一种新型量子阱中三次谐波的研究

在一种新型势阱下,理论上研究了量子阱中三次谐波系数.在有效质量近似下,通过求解薛定谔方程得到了相关波函数和能级,并利用密度矩阵理论和迭代法得到了三次谐波系数的表达式.研究结果表明,三次谐波系数受到新型势阱宽度d和参数U0的强烈影响.     

电子─声子相互作用对抛物量子阱中三次谐波产生的影响

本文就电子一声子相互作用对抛物量子阱中三次谐波产生的影响机制作了理论计算。利用量子力学中的密度矩阵算符理论导出了该系统中三次谐波产生的解析表达式。最后以典型的ＧａＡｓ抛物量子阱为例作了数值计算。     

非对称量子阱中二次极化率的研究

利用密度矩阵的方法研究了一种非对称量子阱的光学非线性,推导出了二次谐波解析表达式,最后利用典型的GaAs/AlGaAs非对称量子阱进行数值计算.数值结果表明,当非对称性增大时,可得到比较大的二次谐波,从而为实验上制作比较大的非线性材料提供一种可行办法.     

激子效应对抛物量子点中光电导的影响

利用记忆函数方法研究了抛物量子点中的光电导,并导出了光电导的解析表达式.以典型的GaAs/Ga1-xAlxAs抛物量子点为例作了数值计算,结果表明,在弱耦合区域,随着抛物势频率的增加,光电导会随之增强,而在强耦合区域,光电导会随之减弱;在弱耦合区域,随着抛物势频率的增加,光电导峰会向左漂移,而且抛物势频率越大,光电导曲线越不对称;考虑了激子效应后的光电导比未考虑激子效应的光电导大了10%以上.     

双三角量子阱中线性及非线性折射率的改变(英文)

利用密度矩阵理论和迭代方法,研究了双三角量子阱中线性、非线性及总折射率改变的特性并以典型的GaAs/AlxGa1-xAs材料为例进行了数值计算.重点讨论了入射光强度、双三角量子阱结构参量(量子阱宽)及外加电场对总折射率改变的影响.计算结果表明:由于线性及非线性折射率遵循着不同的变化规律导致了这些参量对总折射率的改变有着极其重要的影响.     

抛物柱形量子点中电子拉曼散射的研究(英文)

以GaAs材料为例,利用有效质量近似和微扰理论研究了抛物柱形量子点中的电子拉曼散射.考虑电子完全限制在量子点内,导带和价带为分立的抛物形能带.研究了跃迁的选择定则.计算结果表明,微分散射截面是散射频率、柱面半径和量子点本征频率的函数.确定并解释了散射谱的最大值.由于量子受限效应,散射谱的最大值随着限制势频率的增大而增大.     

电子─声子相互作用对抛物量子阱中三次谐波产生的影响

本文就电子一声子相互作用对抛物量子阱中三次谐波产生的影响机制作了理论计算。利用量子力学中的密度矩阵算符理论导出了该系统中三次谐波产生的解析表达式。最后以典型的ＧａＡｓ抛物量子阱为例作了数值计算。     

半抛物量子阱中折射率双峰结构改变的研究

吸收边缘半抛物量子阱折射率的双峰结构的改变作为入射光强度的功能一直被研究,而且已经获得运用密度矩阵和迭代法所推导的关于折射率改变的公式．并呈现了在典型的AIGaAs／GaAs量子阱中所推导的数值结果．结构表明,入射光强度和半抛物量子阱的束缚频率是对折射率双峰结构的最大影响参数．     

半抛物量子阱中折射率双峰结构改变的研究(英文)

吸收边缘半抛物量子阱折射率的双峰结构的改变作为入射光强度的功能一直被研究,而且已经获得运用密度矩阵和迭代法所推导的关于折射率改变的公式.并呈现了在典型的AIGaAs/GaAs量子阱中所推导的数值结果.结构表明,入射光强度和半抛物量子阱的束缚频率是对折射率双峰结构的最大影响参数.     

实现导光板网点合理性分布的研究

针对镭射型导光板网点设计需求,提出了采用区域分割法及斥力缓和法来实现网点的合理分布.设计了一种网点密度分布物理模型,利用该模型控制导光板网点按照LED的光学特点分布.镭射型导光板网点的设计难以控制半径和深度按图案规律变化,只能是通过调节其网点密度来实现网点分布合理化,通过区域分割法生成网点并且使用斥力缓和法对网点进行微调,最后得到了高均匀性的无规则网点分布,将调整前的网点分布和调整后的网点分布进行对比得出斥力缓和法是一种调整网点间距的有效方法.针对区域分割方法生成网点容易出现区域边界过渡带的问题,使用重新中分法,使得区域边界的过渡带问题得到了有效的解决,这对于控制背光模组的光学效果具有重要的意义.