X射线机40-300kV管电压下对绝缘油带电倾向性影响的研究

为了将X射线数字成像技术应用在电力充油设备无损检测领域,需要对该项技术的安全性进行可行性研究,以确定X射线辐射对充油设备中的绝缘油有无影响以及具体影响程度。因此提出了利用不同管电压下的X射线对变压器绝缘油进行定时间的照射试验。给出了该项试验的具体方法和试验后得出的重要结论。试验分析结果表明X射线对变压器油的带电倾向性具有较为明显的影响。该项研究对今后X射线数字成像技术在电力充油设备检测领域的应用提供技术支撑。     

不同氛围溅射HfO_2栅介质薄膜的电学性能和界面微结构

本文研究了不同沉积氛围(纯Ar,Ar+O2和Ar+N2)中射频磁控溅射制备HfO2薄膜的介电性能和界面微结构.实验结果表明在纯Ar氛围室温制备的HfO2薄膜具有较好的电学性能(有效介电常数ε-r～17.7;平带电压～0.36 V;1 V栅电压下的漏电流密度～4.15×10-3 A cm-2).高分辨透射电子显微镜观测和X射线光电子能谱深度剖析表明,在非晶HfO2薄膜和Si衬底之间生成了非化学配比的HfSixOy和HfSix混合界面层.该界面层的出现降低了薄膜的有效介电常数,而界面层中的电荷捕获陷阱则导致薄膜电容-电压曲线出现顺时针的回线.     

测量硅片电学参数及MOS特性的恒流瞬态技术(Ⅱ)

本文提出了利用恒流瞬态技术测量硅片电学参数及MOS特性的新方法。改变位移电流的大小,使MOS结构处于不同瞬态,从而完成硅片电学参数(电导型号,掺杂浓度,少子寿命及雪崩击穿)和MOS特性(SiO_2厚度,平带电压及a系数)的快速测量。由于所测之杂质浓度与SiO_2厚度无关,可望浓度测量的精度会高些。电导型号的确定是杂质浓度测量的自然结果,而无需特别检查硅片的电导型号。对硅片雪崩击穿现象进行了直观和连续的观察,并且,发现了一种与传统观察结果不一样的MOS结构非稳态电容击穿特性。其他参数均可用瞬态技术简捷地进行测量。     

X射线辐射对环氧树脂固化物介电性能和微观结构的影响研究

在不同时长和能量的X射线辐射下,对固化后环氧树脂电绝缘材料的介电性能和微观结构的变化情况进行研究。使用柱-柱电极、介电谱仪、高阻仪对辐射过的环氧树脂进行了击穿场强测试、介电常数测量、电阻率测量。用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)对辐射过后的环氧树脂进行了微观形貌测量,材料的结晶度、结晶尺寸测量。结果表明:X射线辐射对固化后的环氧树脂的介电性能、微观结构和外貌特征均有影响,环氧树脂的介电性能与其微观结构有着密切的关系。     

作为高介电常数栅介质材料的LaErO_3薄膜热稳定性和电学性质的研究

采用脉冲激光淀积法在硅衬底上生长了LaErO3薄膜,用X射线衍射仪、X射线电子能谱仪、高分辨透射电子显微镜研究了该薄膜的热学和电学性质.通过电容-电压测量得到了较好的电容-电压曲线,计算得出等效SiO2厚度为1.4nm.通过高分辨电镜可以看出即使经过700℃30sN2中快速热退火处理LaErO3薄膜与硅衬底之间的反应层也仅有几个原子层的厚度.X射线电子能谱分析得到非常少量的SiO2在沉积的过程中形成.测量的热学和电学性质表明LaErO3薄膜是高介电常数栅介质材料非常有前途的候选材料.     

海胆状MgCo2O4纳米材料的制备及其电化学性能

钴酸镁理论比电容高达3122 F/g,然而受其形貌、结构、电导率等因素影响,实际获得的比电容值并不高.为了获取高比电容的钴酸镁电极材料,实验采用水热法直接在泡沫镍骨架上制备出海胆状MgCo2O4电极材料(M-10),并利用X射线衍射、扫描电镜以及电化学工作站对其进行了物相表征分析和电化学性能测试.结果表明,当电流密度为...     

优化儿童头颈部MSCTA辐射剂量的临床研究

目的在不影响图像质量的前提下,寻找降低儿童头颈部X射线辐射剂量以及对比剂剂量的方法.方法应用西门子多层螺旋CT血管成像对儿童头颈部血管进行扫描,A组行常规扫描,B组行优化扫描,以降低X射线的辐射剂量.结果运用优化方法后,发现辐射剂量明显低于传统方法.结论优化方式扫描不仅能降低辐射剂量,还可以提高图像质量和组织对比度.     

界面陷阱对硅纳米晶粒基MOS电容的电荷存储特性的影响

利用电容－电压（C－V）测量研究了界面陷阱对于硅纳米晶粒基金属－氧化物－半导体（MOS）电容结构的电荷存储特性的影响,研究表明硅纳米晶粒的界面陷阱与SiO2/Si衬底界面态对电荷存储有着不同的影响作用,长时间存储模式下的电荷存储行为主要是由存储电荷从深能级陷阱直接隧穿到SiO2/Si衬底界面态决定。     

胶体金量子点浮置栅MOS结构的制备及其C-V特性

通过单相相转移法合成了胶体金纳米粒子,利用异种电荷之间的静电相互吸引作用,采用自组装技术制备了二维有序纳米金阵列.在此基础上,制备了在氧化层中内嵌纳米金颗粒的金属-氧化层-半导体(MOS)结构,并研究了其C-V特性.扫描电镜显示金粒子的直径在6~7 nm左右,C-V测量结果显示胶体金量子点浮置栅MOS结构存在3 V左右的平带电压偏移.通过这种方法制备的胶体金量子点浮置栅MOS结构可以在非挥发性存储器研究方面展现巨大的应用前景.     

X射线对仔鼠十二指肠组织结构和抗氧化酶活性的影响

为研究X射线辐射对仔鼠十二指肠组织结构和总抗氧化能力(T-AOC)、谷胱甘肽过氧化物酶(GSH-PX)、谷胱甘肽还原酶(GR)活性的影响,用0,1,3,5和7 Gy的X射线对160例出生6～7 d的仔鼠进行全身辐射,分别于辐射后1,5,10和20 d,用比色法检测十二指肠中T-AOC,GSH-PX,GR的变化,用显微技术观察十二指肠组织结构的变化.结果表明,1 Gy组T-AOC和GR活性在辐射后1～20 d高于对照组,其他各组T-AOC和GR在辐射后始终低于对照组;1 Gy组GSH-PX活性在辐射后1 d低于对照组,后逐渐升高,并始终高于对照组;3 Gy组GSH-PX在辐射后1 d高于对照组,后降低,并低于对照组,其它各辐射组GSH-PX活性始终低于对照组;辐射组仔鼠十二指肠粘膜上皮和隐窝均有不同程度的损伤,3 Gy组在辐射后10 d损伤恢复,随着辐射剂量的增大,十二指肠粘膜上皮掉落、溶解,隐窝空泡化甚至消失,中央乳糜管扩张,小肠出血.表明X射线辐射影响仔鼠十二指肠组织结构,可能与十二指肠抗氧化酶活性的变化有关.     

量子效应对MOSFETs阈值电压和栅电容的影响

根据改进后的三角势阱场近似,并考虑量子化效应,提出了一种基于物理的阈值电压和栅电容的解析模型,给出了MOSFETs的阈值电压和栅电容的解析表达式,并与经典理论结果进行了比较。     

离子注入MOS结构少子产生寿命的确定

本文分析了非均匀掺杂衬底ＭＯＳ结构的电流和电容对线性扫描电压的瞬态响应，采用较精确的产生区模型，提出了瞬态电流和瞬态电容联合技术测量非均匀掺杂衬底ＭＯＳ结构电容少子产生寿命的方法，本方法无需计算图形积分和衬底的杂质分布，因而简单实用。     

高栅压低漏压条件下FG-pLEDMOS的热载流子退化机理

针对FG-pLEDMOS施加高栅压低漏压的热载流子应力会使器件线性区漏电流发生退化,而阈值电压基本保持不变,使用TCAD软件仿真以及电荷泵测试技术对其进行了详细的分析.结果表明:沟道区的热空穴注入到栅氧化层,热空穴并没有被栅氧化层俘获,而是产生了界面态;栅氧化层电荷没有变化,使阈值电压基本不变,而界面态的增加导致线性区漏电流发生退化.电场和碰撞电离率是热空穴产生的主要原因,较长的p型缓冲区可以改善沟道区的电场分布,降低碰撞电离率,从而有效地减弱热载流子退化效应.     

CMOS集成电路中MOS管匹配特性分析

目的研究CMOS集成电路中MOS管匹配特性。方法通过分析MOS管在饱和区和线性区的工作方程,分别推导了引起MOS管电压、电流失配的因素,并分析对MOS管匹配特性的影响。结果系统地提出一些进行MOS管匹配设计的方法及应该采取的版图设计规则。结论可作为CMOS集成电路设计提供必要的理论依据。     

功率集成光激MOS控制交流多路开关模拟设计

介绍了一种新型功率集成光激MOS控制多路开关，它由双向晶闸管，MOS器件，光电器件组成。此开关通过光电转换来实现强电与弱电之间的隔离，可工作在交流状态，其通态压降低，约在1．5－3V之间，并对其阻断特性，电流特性，开关特性进行了全面的模糊分析，此开关适用于开发各种电源开关产品。     

差分式电流模式跳耦结构跨导-电容滤波器

应用模拟梯型ＬＣ原型电路法，提出了一种新颖的跳耦结构差分式连续时间电流模式跨导－电容低通滤波器；面向实际电路完成了ＭＯＳ管级的计算机仿真。仿真结果表明该电路方案正确有效，适于全集成     

高效率宽输入范围电荷泵2倍压电路的设计

提出一种无阈值损耗的电荷泵倍压电路(2倍压电路),该电路采用衬底可变单元代替二极管连接的MOS管,消除了MOS器件的体效应及阈值损耗的影响,与传统电荷泵相比效率提高了20%,获得低至1.0V的宽输入范围.基于该结构采用TSMC 0.25μm BCD工艺设计了一款2.0AUSB功率开关芯片,使用spec-tre对整体电路进行了仿真验证,结果表明:该电荷泵电路的工作状态良好,同比输出电压提高了1.0V,效率最高可达90%,基于该工艺实现的电荷泵电路的版图面积仅为0.04mm2.     

热载流子退化对集成电路可靠性的影响及应对

分析了热载流子退化现象对集成电路可靠性的影响，研究了改善热载流子退化的计算机工艺模拟技术、按比例缩小的准恒定电压理论、LDD结构MOS晶体管。     

无源射频识别标签整流电路的分析与设计

整流电路的设计是无源射频识别(RFID)标签的关键技术之一.基于两种传统的整流电路,分析影响其输出电压和能量转换效率(PCE)的几个因素,在此基础上提出了一种改进的整流电路.该电路采用栅极交叉连接的结构来消除天线到芯片的阈值电压压降,并通过增加两个MOS管作为开关来抑制芯片到天线的电荷回流.电路的设计仿真结果显示,该整流电路具有较高的输出电压和PCE.