重离子注入对汪麦染色体畸变率的影响

采用中科院近代物理研究所１００Ｋｅｖ,２００Ｋｅｖ及２０ｍｅｖ离子注入机,产生不同剂量的Ｃ＾１＋、Ｎ＾１＋、ｅ＾１＋对春小麦品种“８１５２９”及Ｎ＾７＋对“８２５７９”进入注入实验,研究对小麦染色体畸变率的影响及其生理生化效应。研究结果表明：①不则离子同一剂量对小麦染色体畸变率的影响不同;②同一离子随剂量的增加染色体畸变率呈上升趋势;③小麦剥皮后提高了离子注入的敏感性;④中能离子注入对小麦染色体畸     

四探针研究N~+注入Si的退火特性

本文用四探针法测量了在不同剂量和不同能量下的N~+注入Si后的薄层电阻率及其退火效应,结果表明,N~+注入Si的退火特性曲线为“W”形,曲线中的两个波谷是两个好的退火区:其中间的波峰是逆退火区,在退火温度为1080℃附近时,当注入剂量为1×10~(14)N~+/cm~2,注入能量为170kev和注入剂量为5×10~(14)N~+/cm~2注入能量为160 kev时,薄层电阻率都有急剧增大的趋势,最后,本文对上述这些实验结果进行了初步的分析和讨论。     

等离子体浸没离子注入豌豆种子对过氧化物酶同工酶的影响

用等离子体浸没离子注入设备对豌豆种子进行N~+注入.用聚丙烯酰胺凝胶电泳技术对豌豆胚芽中的过氧化物酶同工酶进行分离,用联苯胺染色法进行显色.发现过氧化物酶同工酶的活性和数量随离子注入剂量的变化而呈明显变化.酶谱分析可知,注入离子影响了过氧化物酶同工酶酶谱和迁移率.说明离子注入对生物体的影响可在同工酶水平上得到反映.从一个侧面证实了注入离子与生物酶分子之间存在质量沉积和电荷交换效应.     

重离子(N_(14)~(7 ))注入对小麦过氧化物同功酶的影响

采用中科院兰州近代物理研究所20MeV离子注入机产生的不同剂量（5×106P／cm2,1×109P／cm2）的N_(14)~(7 )离子对小麦“82579”进行了注入,并采用垂直板聚丙烯酰胶凝胶电泳技术对其注入后小麦种子过氧化物同功酶进行了研究．结果表明：重离子（N_(14)~(7 )）注入小麦后,对小麦根、芽、胚、胫乳过氧化物同功酶均具有影响,尤其是对胚的影响较为明显,与对照相比主要表现为带的缺失．     

重离子（N^7＋14）注入对小麦过氧化物同功酶的影响

采用中科院兰州近代物理研究所20MeV离子注入机产生的不同剂量（5×10^6P/cm^2,1×10^9P/cm^2)的N^7 14离子对小麦“82579”进行了注入,并采用垂直板聚板聚丙烯酰胺凝胶电泳技术对其注入后小麦种子过氧化物同功酶进行了研究。结果表明：重离子（N^7 14）注入小麦后,对小麦根、芽、胚、胫乳过氧化物同功酶均具有影响,尤其是对胚的影响较为明显,与对照相比主要为带的缺失。     

Al_2O_3膜的离子注入增强腐蚀效应研究

本文研究了N~ 注入硅表面上Al_2O_3膜后,离子注入层在稀释氢氟酸中的增强腐蚀效应.实验研究了N~ 的注入剂量分别为2×10~(14)/厘米~2、5×10~(14)/厘米~2、1.3×10~(15)/厘米~2及3×10~(15)/厘米~2时,注入层在23%稀释HF酸中腐蚀速率随温度变化的关系,发现当腐蚀液温度增加到一定程度时,腐蚀速率随温度增加而迅速增加,而在一定的腐蚀条件下,腐蚀速率随注入剂量增大而增大,并最后趋向饱和.     

氮离子轰击对合金钢及硬质合金表面硬度的影响

用不同剂重的N~+注入合金钢及硬质合金表面,分析测试各种条件注入和未注入时材料表面显微硬度的变化。实验发现硬度值并不随注入剂量D的增加而单调增加,而是存在一个剂量阈值D_(th),在该阈值下注入N~+,可以使材料的表面硬度得到最大程度的提高。     

低能Fe^＋注入对小麦种子萌发能力的影响

将中科院兰州近代物理研究所110KeV离子注入机上产生的Fe~ 离子注入剥皮与未剥皮的小麦种子,分别测定了这两种种子的发芽率、发芽势和生长势。结果表明:注入10~(12)～10~(15)Fe~ p/cm~2能够轻微刺激未剥皮种子的发芽率和生长势,但对剥皮种子来说却显示了抑制作用。可以认为Fe~ 的注入深度有限,剥皮能够明显提高注入效果。     

甲苯二异氰酸酯对小鼠遗传毒性的研究

考察受试物甲苯二异氰酸酯(TDI)是否具有遗传毒性.通过小鼠染色体畸变实验,和姐妹染色单体交换实验进行检测.在给予甲苯二异氰酸酯1/16LC50和1/8LC50剂量的染毒组对染色体畸变率和姐妹染色单体交换率无显著性影响(P>0 05),而1/4LC50以及1/2LC50剂量的染毒组对染色体畸变率和姐妹染色单体交换率有非常显著的影响(P<0 01),结果显示,甲苯二异氰酸酯具有一定的遗传毒性.     

He-Ne激光对增强UV-B辐射小麦细胞染色体损伤的影响

采用He-Ne激光(5 mW/mm2)辐照处理经增强UV-B(10.08 kJ·m-2·d-1)辐射后的小麦幼苗, 对小麦根尖细胞染色体进行了研究.结果表明:增强的UV-B能使小麦根尖细胞落后染色体、染色体桥、游离染色体、核异常数量增加,并在其中发现单极分裂、分束分裂、不均等分裂等畸变;随着UV-B处理时间的增加,染色体畸变率先升高后下降,增强UV-B处理后He-Ne激光的辐照使得染色体畸变率有明显下降.说明He-Ne激光对增强UV-B辐射后小麦根尖细胞染色体的损伤有一定程度的修复作用.