一种新型的高性能带隙基准电压源

提出了一种新型的高性能带隙基准电压源,该基准电压源采用共源共栅电流镜提供偏置电流,减少沟道长度调制效应带来的误差,并增加1个简单的减法电路,使得偏置电流更好地跟随电源电压变化,从而提高电路的电源抑制比。整体电路使用CSMC 0.6μm CMOS工艺,采用Hspice进行仿真。仿真结果表明,在-50~ 100℃温度范围内温度系数为2.93×10-5℃,电源抑制比达到-84.2 dB,电源电压在3.5~6.5 V之间均可实现2.5±0.0012 V的输出,是一种有效的基准电压实现方法。     

交流法短沟道MOS器件模型参数计算机自动提取

本文介绍了一种新型的交流法短沟道MOS器件参数计算机自动提取技术.它能快速而又精确地提取短沟道MOS器件的源漏串联电阻R_T、表面迁移率μ_0、迁移率退化因子θ、阈值电压V_T、平均表面态密度D_(it)等SPICE模拟程序中的模型参数.对LDD、硅栅CMOS等短沟道MOS器件测试结果表明它还具有抗干扰能力强之特点,是一种LSI-MOS电路制造的有效的CAM手段.     

一种低功耗全CMOS电压基准电路的设计

提出一种低功耗全CMOS电压基准电路,它是根据NMOS载流子迁移率与阈值电压互补的温度效应原理产生的电压基准。采用0．5um n阱硅栅工艺模型．通过Hspice软件对电路进行了仿真,在-20- ＋100℃）g．范围内温度系数为33ppm／℃,电路工作在3～5V电压下,静态功耗仅为10-5uA。     

一种含有带隙基准源的低功耗运算跨导放大器的分析与设计

提出一种含有带隙基准源的低功耗CMOS运算跨导放大器的设计方法,在Candence的schmatic工具下完成了电路的搭建与整理,并分析了其基本结构.在此基础上,运用Hspice仿真工具建立了电路模型,并完成了系统仿真验证.在7.75V电源电压下,基于csmc 0.5μm工艺模型,本设计可驱动75 pF负载,相位裕度为135度,单位增益带宽为1.19 MHz,静态功耗为3.43 mW,实现了低功耗运算跨导放大器的良好性能.     

交流法短沟道MOS器件模型参数计算机自动提取

本文介绍了一种新型的交流法短沟道MOS器件参数计算机自动提取技术。它能快速而又精确地提取短沟道MOS器件的源漏串联电阻R_T、表面迁移率μ_0、迁移率退化因子θ、阈值电压V_T、平均表面态密度(?)等SPICE模拟程序中的模型参数。对LDD、硅栅CMOS等短沟道MOS器件测试结果表明它还具有抗干扰能力强之特点,是一种LSI-MOS电路制造的有效的CAM手段。     

采用电容耦合的能量回收电路

为了提高能量回收电路的效率,提出了能量回收电容耦合逻辑电路。该电路的非绝热损失与门的复杂度和负载均无关,其大小只决定于电路中逻辑门的数目。利用电容耦合,而不是开关逻辑网络进行逻辑求值,相对减小了导通电阻和绝热损失。该电路在电路形式上降低了功耗,在结构设计中,采取阈值逻辑结构,使功耗和性能优化。基于TSMC0.35μm工艺,设计了4位加法器,并和4位的2N-2N2P加法器、静态CMOS加法器进行比较。Hspice仿真表明:该电路电路功耗只有2N-2N2P的46%,静态CMOS的20%~31%。该电路与传统的CMOS电路比较,能耗大大降低。     

高温6H-SiC CMOS运算放大器的设计

目的设计可工作在高温下的6H-SiC CMOS运算放大器。方法该电路基于标准的PMOS输入两级运放而成,考虑泄漏电流匹配添加Dcomp二极管。利用零温度系数理论和泄漏电流匹配的原则对电路管子的尺寸进行确定。通过求解SiMOS管和6H-SiC MOS管零温度系数点来稳定偏置电路。结果利用Hspice进行仿真,当温度从300K变化到600K时,SiC运放的增益和相位裕度的变化率分别为2.5%和3.3%,而Si电路的增益从300K的64dB降到600K的-80dB。由于SiC MOS器件沟道迁移率低导致器件的跨导低于相同尺寸下的Si器件,所以其开环增益也小于相同结构和尺寸的Si OPAMP。结论此电路可以在高温下稳定工作,但是单管的性能较Si单管差。     

基于灵敏度分析的井架结构模型修正方法研究

从井架结构模态参数对物理参数变化的灵敏度出发,探讨了井架结构的模型修正问题.以设计参数型模型修正方法为基础,对井架结构杆件的材料、截面形状和几何尺寸等参数进行直接修正.确定优化模型的目标函数及约束变量,利用一阶优化算法对结构参数进行了优化和状态评估.通过实验室简易井架模型的分析验证了此方法的可行性.该方法为复杂井架结构的损伤识别和状态评估提供了一个新思路.修正算法的优化方法采用ANSYS一阶优化方法,敏感性分析和模型修正完全基于ANSYS软件进行,适合于实际工程的应用.     

一种适用于数模转换电路的带隙基准电压源

文章设计了一种应用于D/A转换器芯片中的带隙基准电压电路,在3 V工作电压下具有极低的温度系数,输出电压低于传统带隙基准电路.该电路改进了传统带隙基准电路,减小了运放失调和电路误差,通过电阻二次分压降低了基准输出电压.在SMIC 0.35 μm CMOS工艺下,使用Hspice进行了仿真.仿真结果表明:该基准的温度系数在-40～100 ℃的范围内仅为3.6×10-6 /℃;电源电压在2.7～3.3 V之间变化时,电源抑制比为52 dB.该文设计的带隙基准电压源完全符合设计要求,是一个性能良好的基准电路.     

基于电流型CMOS电路的新型和图转化方法

本文基于原有已提出的和图转化方法基础上,结合解方程的思路,提出了一种新型的和图转化方法,能够有效地简化和图到阈算术函数的转化过程,从而更高效地进行电流型CMOS电路的设计.另外,通过该方法设计了一种基于电流型CMOS电路的全加器,经过Hspice软件模拟实验,实验结果表明:所设计的电路具有正确的逻辑功能和较低的功耗.     

具有模糊系数的多目标模糊正项几何规划的解法

多目标几何规划是解决一些最优化问题的强有力工具,当问题中的参数为模糊数时,目标值也应该是模糊数。本文提出求解系数是模糊数的多目标模糊正项几何规划的算法,首先利用线性加权的方法将问题转化为单目标模糊正项规划问题,再利用Zadeh的扩张原理与对偶原理将单目标模糊正项规划问题转化为两个普通的正项几何规划。     

2K—H（NGW）型行星齿轮机构的简便优化设计

本文用约束正定式几何规划对偶法对起重机减速器中的行星齿轮机构进行改进设计。结果表明：该法运算简便，不用计算机。文中主要介绍，当对偶规划问题出现重复方程时，可通过重构原规划问题的方法，求得问题的全域最优解。     

一类非线性规划问题的求解及应用

根据负荷预报和交易规则制订满足电网安全运行的调度计划,在电网管理中具有重要的应用价值。针对该问题,以经济效益为目标,在机组出力及电网安全等因素的限制下,建立了一个非线性规划模型,该模型是由一系列线性表达式的绝对值构成。对模型进行求解时,通过引入一组参数,将其分解为若干个线性规划子问题,再比较这些子问题的解,得出原问题的最优解,并从理论上证明了本算法得到的解是精确最优解。结果表明,本算法在运算效率和计算精度上均优于现有的其他算法。     

齿轮传动的简便优化设计

本文用约束正定式几何规划对偶法对带式输送机减速器中的斜齿轮传动进行了优化设计。结果表明，该法求解简便，不用计算机。文中着重介绍了当对偶规划问题数学模型出现重复方程时，可通过重构原规划问题的方法，求得问题的最优解。     

基于控制思想求解非线性规划问题的李雅普诺夫方法

为了高效求解非线性规划问题,对一种基于控制思想的新颖方法——李雅普诺夫方法——进行了研究.该方法将约束非线性规划问题转化为一个动态系统,基于系统的动态特性给出原优化问题的最优解.分别针对单目标和多目标的非线性规划问题,对算法的收敛性进行了分析,给出了算法在应用时松弛变量、增益因子等关键参数的取值建议.大量数值算例验证了上述收敛性及参数取值建议的正确性,表明了该方法在求解非线性规划问题时的巨大潜力和新颖性.     

模糊多层线性规划问题的交互式模糊规划法

对于带有模糊参数的线性多层规划问题，其求解算法往往要考虑决策变量的满意度，提出在不考虑决策变量满意度的情况下，给出其交互式模糊规划法，大大简化了原问题的求解．     

Rough正项几何规划及其算法

在rough集合和rough凸集的基础上,提出了rough值集凸函数的概念,建立了rough正项几何规划的知识表示模型、数学模型.此外,研究了rough正项几何规划的数学模型,以及解决多反而少的"悖论"的rough 正项几何规划的算法,它可以化为一单项rough正项几何规划后再化为一个rough线性规划来求解.最后,通...     

求广义几何规划全局解的近似算法

对广泛应用于工程设计、非线性系统鲁棒稳定性分析中的广义几何规划问题(GGP)提出一线性化求解方法.使用指数变换并利用分段线性化技术转变指数项为一些带绝对值项的和,再将绝对值项线性化,最终将原问题转化为一个容易求解的线性规划问题.数值实验表明本文方法是可行的,能近似地求得(GGP)的全局最优解.     

基于平方加权的理想点法解双层多目标规划问题

给出双层多目标规划问题的模型,将基于平方加权的理想点法与KT条件有效结合起来,从而把双层多目标规划问题转化为单层单目标规划问题进行求解,最终得到原问题的有效解.     

汽门弹簧的优化设计

本文对内燃机汽门弹簧进行优化设计,采用了约束正定式几何规划对偶法.该法是利用解方程组的形式,进行参数优化设计的.结果表明;该法运算简便,不用计算机,而且可取得问题的唯一全域最优解.