外加磁场对小功率电感耦合微波微等离子体激励的影响

为使小功率微波微等离子体源进一步小型化,提出了通过外加磁场减小微波微等离子体激励功率的方法。首先对2.45GHz平面微带渐变螺旋天线进行数值仿真,得到最佳结构尺寸;其次在螺旋天线上加载高斯磁感应强度分别为360、990和2 840Gs的环形磁铁,测试得到加载磁场前后的S参数;最后通过改变磁铁及磁极方向,研究其对小功率电感耦合微波微等离子体激励的影响。实验结果表明:当空气气压为666.6Pa时,磁场强度和磁极方向均可使小功率微波微等离子体的激励功率和熄灭功率发生变化,且磁铁S极朝外更有利于激励;随着磁场强度的增大,激励功率逐渐减小;外加磁场时的最小激励功率比未加载磁场时的激励功率减小了15%。该研究结果在微化学分析系统、小尺寸材料的表面处理等领域具有良好的应用前景。     

大面积表面放电等离子体的产生及电特性研究

为了获得大面积表面放电等离子体,设计了大气压多电极表面放电等离子体激励器,并对给定电源频率下等离子体激励器的放电特性(包括气体放电的利萨如图形、稳定放电时的功率及功率面密度等参数)进行了实验研究.实验测量结果表明,采用多电极结构表面放电等离子体激励器可以在较低的电源输入功率面密度下获得大面积的气体放电等离子体.     

氩气微放电通道电子激发温度的空间分布

采用发射光谱法,研究了气体压强为1.01×105Pa条件下氩气介质阻挡放电单个微放电丝通道中电子激发温度的空间分布.通过氩原子763.51 nm(2P6→1S5)和772.42 nm(2P2→1S3)2条谱线相对强度之比计算电子激发温度.实验结果表明:在只有1个微放电丝的条件下,电子激发温度在放电通道中不是1个恒定值,而是在放电通道正中间出现1个最大值,越靠近电极越小.本工作对研究介质阻挡放电中等离子体的动力学过程和单个微放电丝模型的建立具有重要意义.     

大气压低功率微波等离子体源的研究进展及其应用展望

相比于低气压微波等离子体,大气压下微波放电具有密度大、活性高及产生设备简单等优异特征.但由于大气压下微波放电常呈现为流注形式,激发此环境下的微波放电需要很高的入射功率.因此,大气压微波放电的实现代价较高,实际应用较困难.针对大气压低功率微波放电难于实现的科学技术难题,本文重点陈述了大气压低功率微波等离子体源的研究现状及其应用展望.首先综述了国际上4类典型大气压低功率微波等离子体源的研究开发现状,接着介绍了该领域数值计算方面的研究进展,然后探讨了大气压低功率微波放电的物理机制,最后给出几个工程应用实例,并对潜在的应用前景进行了展望.     

基于微带谐振器的三维约束微波微等离子体源的实现

通过理论计算及HFSS仿真设计了微带谐振器,并通过比对三维约束结构存在的HFSS仿真结构验证了三维结构的可行性。实测制备的微带谐振器空载谐振频率为2.5GHz,回波损耗系数(S11)为-17.94dB。该微带谐振器成功实现了三维约束微尺度下,工作频率为2.5GHz,工作压强范围为30Pa至大气压、功率范围为0.7~6W时的微等离子体放电。通过光谱仪检测压强为7.5×10~4 Pa下的Hβ谱线,应用斯塔克展宽求得此压强下平均电子密度为5.54×101 3 cm~(-3),该值符合微等离子体源的电子密度值。     

等效电离参数对110GHz高功率微波放电离子体的影响

用流体模型研究110 GHz高功率微波气体击穿时,电离参数对放电等离子体结构具有重要的影响.将若干等效电离参数表达式引入流体模型,对110 GHz高功率微波诱使的空气击穿进行了数值模拟,发现由Morrow等人提出的表达式更加合理.基于Morrow等人报道的参数,发现在一个大气压下,放电等离子体在空间呈现离散分布,相邻等离子体细丝的间距约等于四分之一波长,等离子体前沿朝向微波源移动,其速度与实验符合得很好.     

微波放电等离子体性能研究

利用自行设计建立的微波放电实验系统，运用静电双探针对产生的等离子体进行了测试，得承均匀磁场中微波输入功率、气体压强、气体种类等条件对等离子体参数及其分布的影响，并对实验结果答了简要分析。     

狭缝型微空心阴极维持放电等离子体

为在高气压条件下获得稳定、大体积的放电等离子体,实验研究了氩气中的狭缝型微空心阴极放电(SMHCD)特性. 设计了包括SMHCD的三电极放电系统,并利用SMHCD作为预电离源(等离子体阴极),在不同放电条件下测试了该系统的放电特性并讨论了其放电模式. 结果表明,SMHCD具有微空心阴极放电的特性,在适当条件下可以形成稳定的辉光放电. 利用SMHCD离子源可以获得大体积、高气压的狭缝型微空心阴极维持放电(SMSD)等离子体. SMSD具有普通直流辉光放电的特性,且SMHCD本身的放电电流以及第三电极处所加的电压对SMSD的形成有十分重要的作用. 该系统可以产生大面积均匀等离子体.     

微波谐振腔气体放电的功率吸收与电子密度

用H□10 3 微波谐振腔进行气体放电产生等离子体 .测量了功率吸收与气压的关系 ,并估算出了等离子体的电子密度 .     

强电离放电等离子体洗消沙林模拟剂DMMP试验

利用强电离放电等离子体对沙林的模拟剂甲基磷酸二甲酯(DMMP)进行处理,通过试验考察pH值、放电气体流量、放电功率、放电室压力、等离子体流量等因素对DMMP处理效率的影响.试验结果表明,碱性条件下DMMP的降解效率要高于酸性条件下的降解效率,酸、碱性条件下DMMP的降解分别符合零级和一级反应动力学特征;DMMP降解效率随着等离子体体积流量和放电功率的增加而上升;随着放电气体流量和放电室压力的增加,DMMP的降解效率先上升后下降;在最佳反应条件下50 mg/L的DMMP水溶液可以在7 min内被完全降解.     

空间环境对植物影响的研究进展

从蛋白质和基因水平分别介绍空间微重力、强电离辐射、亚磁场及空间综合因素对生物性状和遗传变异的影响,并对今后空间诱变育种的前景和存在问题加以概述。     

关于短信网关的分析论述

信息作为我们生活交流媒介的一部分,那么信息的接收和发送更值得我们深入的认识和研究.主要从短信网关的引入、短信网关的系统组成、短信网关的系统功能以及应用短信网关服务进行分析论述.     

基于Hyper-V的校内私有云构建研究

针对云计算的发展趋势,结合校园网基础设施特点,研究和分析了虚拟化技术和云计算模式,提出一种基于Hyper-V的私有云计算环境模式,并在校园网内实现了该模式的私有云构建,为云计算环境在高校的实现提供了具体方法。     

论企业负债经营及其相关问题分析

在目前企业普遍存在着自有资金短缺的情况下，负债经营已成为必要途径。负债经营可以提高企业的市场竞争能力，扩大生产规模，减少货币贬值的损失，降低综合资金成本；同时，负债经营也增加了企业的财务风险，企业要优化资本结构，保持适度的资产负债率，制定出最佳的负债财务计划。     

网格体系结构研究

本文从不同角度介绍了网格的概念,并明确网格体系结构的作用和目的,接着详细地描述了网格体系结构的两个方案———五层沙漏结构和开放网格服务结构,最后对网格的前景作了展望。     

Research on Telecommunication Based on JAVA

This paper discusses how a network communication isimplemented on the basis of java language under pro-gramming interface of network operating system whichrealizes TCP/IP network protocol.The design and appli-cation of java is successfully combined with Internet.In-ternet protocols such as Telnet,FTP,WWW etc.are sup-ported by Java with network classes in which there arevarious methods.While these methods are called fiexible,a telecommunication is implemented.Furthermore,us-ing telnet protocol for the network communication is alsodiscussed in this paper.     

月季的系统分类研究

本文论述了月季的形态习性、栽培技术，重点对月季的系统分类作了进一步的探讨。     

青防肿痛外敷散局部组织药动学研究

研究外用给药制剂盐酸青藤外敷散多次给药后有效成分盐酸青藤碱在实验大鼠局部组织的药代动力学,探索其在局部给药系统中的药动学行为.对实验大鼠后足造模并贴敷给药后,测定大鼠给药足组织内盐酸青藤碱的吸收量,并用PKSolver药动学软件进行药动学参数的计算与曲线的拟合.药动学参数Lambda_z、Vz/F_obs、Tmax、Css、DF%值分别为0.14 d-1、5.64 m L/mg、2 d、0.24 mg/m L、75%.从药动学数据可知药物在局部组织中含量较高,局部患处在高质量浓度的药物作用下,可达到较好的治疗效果,且外用局部给药可减少全身用药的不良反应,耐受性良好.     

绝缘体上硅高温压力传感器研究

采用有限元分析工具ANSYS完成了一种矩形弹性膜绝缘体上硅(SOI)高温压力传感器的优化设计，制作出样品，并与相同结构、工艺的多晶硅压力传感器进行了对比测试。结果表明：1：2的膜片宽长比可以使SOI压力传感器的灵敏度达到220mV／MPa，远大于多晶硅压力传感器的灵敏度(约50mV／MPa)。此外，该传感器能够工作在200℃的高温环境中，有良好的长期稳定性，30d内的零点时间漂移为0．12％。