入电压与电光调制输出的关系曲线,分析电光调制的输出特性．     

电光调制实验系统的设计

调制是光电系统中的一个重要环节，目前普遍采用的是电光调制、声光调制等调制方法。本文设计了一种基于锂酸铌电光晶体的电光调制实验系统。该电光调制实验系统主要是验证电光调制原理，并介绍了电光调制在激光通信方面的应用。通过此系统，可以了解晶体电光调制的原理和实验方法，学会在此系统中测量晶体的半波电压，电光系数和消光比等参量。     

一种新的电光系数的测量方法研究

确定电光晶体的电光系数通常的方法是把电光晶体加工成规则的长方体进行测量.本文主要介绍如何对不规则形状立方氮化硼(cBN)晶体的电光系数的测量方法.cBN晶体是一种人工合成晶体,宏观点群对称性属于Td群,能够产生线性电光效应.但是合成的cBN晶体体积小,大约只有0.3mm×0.3mm×0.1mm,其硬度仅次于金刚石,不易将其加工成规则的长方体.根据cBN晶体的实际情况,进行理论推导,得到了适应于不规则形状的cBN晶体的线性电光系数的测量方法,并以此为指导,进行了实验测量,得到了cBN晶体的线性电光系数γ41=1.17×10-14m/V.     

KNSBN和SBN晶体的近红外电光特性

首次测得了ＫＮＳＢＮ和ＳＢＮ晶体在１．３２μｍ波长下的线性电光系数，研究了其有效线性电光系数γ＿ｃ随温度的变化，并演示了这类晶体以低功率驱动时的高频红外电光调制。     

低对称晶体线性电光系数的测量

采用干涉补偿法与椭圆仪法相结合的方法可以测量三斜晶体的全部线性电光系数。本文详细推导了线性电光系数与实验中被测量样品之间的关系,给出了样品加工取向、外加电扬方向、通光方向和入射光偏振方向等实验条件,建立了低对称电光晶体的全部线性电光系数测量方法。     

晶体的Pockels效应和电光张量

本文简要地介绍了晶体的普克尔效应和电光系数,强调指出电光系数是一个三阶张量,并进行了比较详细的讨论.     

近红外波段硅基石墨烯电光调制器研究进展

 近红外波段的电光调制器是未来光信号处理和计算系统中的关键功能元器件,硅基石墨烯电光调制器在结构尺寸、调制速率、调制带宽及大规模片上集成等方面具有诸多潜在优点而引起人们的广泛关注和重视。本文介绍了石墨烯的光电特性及光调制机理,结合石墨烯在近红外波段电光调制器中的研究及应用,综述了国内外近红外波段硅基石墨烯电光调制器的研究进展,重点叙述了条形波导结构、谐振结构、纳米梁结构的电光调制器的工作原理及各器件的特性,展望了硅基石墨烯电光调制器的研究方向。     

PLZT电光陶瓷的应用发展

PLZT电光陶瓷是一种典型的透明铁电陶瓷。由于其优异的性能,近年来得到广泛的研究。本文从PLZT透明电光陶瓷的发展、制备、性能和应用等方面加以评述,较全面地对PLZT透明电光陶瓷进行介绍。     

无源光纤脉冲电压电场传感器的研究

研究了一种利用电光晶体的一次电光效应测量脉冲电压和电场的方法,给出了光纤电压电场传感器的基本结构和测量原理,计算和对比了ＢＧＯ和ＬＮ等几种不同晶体对测量灵敏度的影响,利用ＨＰ－８０１１Ａ型脉冲信号发生器做为信号源,进行了初步的设计和测试,实验结果表明：ＬＮ晶体具有较高的灵敏度,线性度以及较好的频率响应。     

横向电光效应中相位延迟的补偿方法

分析了光波以不同方向入射于磷酸二氢钾(KDP)晶体时产生的两种电光效应,对γ63纵向和横向电光效应进行比较.针对KDP晶体横向调制时会受到自然折射率的影响,提出了两种相位延迟的补偿方法.     

波片位相延迟的精确测量

作为一种精确的测量方法:电光调制补偿法。文中给出了测量原理和详细理论分析。对可能遇到的问題作了说明,作为实际应用,文中给出了一组任意波片的测试结果并对其进行了误差分析。     

电光角度信息传递系统的性能研究

在简单介绍了角度方位信息传递系统的工作原理的基础上,主要研究了系统中的电光晶体、四分之一波片和检偏器等器件偏离理想位置时对系统性能的影响．独立地研究了各器件偏离理想位置不同角度时系统的测试结果,并定量地作出系统的探测曲线,由此分析得出:电光晶体和四分之一波片偏离理想位置的角度越大探测曲线斜率越小,即对降低系统灵敏度的影响越大;渥拉斯顿棱镜的初始位置直接决定着系统的探测灵敏度等结论．     

测量电磁场的几种光子传感器机理及其应用

本文介绍了三种基于不同机理实现电磁场测量的光子传感器工作原理、制作及应用,它们分别是:基于D型光纤与电光聚合物板耦合的光电传感器;测量高强度电场的集成光电传感器;恶劣环境中的反转域铌酸锂全光学电场传感器。     

Morse势阱中光整流和电光效应的研究

利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法，得到Morse势阱中的光流系数和电光效应的解析表达式，并以典型的GaAs/AlGaAs莫尔斯量子阱为例进行了数值计算，研究结果表明，较大的光整流系数和电光效应与系统的非对称性有关，系统的非对称性越大，光整流系数和电光效应越大。     

用光学方法测量电力系统中的物理量

为了探讨用光学方法测量电力系统中的物理量，根据琼斯矩阵法推出了电光效应与磁光效应组合光调制的公式。结果表明检偏器的输出光强中含有电流、电压和电功率信息。当把光信号变成电信号后经信号处理可用来测量高压（或大电流）情况下的电流、电压和电功率。当主要测量电压和功率时，可选择电光调制在前、磁光调制在后的组合光调制系统；当主要测量电流或电压时，可选择磁光调制在前、电光调制在后的组合光调制系统。     

立方氮化硼横向电光调制半波电压的测量

宽禁带半导体材料立方氮化硼(cBN)具有闪锌矿结构和43m点群对称性,因此cBN晶体也是电光晶体。用cBN晶体进行了横向电光调制,首次观察到cBN的电光效应,并且测得了样品的半波电压．     

1.3μm InGaAsP激光器电光采样技术测量超快速电信号

研究超高速器件和微波集成电路瞬态特性需要在时间畴测量非常快的电信号,这对测量手段的时间分辨率提出了更高的要求。以实用的高速采样示波器(Tck7104,带S4采样头,上升时间为25ps)已经不能完全满足测量的需要。我们建造了1.3 μm InGaAsP激光器超高速电光采样测试装置,采样光源是1.3 μm增益开关InGaAsP/IaP激光器。如果用以Ⅲ-V族材料为衬底的高速集成电路芯片代替微带采样器,则可以实现对集成电路动态特性进行无触点检     

电光效应对光纤波导效率的影响

采用数值计算方法,研究了包层为单轴各向异性电光晶体材料且其主轴沿光纤轴线的单包层光纤外加电场对光纤波导效率的影响.研究结果表明:外加电场对该种光纤中芯层和包层间的功率分布影响显著,在外加电场逐渐增大时,光能量逐渐集中到包层中,为设计新型电压传感器提供理论依据.