应用势垒电容研究半导体中深能级杂质

半导体中深能级杂质对半导体材料的物理性质和半导体器件的性能有重要影响。本文概述了近年来应用势垒电容研究半导体中深能级杂质的一些主要方法,特别是利用含有深能级杂质的p—n结(或Schottky 结)电容与时间有关的瞬态电容法,并且讨论了解释这些测量结果的理论模型。研究深能级杂质的 DLTS 法能比较迅速、精确地测定深能级杂质的多种参数,在此基础上进一步改进,从而提高测量精度。     

AsCl_3/Ga/H_2系统GaAs外延片的高分辨率深能级瞬态谱研究

用 AsCl_3/Ga/H_2气相外延系统在 GaAs 衬底上生长出GaAs 外延层并制成 Au-GaAs 肖特基结构.利用高分辨率深能级瞬态谱(HDDLTS)仪研究了外延层中深能级的特性.结果表明,缺陷和杂质在外延层中引进若干较高浓度的深能级,经退火后缺陷深能级会被消除.     

GaP(N)中深能级缺陷和发光效率

用光电容方法研究了GaP(N)样品中深能级杂质缺陷;以曲线拟合方法计算机分析多能级响应的瞬态光电容谱,确定深能级参数:能级位置、能级浓度和光发射率等;并测量了GaP(N)LED的发射光谱和发光效率。结果表明:发光效率较低的LED(η_(ext)=0.019％)中存在着E_1、E_2、E_3、E_4、E_5、H_1多种深能级;发光效率较高的LED(η_(ext)=0.096％),深能级较少(E_3、E_4、H_1)。这些深能级具有无辐射复合中心作用,使发光效率明显降低。     

深能级瞬态谱仪样品台系统的改进

深能级瞬态谱仪能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态,经过全面的数据分析,可以确定杂质和缺陷的类型、含量、陷阱密度、随深度的分布、陷阱上载流子的激活能以及陷阱中心对自由载流子的俘获截面信息等。在使用过程中存在温度控制不理想、样品架不稳定两大问题。通过对深能级瞬态谱仪样品台系统的相关部分进行改进和改造,解决了上述问题,提高了实验的准确度,提高了实验效率,拓宽了测试样品的种类。     

离子注入GaAs_(x-1)P_x(X■0.39)LED中深能级的研究

一、引言近年来,国内外发光二极管(LED)及其所用材料中深能级的检测和研究取得了不少成果。研究表明:某些深能级的存在所引起的载流子复合的“旁路”,是限制LED效率提高的一个重要因素。热激电流(TSC)是检测深能级,研究材料中杂质、缺陷的一种简便方法,[1—3,12]都曾用这种方法研究过GaAsP LED中的深能级。在LED生产中,     

用TSC技术对B~+注入SiO_2-Si系统硅表面深能级的研究

本文用MOS热激电流(TSC)技术研究了B~ 注入SiO_2—Si系统硅表面的深能级。讨论分析了MOS结构硅表面深能级TSC谱的性质,提出由TSC峰值I_p与偏压V_G的依赖关系来判别硅表面深能级的TSC峰。对B~ 注入的SiO_2—Si系统的TSC实验研究表明,硅表面深能级的位置由于B~ 离子注入及随后的高温退火发生变化,这可能是杂质一缺陷互作用的结果、     

南京邮电学院学报1982～1991 10年分类目录

序号题目著者年期起止页码半导体技术②(4)(1)(3)(1)(2)③③001002003004005006半导体中深能级杂质的理论半导体中深能级的磁光关联效应应用势垒电容研究半导体中深能级杂质二极对管的变频C-y和G一犷研究复合开关晶体三极管特性的探讨Ascl拼Ga/HZ系统GaAs外延片的高分辨率 深能级瞬态谱研究CMOs门阵自动布图设计系统中的总体布线 器一种以改变目标为策略的改进型三层通道布线 算法长波长InGaAsP/InP双异质结发光管的设计 理论与研究周凤林周凤林周凤林王永生王绍南周凤林王永生周凤林王永生龚剑荣198419901982199119871989 59~68 88~…     

刚玉晶体中过渡金属元素(Cu、Fe、Mn、Cr、V、Ti)杂质态的研究

本文通过原子簇模型用离散变分法自洽地计算了刚玉晶体中部份过渡金属元素引入的杂质态,并与纯净刚玉晶体的电子结构作了比较。计算结果表明:杂质在禁带中都引入杂质能级,在给定的掺杂浓度下,能级的多少与杂质元素的原子序数有关。Ti只引入了一个杂质能级,Cr及V引入二个杂质能级,Mn、Fe及Cu引入三个能级,其中Cu、Fe有一个能级已进入价带。掺杂晶体与纯净晶体相同,其导带由O_3Al_3 带杂化而成,价带为O_(2p)带。但整个能带与纯净晶体相比都向能量值小的方向移动,且价带加宽,禁带变窄。变化规律与掺杂元素的原子序数、电子数、离子半径有关。     

用深能级瞬态谱作半导体器件的失效机理分析

本文利用深能级瞬态谱DLTS技术,对器件的失效批理作了分析探讨。指出用DLTS技术,不必将失效器件启封,就可以区别是属于体内失效还是表面失效,对于由深能级杂质影响电参数的器件,可以有效地进行失效机理分析。     

AlGaAs混晶中的Sn施主深能级

用DLTS(深能级瞬态谱)及光照DLTS方法研究了不同组分(x=0.26、0.40、0.53)的 Al_xGa_(1-x)As:Sn材料。所有实验样品的DLTS谱都出现两个多子谱峰A和B。在光照下,低温处的A峰更为明显。实验分别测量了A、B能级的发射及俘获的瞬态过程,用混晶无序引起能级展宽模型拟合了实验数据,得到它们的发射激活能,俘获势垒及其组分关系。分析表明,A 及B能级同属于Sn替位施主杂质,并证明DX中心深能级的复杂性。     

GaAs中过渡金属深能级的量子化学计算

本文采用17个原子的原子蔟,用电荷-组态自洽的EHMO方法,计算了中性过渡金属原子Cr、Mn、Fe、Co、Ni在半导体GaAs中的深杂质态,所得杂质能级在能隙中的位置与实验结果较好地符合.     

氢等离子体处理对GaAs/AlGaAs超晶格材料性能的影响

在利用MOCVD方法制备的调制掺杂GaAs/AlGaAs多量子阱超晶格材料中，由于深能级杂质形成的非辐射复杂合中心的存在，使样品具有较大的暗电流并削弱了该材料的光致发光强度，样品经过氢等离子体处理后，其光电性质明显改善。     

热激电流法测ZnS:Er薄膜中深能级的研究

采用热激电流法对ZnS：Er交流薄膜电致发光器件中深能级的测量结果。推测了几种深能级的产生机制。     

掺杂反式聚乙炔中Site—type杂质势的唯象模型

利用ＳＳＨ模型讨论了Ｓｉｔｅ－ｔｙｐｅ杂质势对反式聚乙炔（ｔｒａｎｓ－ＰＡ）电子态的影响。具体计算表明：对各向同性情况，Ｓｉｔｅ－ｔｙｐｅ杂质势破坏了电子能谱的对称性，并使孤子能级发生移动，随着杂质离子与反式聚乙炔链间距的变化，它将引起孤子能级的变动。但不影响孤子局域化程度；而各向异性Ｓｉｔｅ－ｔｙｐｅ杂质势的不均匀性对ｔｒａｎｓ－ＰＡ的电子能谱及孤子局域化程度影响较大。     

n—Ga1—xAlxAs的电子喇曼散射,束缚声子和DX中心

观测到ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ的束缚声子和电子喇曼散射．对ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ进行喇曼散射实验，揭示了在低温光照条件和组分超过某临界值的合金半导体存在着有效质量型的浅施主能级，引起束缚声子和电子喇曼散射．在较高温度，此能级电子减少到由ＤＸ中心表征的施主深能级．实验结果证实了Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ的ｎ型杂质具有深－浅双稳特性．根据晶格动力论，浅释了Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ中施主的电荷态．     

质子辐照α—Al_2O_3晶体后的电子结构

本文采用DVM—SCC—X_α法并利用原子集团模型,讨论了晶体中存在质子后能带结构和状态密度的变化,以及这些性质随质子浓度变化的规律,给出了质子所在位置对晶体的影响.结果表明,质子在α—AI_2O_3禁带中引人深杂质能级,禁带宽度有随质子浓度增加而增加的总趋势。因此可以推论,在所计算的质子浓度情况下,质子的掺入基本上不影响晶体的导电性能,这也证明α—Al_2O_3具有一定的抗质子幅照能力。     

CdS:Cu,Cl粉末光导材料的光谱研究

本文研究了粉末光导材料的吸收光谱,77K温度下的光致发光谱和深能级发射光谱以及光电导的光谱响应特性。从吸收光谱和深能级发光光谱中判明了施主能级、Cu~+能级以及S和Cd的空位能级的位置。     

用瞬态电容谱方法研究GaAsP、GaAlAs发光二极管中的深能级

对GaAsP、GaAIAs发光二极管中的深能级,用瞬态电容谱(DLTS)方法研究得知,二极管在退化前后存在着几个深能级,并测得其能级深度、浓度和俘获截面等主要参数。讨论了这些深能级的物理成因及其对发光效率与退化特性的作用。     

用DLTS和ODLTS技术研究ZnSe晶体中与Ga有关的深能级

本文应用深能级瞬态谱(DLTS)和光深能级瞬态谱(ODLTS)技术研究了掺Ga的ZnSe晶体中的深能级.发现ZnSe:Ga晶体中有一个与Ga有关的施主能级位于导带底下0.17eV处,两个与Ga有关的受主能级分别位于价带顶上0.65eV和0.72eV处.文中还对这些能级的起源进行了讨论.     

掺杂石墨背接触层CdS/CdTe太阳电池的深能级瞬态谱

深能级中心能显著影响太阳电池性能.制作了以掺杂石墨为背接触层的CdS/CdTe薄膜太阳电池,用深能级瞬态谱研究了它们的深能级中心.共发现了6个深中心,确定了其中两个深中心的能级位置,分别是位于EC-0.223 eV的 E3和位于EV＋0.077 eV的H3.它们主要来源于Cd与Te的空位和间隙离子、O和Cl离子以及它们相互作用形成的复合体等.