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共有20条相似文献,以下是第1-20项 搜索用时 31 毫秒

1.  氧分压对IWO薄膜表面形貌及光电性能的影响  
   张远鹏  王文文  秦诗瑶  于蕾《大连理工大学学报》,2011年第51卷第Z1期
   掺钨氧化铟(In2O3:W,IWO)薄膜是一种新型的透明导电氧化物(TCO)薄膜,其中W与In之间存在着较高的价态差,使得IWO薄膜与其他TCO薄膜相比,在相同的电阻率条件下具有载流子浓度低、迁移率高和近红外区透射率高的特点.利用直流磁控溅射法制备了IWO薄膜,利用X射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应及分光光度计表征了薄膜的表面形貌及光电性能.在工作压力1 Pa、氧分压为2.4×10-1Pa的条件下,实验中制备的IWO薄膜最佳电阻率为6.3×10-4Ω.cm,最高载流子迁移率为34 cm2V-1s-1,载流子浓度达到2.9×1020cm-3,可见光平均透射率约为85%,近红外平均透射率大于80%.    

2.  磁控反应溅射直接生长绒面H化Ga掺杂ZnO-TCO薄膜及其特性研究  
   王斐  陈新亮  耿新华  黄茜  张德坤  孙建  魏长春  张晓丹  赵颖《科技创新导报》,2012年第4期
   采用直流磁控溅射技术,在玻璃衬底上直接生长出了具有绒面结构的H化Ga掺杂ZnO(HGZO)薄膜。研究了H2流量对薄膜结构、表面形貌及光电特性的影响。实验表明,在溅射过程中引入H2明显改善HGZO薄膜电学性能,并且能够直接获得具有绒面结构的薄膜。在H2流量为2.0sccm时,所制备的HGZO薄膜具有特征尺寸约200nm的类金字塔状表面形貌,同时薄膜方阻为4.8Ω,电阻率达到8.77×10-4Ω.cm。H2的引入可以明显改善薄膜短波区域的光学透过,生长获得的HGZO薄膜可见光区域平均透过率优于85%,近红外区域波长到1 100nm时仍可达80%。为了进一步提高薄膜光散射能力和光学透过率,根据不同H2流量下HGZO薄膜性能的优点,提出了梯度H2技术生长HGZO薄膜;采用梯度H2工艺生长获得的HGZO薄膜长波区域透过率有了一定的提高,薄膜具有弹坑状表面形貌,并且其光散射能力有了明显提高。    

3.  缓冲层对AZO薄膜的性能影响  
   李长山  赵鹤平  肖立娟  郝嘉伟《吉首大学学报(自然科学版)》,2013年第34卷第3期
   采用射频磁控溅射法分别在ZnO缓冲层和Al2O3缓冲层上制备Al掺杂ZnO(AZO)薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计、霍尔测试仪等仪器对薄膜的光电特性进行表征.XRD分析结果表明,加入缓冲层的薄膜具有更好的c轴择优取向,薄膜的表面平整,结晶质量有所改善,薄膜在可见光范围内的平均透过率超过80%.引入ZnO缓冲层制备的AZO薄膜的最低电阻率为5.8×10-4Ω·cm,导电性能得到明显提高.    

4.  Cu2ZnSnS4/Zn(O,S)异质结薄膜太阳电池的数值仿真  
   张 红  程树英  周海芳  俞金玲  贾宏杰  吴丽君《福州大学学报(自然科学版)》,2017年第45卷第3期
   采用SCAPS软件,对CZTS/Zn(O,S)/Al:ZnO 结构的薄膜太阳电池进行数值仿真,主要模拟研究Zn(O,S)的禁带宽度和电子亲和势、缓冲层的厚度及掺杂浓度、环境温度对电池性能的影响. 结果表明:当Zn(O,S)的厚度和载流子浓度分别为50 nm和1017 cm-3时,电池的转换效率可达14.90%,温度系数为-0.021% K-1. 仿真结果为Zn(O,S)缓冲层用于CZTS太阳电池提供了一定的指导.    

5.  B-N共掺p型ZnO薄膜的制备及性质研究  
   隋瑛锐  姚斌  杨景海《松辽学刊》,2010年第31卷第1期
   利用射频磁控溅射技术用N2和02作为溅射气体在石英沉底上制备了B-N共掺的P型ZnO薄膜.Hall测量结果表明,室温电阻率、载流子浓度、迁移率分别为2.3D.cm,1.2×10^17cm^-3,11cm^2/Vs.制备了ZnO基同质p-n结,研究了它们的I—V特性.探讨了B—N共掺的P型ZnO薄膜低温光致发光的微观机制.同时阐明了B—N共掺的P型ZnO薄膜的导电机制.    

6.  Al2O3衬底上多晶硅薄膜的外延和区熔再结晶  
   励旭东  许颖  顾亚华  李艳  王文静  赵玉文《中山大学学报(自然科学版)》,2003年第42卷第Z1期
   研究了陶瓷衬底上多晶硅薄膜的生长和区熔再结晶.利用快速热化学气相沉积(RTCVD)方法,在低成本的Al2O3衬底上沉积了重掺杂的致密多晶硅薄膜,薄膜的晶粒尺寸在微米级.经区熔再结晶(ZMR)后,薄膜的晶粒尺寸有了较大的提高,而且迁移率较高,这样的薄膜可以用作晶体硅薄膜太阳电池的籽晶层.最大的晶粒达到毫米量级,空穴迁移率超过50cm2·V-1·s-1.在籽晶层上外延的活性层形貌与此类似.这些结果显示这种薄膜在光伏应用方面有较大的潜力.    

7.  Ta/NiO/NiFe/Ta的磁性及界面的结构  
   于广华  柴春林  朱逢吾  肖纪美《科学通报》,2000年第45卷第17期
   利用磁控反应溅射方法以Ta作为缓冲层制备了Ta/NiO/NiFe/Ta薄膜, 磁性分析表明, 该结构薄膜的交换耦合场为9.6×10磢 103 A/m, 但是所需NiO的实际厚度增加了. 采用X射线光电子能谱研究了Ta/NiO/Ta界面, 并进行计算机谱图拟合分析. 结果表明界面反应是影响层间耦合的一个重要因素. 在Ta/NiO界面处发生了反应: 2Ta 5NiO = 5Ni Ta2O5, 使得界面有"互混层"存在. X射线光电子能谱深度剖析表明Ni NiO的混合层厚度约8~10 nm, 从而导致NiO钉扎实际厚度增加.    

8.  9-(3,5-二溴)水杨基荧光酮-溴代十四浣基吡啶分光光度法测定微量钴  
   乌云《内蒙古大学学报(自然科学版)》,2002年第33卷第5期
   详细研究了9-(3,5-二溴)水杨基荧光酮(简称DBSAF) 溴代十四烷基吡啶(TPB)与钴形成三元络合物的显色反应条件和光度性质.结果表明在pH=9.50的Na2B-4O-7-NaOH缓冲溶液中,钴与试剂形成三元络合物,其最大吸收波长在610 nm,表观摩尔吸光系数为2.30×105 L@mol-1@cm-1, 钴(Ⅱ)含量0~6 μg/25ml范围内符合比耳定律.用本法测定了维生素B12中的钴,结果较好.    

9.  化学溶液法合成La_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3导电薄膜的研究  
   李凤华  罗清威  高锋  樊占国《东北大学学报(自然科学版)》,2010年第31卷第9期
   采用化学溶液沉积法制备了La0.5Sr0.5Ti O3(LSTO)外延薄膜作为第二代高温超导带材YBCO涂层导体的缓冲层.以乙酸镧、碳酸锶和钛酸丁酯为前驱物,配制了La离子浓度为0.14 mol/L的前驱液,经旋转涂覆和适当的热处理制得LSTO薄膜.对薄膜前驱粉末进行了热重与差热分析,确定了LSTO的合成过程.X射线衍射分析表明,在840,890℃恒温60 min的热处理后样品薄膜为单相的LSTO,具有明显的(100)择优生长取向,缓慢升温更有利于LSTO薄膜的结晶.扫描电镜结果表明:LSTO薄膜表面光滑致密,采用四探针法测得薄膜电阻率约为1×10-2Ω.cm.这种方法制取的LSTO薄膜电阻率...    

10.  Cu2ZnSnS4/Zn(O,S)异质结薄膜太阳电池的数值仿真研究  
   张红  程树英  周海芳  俞金玲  贾宏杰  吴丽君《福州大学学报(自然科学版)》,2017年第45卷第3期
   Zn(O,S)具有带隙宽、原料丰富且环保的优点,是一种很有潜力的CdS替代缓冲层。本文采用Solar Cell Capacitance Simulator (SCAPS)软件,对CZTS/Zn(O,S)/Al:ZnO 结构的薄膜太阳电池进行数值仿真,主要模拟研究Zn(O,S)的禁带宽度和电子亲和势、缓冲层的厚度及掺杂浓度、环境温度对电池性能的影响。结果表明:当Zn(O,S)的厚度和载流子浓度分别为50 nm和1017 cm-3时,电池的转换效率可达14.90%,温度系数为-0.021%/K。仿真结果为Zn(O,S)缓冲层用于CZTS太阳能电池提供了一定的指导。    

11.  新显色剂3-氯-2-硝基-4-甲基苯基重氮氨基)偶氮苯的合成及其与镉的显色反应及应用的研究  
   孙培培  王磊《淮北煤炭师范学院学报(自然科学版)》,1994年第4期
   本文报道了新显色剂3—氯—4(2-硝基—4—甲基苯基重氮氨基)偶氮苯的合成及其与镉的显色反应。在非离子表面活性剂Triton X—100存在下,于pH9.5的Na_2B_4O_7—NaOH缓冲溶液中,试剂与镉生成2:1的红色配合物,其配合物的最大吸收波长位于524nm处,表观摩尔吸光系数ε=1.34×10~5L·mol~(-1)~cm~(-1),镉量在0 12μg/25ml范围内符合比尔定律,方法曾用于标准水样及电镀废水中微量镉的测定,结果满意。    

12.  1-(4-硝基苯)-3-(3-甲基吡啶)三氮烯的合成及其与镉的显色反应  
   张春牛  郑云法  詹银花《云南师范大学学报(自然科学版)》,2006年第26卷第1期
   文章报道了新显色剂1-(4-硝基苯)-3-(3-甲基吡啶)三氮烯(NPMPDT)的合成及其与镉的显色反应。在Triton X—100的存在下,pH11.5的Na2B4O7-NaOH缓冲溶液中,该试剂能与镉发生显色反应,镉与NPMPDT形成摩尔比为4:1型的黄色配合物,在450nm处有一最大正吸收,在540nm处有一最大负吸收。以450nm为参比波长,540nm为测量波长进行双波长测定,其摩尔表观吸光系数ε=2.45×105 L.mol-1.cm-1,镉量在0~12.0μg/25mL范围内符合比尔定律,用其测定人发及废水中微量的镉,结果满意。    

13.  1-(4-硝基苯基)-3-(5-溴-吡啶)-三氮烯的合成及其与铜的显色反应  
   张春牛  郑云法  顾勇冰《海南师范大学学报(自然科学版)》,2005年第18卷第1期
   报道了1-(4-硝基苯基)-3-(5-溴-吡啶)三氮烯(NPBPDT)的合成及其与铜的显色反应.在NP-10的存在下,pH11.0的Na2B4O7-NaOH缓冲溶液中,该试剂能与铜发生显色反应,铜与NPBPDT形成摩尔比为1∶2型的黄色配合物,在440nm处有一最大正吸收峰,在540nm处有一最大负吸收.以440nm为参比波长,540nm为测量波长进行双波长测定,表观摩尔吸光系数为1.91×105L·mol-1·cm-1,铜的浓度在0~12μg 25mL范围内遵守比尔定律.用拟定方法测定铝合金中的微量铜,结果满意.    

14.  自持金刚石厚膜上沉积N掺杂ZnO薄膜的生长及电学特性  
   孙剑  白亦真  杨天鹏  孙景昌  杜国同《吉林大学学报(理学版)》,2007年第45卷第5期
   采用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)两步生长法在自持化学气相沉积(CVD)金刚石厚膜的成核面上制备ZnO薄膜, 并研究了薄膜的生长特性和电学特性. 结果表明, 在基片温度为600 ℃时沉积得到的ZnO薄膜表面均匀, 取向较一致, 为c轴取向生长. 其载流子迁移率为3.79 cm2/(V·s).     

15.  LSMO缓冲层对PTZT铁电薄膜性能的影响  被引次数:1
   杨卫明  彭刚  李建军  于军《华中科技大学学报(自然科学版)》,2008年第36卷第8期
   采用射频磁控溅射法在Pt/TiOx/SiO2/Si基片上制备了以La2/3,Sr1/3 MnO3(LSMO)为缓冲层的Pb1.2(Ta0.01Zr0.3Ti0.69)O3(PTZT)薄膜,研究了LSMO层及沉积温度对PTZT薄膜性能的影响.XRD分析表明直接在基片上和在300℃沉积的LSMO缓冲层上生长的PTZT薄膜均为随机取向,而在600℃沉积的LSMO缓冲层上生长的PTZT薄膜为(111)择优取向.铁电特性分析表明LSMO缓冲层明显改善了PTZT薄膜的性能:在600℃沉积的LSMO缓冲层上制备的PTZT薄膜电容在5V电压(电场约125kV/cm)下具有饱和电滞回线,剩余极化Pr、矫顽场Ec 分别为50.5μC/cm2和55kV/cm;其疲劳特性也得到了显著改善.    

16.  金刚石薄膜的紫外区电致发光  
   ()张兵临  ()王小平  ()何金田  ()刘大军  ()王建恩  ()Howard R. Shanks《科学通报》,1996年第41卷第6期
   金刚石薄膜在光谱蓝区的电致发光已有过一些研究工作。然而迄今为止,金刚石薄膜在紫外光谱区的电致发光现象尚未见有报道。我们采用了非晶金刚石薄膜——本征金刚石薄膜——掺杂金刚石薄膜3层结构,制备了电致发光器件。观察到在近紫外光谱区380nm处有一发光主峰。 为了提高金刚石薄膜的成核密度,改善薄膜的均匀性,我们采用脉冲激光沉积技术首先在硅衬底上沉积一层非晶金刚石薄膜。非晶金刚石薄膜脉冲激光沉积的实验装置已在文献[4]中有过详细描述。采用波长355nm,重复频率5Hz的Q开关3次谐波YAG激光器,激光功率密度为3.5×10~8W/cm~2。沉积时间5min,获得的非晶金刚石薄膜厚度为0.15μm,电阻率为1.33×10~6Ω·cm。为了提高电致发光器件的击穿电压,再利用微波CVD系统在非晶金    

17.  ZnO薄膜的分形生长以及退火对ZnO薄膜结构和性质的影响  
   闫益  诸葛兰剑  吴雪梅《苏州大学学报(医学版)》,2007年第23卷第4期
   通过射频磁控溅射的方法,分别在NaCl和Si基片上制备厚度约为10nm的ZnO薄膜,通过SEM、TEM等测试手段分析了薄膜的表面状况,结果显示,在两种基片上沉积的薄膜都呈现分形生长的形貌.通过对两种基片上生长的薄膜进行比较,分别计算了这两种薄膜的分形维数.在Al2O3上制备了厚度约为300nm的ZnO薄膜,通过在不同温度下对样品进行退火处理,并利用XRD、PL测试手段研究了退火处理对薄膜结构和光致发光性质的影响.结果表明,随着退火温度升高,薄膜的晶体结构逐渐变好,发光峰位也随着退火温度发生偏移.    

18.  钙钛矿太阳能电池伏安特性分析与计算  
   王传坤  唐颖  张星  马恒《云南师范大学学报(自然科学版)》,2019年第5期
   采用AMPS-1D软件对以CH_3NH_3PbI_3材料为活性层,ZnO为电子缓冲层,Cu_2O为空穴缓冲层的n-i-p钙钛矿太阳能性能进行模拟优化.探讨了活性层厚度、空穴缓冲层厚度以及温度对钙钛矿太阳能电池性能的影响.优化后的钙钛矿太阳能电池器件参数为CH_3NH_3PbI_3厚度500 nm、ZnO厚度100 nm、Cu_2O厚度50 nm,此时钙钛矿太阳能电池V_(oc)=0.891 V,J_(sc)=22.813 mA/cm~2,FF=0.793,E_(ff)=16.12%.    

19.  1-(4-硝基苯基)-3-(5-氰基吡啶)三氮烯的合成及与镍的显色反应  
   顾勇冰  张春牛  郑云法《江西师范大学学报(自然科学版)》,2006年第30卷第6期
   合成了1-(4-硝基苯基)-3-(5-氰基吡啶)三氮烯(NPCPDT)试剂,研究了该试剂与镍的显色反应.在OP表面活性剂存在条件下,在pH=10.0~11.5的Na2B4O7-NaOH缓冲溶液中,该试剂与镍发生配位反应,形成2∶1型配合物.配合物在470 nm处有一最大正吸收,在540 nm处则有一最大负吸收.以470 nm为参比波长,540 nm为测量波长进行双波长测定,表观摩尔吸光系数为9.39×105L.mol-1.cm-1.Ni2 的浓度在0~12μg/25 mL范围内符合比尔定律.用拟定方法测定合金钢样品中的微量镍,得到满意的结果.    

20.  铬黑T胶束增溶光度法测定痕量镉--十二烷基苯磺酸钠作增敏剂,三乙醇胺作增稳剂  被引次数:3
   薛从雄  林衡  刘佳铭《漳州师范学院学报》,2002年第15卷第1期
   pH=9.2O的Na2B40-NaOH缓冲溶液中,十二烷基苯磺酸钠和三乙醇胺存在下,Cd(Ⅱ)和铬黑T反应形成配位比为1∶1的紫红色配合物.基于该显色反应的最适条件测定镉的胶束增溶分光光度法,在最大波长560nm处表观摩尔系数ε6.68 × 106L·mol-1·cm1.镉浓度在0~8.0崆/ml范围内服从比耳定律,回归方程A=0.169+5.0 ×10-3Ccd(μg/ml),r=0.9996,检出限为1.0 × 10-12g/ml.本法用于水样中镉的测定,结果满意.    

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