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| 一种低功耗全CMOS电压基准电路的设计 | |
| 引用本文： | 李书艳,马建军,高明明,罗志勇.一种低功耗全CMOS电压基准电路的设计[J].科技信息,2009(7):107-107,132. |
| 作者姓名： | 李书艳 马建军 高明明 罗志勇 |
| 作者单位： | 辽宁工程技术大学电子与信息工程学院;辽宁锦州华光电力电子集团公司高可靠产品研究所; |
| 摘 要： | 提出一种低功耗全CMOS电压基准电路，它是根据NMOS载流子迁移率与阈值电压互补的温度效应原理产生的电压基准。采用0．5um n阱硅栅工艺模型．通过Hspice软件对电路进行了仿真，在-20- ＋100℃）g．范围内温度系数为33ppm／℃，电路工作在3～5V电压下，静态功耗仅为10-5uA。 |
| 关 键 词： | 电压基准 温度系数 静态功耗 |
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