线性调频信号源的研制

提出了一种具体的C波段的线性调频信号源的设计方案．该方案是基于最新的直接数字频率合成技术（DDS）和锁相环频率合成（PLL）相结合的结构,利用DDS与PLL进行混频产生所需信号,重点阐述了系统的硬件实现,包括系统设计方案、主要电路模块设计及高速PCB板设计的关键技术等,并针对实际调试过程中的常见问题给出具体的解决方案．     

正交DDS信号单边带上变频调制

基于正交上变步调制原理,针对DDS（真接数字频率合成）激励PLL（锁相环）频率合成器的某些不足提出了一种频率信号生成的新方法,该方法在微波频段保持了DDS的所有特性,不仅克服了由于DDS激励PLL频率合成器所产生的DDS性能弱化及相位噪声增大的缺点,也抑制了在混频器中上变频所带来的双边带中的无用边带。同时因使用AD8346正交调制芯片与AD9854 DDS芯片,使得设计变得经济、简单易行。     

基于DDS技术的L波段收发系统设计

提出了以直接多通道数字频率合成(DDS)技术为基础设计的收发系统,应用到连续波体制穿墙动目标探测雷达的设计方案。讨论了DDS技术和连续波体制雷达原理和特点。在该系统中,采用了多通道同时输出、切换速率快和低相位噪声的DDS频率合成源,为工程实现雷达发射输出复杂调制波形,以及多通道信号的相位一致性提供了很好的解决途径。     

一种低杂散可快速扩频的频率合成器的设计与实现

将DDS和PLL技术在频率合成方面的优缺点相结合,设计实现了低杂散、快变频、可数字扩频的频率合成器,其测试结果及频谱图均优于传统的PLL频率合成器或单纯的DDS频率合成器.     

基于AD9852的多功能高精密DDS信号源的设计

信号源是电子技术中重要的基本仪器,现代通信技术不断的发展,对信号源的输出波形种类、频率范围、分辨率、精确度、频谱纯度等提出了近乎苛刻的要求。传统的PLL频率合成信号源对此已无能为力。DDS采用全数字技术,具有PLL合成无可比拟的优越性能。本文介绍一种采用AD9852专用DDS芯片设计的一种高精密信号源。     

基于DDS＋PLL频率合成技术的跳频信号源研究

本文分析了DDS与PLL的工作原理和基本结构,提出以DDS直接激励PLL的频率合成方法,给出了DDS模块、PLL模块和控制单元模块的硬件选择和具体电路设计方法。通过在EDA软件环境下进行设计及仿真,最终利用EPM570T100C、AD9910、ADF4113和ROS-1250W等芯片完成了跳频信号源硬件电路设计。经测试分析,DDS＋PLL的频率合成器可输出840~960MHz、频率分辨力小于1Hz的频率信号,适用于高速跳频通信系统。     

频率合成解决方案

介绍几种常见的频率合成方案,着重分析PLL频率合成及DDS频率合成的工作原理,分别介绍了两种频率合成集成电路的应用并进行了对比。     

FPGA/DSP高速稳定雷达发射机设计

针对采用直接数字式频率合成(DDS)芯片无法直接产生多种信号波形的情况,提出基于现场可编程门阵列(FPGA)和数字信号处理器(DSP)控制DDS来实现高速稳定雷达发射机的设计方案。首先,介绍了直接数字式频率合成的结构和原理。其次,设计了雷达发射机的硬件电路和软件编程,其中为提高雷达系统工作稳定性,保证DSP控制DDS产生稳定的波形信号,特别加入了对DSP工作状态进行监测和控制的模块电路。测试结果表明,设计的雷达发射机能够通过示波器输出稳定、实时的普通连续波、FSK信号、单频脉冲信号等多种波形,信号频率的范围在0~100 MHz,频率稳定度达到1%。     

全数字接收机DDS设计与实现

直接数字频率合成技术（DDS）是当前使用最广泛的频率合成技术,它所产生的信号具有频率分辨率高、切换速度快、切换时相位连续、输出相位噪声低和可以产生任意波形等诸多优点,被广泛应用于通信、雷达、电子对抗和仪器仪表等诸多领域。该文首先介绍了此技术的基本结构和工作原理,其次通过verilong语言编写设计了一个DDS系统。     

高分辨率任意波形发生器的实现

分析了传统AWG的不足，研究了D／A转换器字宽和数据输出速率对信号失真度的影响，介绍了直接数字频率合成（DSS）的基本原理，运用DDS技术构成了高分辨率的AWG，并详细论述了AWG各组成电路的设计方法，此任意波形发生器（AWG）可以产生任意波形的周期性信号，能灵活控制信号的频率，幅值和相位，并且在很宽的频率范围内快速切换频率，本文采用两级串联的D／A转换器以获得全量程范围内信号具有高分辨率输出，运用DDS技术构建频率信号源，以获得可以连续精确调整的信号频率。     

高性能数字电视调谐器本振的设计与实现

在讨论数字电视调谐器本振相位噪声和分析直接数字频率合成器(DDS)原理及特点的基础上,提出了一种DDS与锁相环(PLL)混合电路用于调谐器本振的方法,可使其在所用频率点上无相位截断噪声,从而使调谐器本振的相位噪声大大改善,最后通过实验证明了这种方法的有效性.     

基于直接数字频率合成器的高性能数字电视调谐器本振设计

讨论了数字电视调谐器本振相位噪声，在分析直接数字频率合成器（DDS）的原理及特点的基础上，提出了一种DDS与锁相环（PLL）混合电路用于调谐器本振的方法，应用该方法可使其在所用频率点上无相位截断噪声，从而使调谐器本振的相位噪声大大改善，实验证明，该方法是有效的。     

一种X波段宽带快速跳频频率源

针对快速跳频和低杂散的要求,提出一体化频率源设计方法,综合考虑了高速鉴频鉴相、大环路带宽设计和系统级直接数字合成(DDS)频率规划.利用这种设计方法,采用DDS激励快速锁相环(FL-PLL)结构,成功设计并实现了一种宽带快速跳频X波段频率源.实测结果表明,其输出频带为10.5～11.5 GHz;在极端1 GHz频率跳变条件下,正向跳频时间为0.42μs,负向跳频时间为0.30μs;无失真动态范围为—61.3 dBc;相位噪声为—100dBc/Hz@1kHz;最小跳频间隔为12 Hz.     

伪随机序列捷变频跳频频率合成器的研制

研究一种跳频通信机低杂散、低相噪快速捷变频率合成器的实现途径。该合成器采用DDS芯片（AD9852）激励PLL（Q3236）的方案,控制单元采用TI公司的DSP芯片TMS320C31,将DDS极高的频率分辨力与锁相式频率合成器较高的工作频率结合起来,获得了更高的频率合成性能,其主要技术指标为：相位噪声小于-100dB/Hz（偏离载频1kHz处）,杂散电平小于-60dB。     

一种高速低相位噪声锁相环的设计

设计了一种1．8V、SMIC0．18μm工艺的低噪声高速锁相环电路．通过采用环行压控振荡器,节省了芯片面积和成本．通过采用差分对输入形式的延时单元,很好地抑制了电源噪声．与传统的简单差分对反相器延时单元相比,该结构通过采用钳位管和正反馈管,实现了输出节点电位的快速转变,整个电路芯片测试结果表明：在输入参考频率为20MHz、电荷泵电流为40μA、带宽为100kHz时,该锁相环可稳定输出频率为7971MHz—1．272GHz的时钟信号,且在中心频率500kHz频编处相位噪声可减小至-94．3dBc／Hz。     

0.0068mm2自校准电路在锁相环中的应用

提出了一种可供 CMOS锁相环使用的自由调整的自校准技术。与传统的自校准技术相比, 新的自校准方案不需要使用参考电压源, 而且自校准过程内嵌在锁相环的锁定过程中,所以新的自校准方案减少了芯片的面积:与自校准有关电路的面积只有0.0068mm²。所设计的PLL采用0.13 μm CMOS 工艺, 工作频率范围在 25 ～700MHz 之间。测试表明, 当压控振荡器工作在 700 MHz 的时候, 其 8 倍降频之后的87. 5 MHz 输出信号的相位噪音在1 MHz 频率偏移处为-131 dBc/ Hz。     

新型相位差可调的多通道信号发生器设计

利用直接数字频率合成器芯片AD9959设计了一种相位差可调节的多通道正弦信号发生器。系统设计以直接数字频率合成(DDS)技术为核心,采用USB2.0控制器CY7C68013实现整个系统的控制。通过对系统硬件和软件分析,搭建了系统实验电路。实验结果表明,信号源产生的输出信号频率稳定,频率切换速度快,可实现任意两个通道间设定的相位差恒定输出,四通道信号源均能对频率、幅度和相位等指标独立调节。     

A wideband LC-VCO for MMMS applications

A fully integrated wideband voltage-controlled-oscillator(VCO) based on current-reused topology is presented. The overall scheme contains two sub-VCOs, which are controlled by a switch to cover a wide output frequency range. Fabricated in TSMC 65 nm CMOS technology, the measured output frequency of the VCO ranges from 3.991 GHz to 9.713 GHz,achieving a tuning range of 83.5%. And the worst and best phase noise at 1 MHz offset are-93.09 dBc/Hz and-111.97 dBc/Hz, respectively. With a 1.2 V supply voltage, the VCO core consumes a current of 3.7-5.1 mA across the entire frequency range. The chip area is 0.51 mm~2, including the pads. Moreover, the proposed VCO provides a figure-of-merit-with-tuning-range(FOM_T) of-191 dBc/Hz to-197 dBc/Hz.