组织结构对电容铝箔腐蚀形貌和比电容的影响

本文研究了最终退火对两种电容铝箔组织结构的影响,分析了组织结构、腐蚀坑形貌和比电容之间的关系。实验表明:在退火条件下,再结晶织构对腐蚀铝箔的电容量有重要影响。立方织构含量增加,比电容提高。通过对铝箔腐蚀形貌的观察证实:电容铝箔在含有氯离子溶液中的腐蚀具有明显的结晶学特征,在<001>方向具有最快的腐蚀速度。根据这种特征解释了立方织构对腐蚀形貌和比电容的影响。     

高纯铝箔比电容研究的新成果

我院铝箔电容科研组经过多年的探索,于一九八一年研究出提高高纯铝箔比电容的新方法,获得了一批高比电容的高纯铝箔,在益阳县电容器厂进行了高比容低电压电容器试生产取得了成果,并于一九八一年十二月一日至二日在湖南省电子工业局主持下通过了鉴定。参加这次鉴定会的有四机部成果办、丹东电子铝箔厂、湖南省电子产品例行试验站、无     

铝箔电蚀隧道孔形貌及生长机理研究进展

铝电解电容器小型化、高比电容的发展趋势，对阳极铝箔的比表面积提出了更高的要求。为了进一步提高铝箔电蚀效果，必须对铝箔隧道孔生长机制有更透彻的了解，以及需要控制隧道孔生长模式以便最大限度地拓展铝箔比表面积。针对近年来国内外对铝箔电化学侵蚀的机理研究，进行了归纳总结，对国内腐蚀铝箔研制与生产具有指导作用。     

微量元素、织构和位错对低压(16V)电容器用阳极箔比电容的影响

本文研究了含微量 Mg—Nd、Cd 的低压(16V)电容器阳极铝箔比电容。实验表明:成份位于一定范围的退火 Al-Mg-Nd 和 Al-Cd 合金箔,与纯铝箔相比,有较高的比电容。其原因在于微量元素提高了铝箔表面(100)织构的含量;同时,也增加了正方形蚀坑的晶粒数目,这些晶粒分布在三角形或其他形状蚀坑的晶粒之间,且各种蚀坑的形状、大小适宜,分布均匀。由此所组成的位错蚀坑密度愈大,低压用铝箔的比电容也愈高。     

温度对电容器用TiCxN1-x／Al复合铝箔比电容的影响

采用多弧离子镀技术制备高容量电容器用TiCxN1-x/Al复合铝箔电极,研究不同温度下TiCxN1-x/Al复合铝箔的比电容特性,并通过扫描电镜和X射线衍射分析不同温度下铝箔的表面微观结构和物相变化规律.结果表明,TiCxN1-x/Al复合铝箔的比电容高达1 600 μF/cm2,经退火处理后,TiCxN1-x涂层表面颗粒有逐渐长大趋势,晶体结构也从非晶态向晶态转变,当退火温度高于200 ℃时,复合铅箔比电容下降较快.     

高压电解电容器阳极铝箔扩面腐蚀机理的研究

从扩面腐蚀机理的研究出发，针对国产铝箔的特点，设计出行之有效的扩面腐蚀工艺，从而使国产铝箔制成高比容高强度的高压电解电容器阳极用腐蚀铝箔。     

电容铝箔微观结构的TEM和X射线衍射研究

本文采用不同形变热处理高纯铝箔,经电解抛光和减薄后,用高压透射电镜观测了蚀坑形貌与其它微观结构,同时根据 X 射线晶面衍射强度分析,建立了铝箔易见蚀坑形貌与高 F_(hkl)值的实质联系,为制取高比电容铝箔,提供了理论依据.     

成品退火对高纯铝箔立方织构的影响

高纯铝箔主要用于制作高压电容器的阳极材料,电容器的比电容大小与阳极箔材中立方织构的含量密切相关立方织构含量越高,箔材腐蚀后有效表面积越大,其比电容也相应越大.作者采用晶体取向分布函数(ODF)研究和分析了成品退火工艺制度及冷却速度对不同铁含量高纯铝箔立方织构的影响.研究结果表明含Fe0.0011％的高纯铝箔在二级退火190℃/3h+520℃/2h条件下立方织构含量较高,R织构比例较小.由于铁的含量及存在状态严重影响了高纯铝箔的立方织构含量,当铁含量较高或过饱和固溶在基体中时,成品退火时主要出现原位再结晶,立方织构较弱,R织构较强.因此,含Fe0.0016％的高纯铝箔成品退火后虽在空冷时立方织构含量较高,但其立方织构含量均低于含Fe0.0011％的高纯铝箔中的立方织构含量.     

太阳集能少反射铝箔的制备及其性能

用连续铸轧法制备了3003Al、1050Al合金箔,研究了合金元素含量及冷变形总加工率对太阳集能少反射铝箔的力学性能及比电容的影响.研究结果表明:增加合金元素含量造成变形抗力提高、抗弯次数降低,给冷轧及腐蚀带来不利影响,保持冷变形程度大于97%可有效增加腐蚀后铝箔的比表面积,提高铝箔质量.     

云南省铸轧超薄铝箔工艺技术突破填补技术空白

正由云南浩鑫铝箔有限公司开发的铸轧坯料生产0.004 5毫米铝箔实现批量生产,突破了国际上只能用热轧坯料生产0.005毫米以下铝箔的传统工艺路线,改变了国内超薄铝箔全部依赖进口的局面,在世界工业技术领域填补了一项空白。此项工艺,具有工艺流程短、能耗小、成本低、环境友好的显著特点,包含了0.005毫米以下厚度超薄铝箔稳定性生产的炉底     

无电解电容的宽范围输入电压半桥LLC数控开关电源设计

目前半桥LLC谐振电源中大多采用电解电容进行滤波,针对电解电容的电解液挥发产生的寿命低缺点。本设计采用了高寿命的CBB电容来代替电解电容进行滤波。但CBB电容容值低,滤波效果差,带来电压纹波大,输入电压范围宽的问题,因此本设计以STM32作为主控芯片,采用变频控制(PFM)与变脉宽控制(PWM)相结合的控制方法解决这一问题。经试验验证,本设计在使用CBB电容代替电解电容,宽输入电压范围的情况下,能够在一定的电压纹波内达到稳压效果,可以实现电源的高寿命。     

最终退火处理对铝箔立方织构的影响

对铝纯度为99.79%和99.99%的两种铝箔进行了多种退火处理,利用蚀坑法分析统计了热处理后铝箔的立方织构含量.化学成分对铝箔立方织构度有决定性的影响,纯度高的Al99.99%铝箔通过热处理后可获得较高的立方织构含量,最高可达92%.铝箔退火时,随退火温度的升高、保温时间的延长,纯度为Al99.99%的铝箔中立方织构含量增加,但在高温(高于580℃)时,保温时间的延长对立方织构含量无明显影响;对铝纯度较低,Al99.79%的铝箔,立方织构含量增加不明显,高于550℃的退火温度会降低立方织构含量,并随着保温时间的延长,降低幅度加大.     

微量Ga对电容器阳极用铝箔组织及比电容的影响

采用X射线衍射定量检测含微量Ga高压电解电容器阳极用退火箔的立方织构,用金相显微镜及扫描电镜观察其显微组织,用图像分析软件分析腐蚀箔的腐蚀结构,研究了微量Ga对组织结构、腐蚀结构及比电容的影响.结果表明:Ga的质量分数由05×10-6提高至116×10-6时,铝箔的立方织构的体积分数略微下降,但在520V的比电容却由0662μF/cm2增加到0706μF/cm2;当Ga的质量分数增加至214×10-6时,显微组织及织构变化不明显,但比电容下降至0693μF/cm2.这是因为适当添加微量Ga能促进电化学腐蚀发孔,增加箔的表面积,提高其比电容;但Ga的质量分数高于116×10-6时,将增加箔的并孔数量,减少其表面积,导致比电容下降.     

铝阳极氧化膜的复合金属盐电解着色的研究

利用铜盐、镍盐构成的复合金属盐对铝阳极氧化膜进行电解着红色系的研究，所得着色液性能十分稳定，所着颜色色调均匀饱满，随着色时间及交流电压的变化，可得到浅红、紫红、深红、红黑及黑色，并对着色液中的某些因素的作用进行了探讨。     

铝铜合金阴极的铝电解研究

在实验室小型电解槽上用铝铜合金做阴极,研究电流效率[CE]与极距,电流密度和阴极合金组成的关系,当极距超过一定值时,电流效率达到几乎不变的最大值;当阳极电流密度达到一定值时电流效率也出现最大值,在阴极合金组成低于33％重量铜以下,电流效率随含铜量增加而增加,根据试验结果推导出电流效率和阴极合金组成的数学关系式。     

大型铝电解槽磁力计算及分析

给出大型铝电解槽和计算方法，分析各导电部件所产生的磁场对铝电解生产的影响。     

采用新型双绞铜箔的变压器线圈交流损耗建模与分析

提出一种应用于低压大电流高频开关电源功率变压器的新型双绞并联铜箔线圈.由于铜箔双绞并联,铜箔间的电流及电流密度均匀,从而减小了并联线圈的交流损耗.与线圈的交错结构比较,双绞铜箔并联结构线圈的变压器具有最小的原副边耦合电容.通过建立一维涡流模型,对新型双绞铜箔进行交流损耗分析,分析结果表明铜箔绞绕方案能有效减小线圈损耗.     

铝电解过程控制信号的滤波与噪声解析模型的研究

将快速傅里叶变换技术和数字滤波器设计技术应用于铝电解过程控制信号的滤波与噪声解析模型中,在160kA中间点式下料预焙槽上的试验结果表明了模型的有效性。