| 胶体金量子点浮置栅MOS结构的制备及其C-V特性 |
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| 引用本文： | 李卫.胶体金量子点浮置栅MOS结构的制备及其C-V特性[J].南京邮电大学学报(自然科学版),2010,30(5). |
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| 作者姓名： | 李卫 |
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| 基金项目： | 江苏省高校自然科学基金，南京邮电大学引进人才科研启动基金，南京邮电大学教学改革研究项目 |
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| 摘 要： | 通过单相相转移法合成了胶体金纳米粒子,利用异种电荷之间的静电相互吸引作用,采用自组装技术制备了二维有序纳米金阵列.在此基础上,制备了在氧化层中内嵌纳米金颗粒的金属-氧化层-半导体(MOS)结构,并研究了其C-V特性.扫描电镜显示金粒子的直径在6~7 nm左右,C-V测量结果显示胶体金量子点浮置栅MOS结构存在3 V左右的平带电压偏移.通过这种方法制备的胶体金量子点浮置栅MOS结构可以在非挥发性存储器研究方面展现巨大的应用前景.
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| 关 键 词： | 金属-氧化层-半导体(MOS)结构 电容-电压(C-V) 纳米金颗粒 自组装 |
Fabrication and Its C-V Characteristics of MOS Structrue Embedded with Au Nanoparticles |
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| LI Wei.Fabrication and Its C-V Characteristics of MOS Structrue Embedded with Au Nanoparticles[J].Journal of Nanjing University of Posts and Telecommunications,2010,30(5). |
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| Authors: | LI Wei |
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