| Sn掺杂In_3O_2半导体薄膜的制备及其性能研究 |
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| 引用本文： | 顾锦华,龙路,陆轴,张腾,钟志有.Sn掺杂In_3O_2半导体薄膜的制备及其性能研究[J].中南民族大学学报(自然科学版),2015(2):68-73. |
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| 作者姓名： | 顾锦华 龙路 陆轴 张腾 钟志有 |
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| 作者单位： | 1 中南民族大学实验教学中心，武汉430074; 2 中南民族大学电子信息工程学院，武汉430074 |
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| 基金项目： | 湖北省自然科学基金资助项目(2011CDB418);中南民族大学中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(CZW14019) |
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| 摘 要： | 采用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了Sn掺杂In3O2(In3O2:Sn)半导体薄膜,通过XRD、XPS、四探针仪和分光光度计等测试表征,研究了生长速率对薄膜结构和光电性能的影响.结果表明:所制备的薄膜均具为(222)择优取向的立方锰铁矿结构,其结构参数和光电性能明显受到生长速率的影响.当生长速率为4 nm/min时,In3O2:Sn薄膜具有最大的晶粒尺寸(32.5 nm)、最高的可见光区平均透过率(86.4%)和最大的优值因子(7.9×104Ω-1·m-1),其光电性能最好.同时采用Tauc公式计算了样品的光学带隙,结果表明:光学带隙随着生长速率的增大而单调减小.
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| 关 键 词： | Sn掺杂In3O2 半导体薄膜 光学性能 |
Preparation and Characterization of Sn Doped In3O2 Semiconductor Thin Films |
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| Gu Jinhua;Long Lu;Lu Zhou;Thang Teng;Zhong Zhiyou.Preparation and Characterization of Sn Doped In3O2 Semiconductor Thin Films[J].Journal of South-Central Univ for,2015(2):68-73. |
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| Authors: | Gu Jinhua;Long Lu;Lu Zhou;Thang Teng;Zhong Zhiyou |
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| Institution: | Gu Jinhua;Long Lu;Lu Zhou;Thang Teng;Zhong Zhiyou;Center of Experiment Teaching,South-Central University for Nationalities;College of Electronic Information Engineering,South-Central University for Nationalities; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | In3O2: Sn semiconductor thin films optical characteristics |
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