氢键,氢桥键,氢配位键的关系

讨论了氢桥键、氢键、氢配位键的共同特性,指出了氢键,氢桥键,氢配位键都是氢键,氢桥是氢键作用过程的基本形式,氢键,氢桥键,氢配位键是桥氢受两端基团作用力不同而引起的不同的氢键作用结果,并用氢桥键理论解释了一些物质的结构和性质。     

氢键对物质性质的影响

本主要论述了氢键的形成、特征、种类及对物质性质的影响，并对氢键与氢桥键进行了比较。     

关于硼氢化合物立体结构的探索

乙棚烷（B2H6）是最简单的棚氢化合物，也是一种典型的缺电子分子。它的结构早在1912年W．Diltyey就提出氢桥键模型[1]，但经过长期探索，到1951年K．Hedberg和VSehomaker等人[2]。用电子衍射法测定出健角和键长，证实了B2H6分子中含双电子桥式三中心健结构（见图1）。为了揭示棚氢化合物（以下简称硼烷）结构的密密，W．D．Lipscomb做了卓有成效的工作，提出五种成键要素[3]：（1）瑞稍二中心二电子（2c－2e）硼氢键（B－H）；（2）三中心二电子（3c－2e）氢桥键（BB）；（3）二中心二电子（2c－2e）硼硼键（B－B）；（4）开口三中…     

C4H6O,C4H6S与HX(X= F,Cl,Br)分子间氢键的理论研究

运用MP2/aug-cc-pVDZ对C4H6O,C4H6S与HX(X=F,Cl,Br)之间的氢键作用进行了理论研究,发现2,5-二氢呋喃、2,5-二氢噻吩与HX之间不仅存在n…HX型氢键,C-C双键与卤化氢分子亦可形成π型氢键.氢键键能△E、氢键键鞍点处的电子密度ρ(rc)以及从电子给体到受体之间的电子转移数△q(HX)均表明,n型氢键比π型氢键更容易形成,与实验结果一致；C4H 6O…HX(n),C4H6S… HX(n) (X= Cl,Br)中的氢键作用介于离子键和共价键之间；而对于其他氢键复合物,电子供体和受体之间的作用为闭壳层相互作用,即静电作用.形成氢键后,电子从C4H6O,C4H6S转移到HX使卤化氢分子的积分性质发生了变化,氢原子能量增加,偶极矩减小,体积减小.     

应用MICC理论研究氦原子对氢分子特征轮廓的影响

应用分子内禀特征边界轮廓理论（MICC）分男口研究了氨原子沿氢分子键轴．垂直氢分子键轴方向接近氢分子时，氢分子特征轮廓半径及电子密度的变化．在这两种情况中，氨原子对氢分子的影响均是沿作用线内侧的氢分子特征轮廓半径及电子密度变化强于其它方向的半径及电子密度变化．     

硝基甲烷正、负带电离子氢转移反应位垒的计算研究

采用DFT（UB3LYP）方法，在6—311＋＋G^＊＊基组水平上，计算研究了硝基甲烷2种带电结构[CH3NO2]^＋和[CH3NO2]^-分子内H原子向O原子转移后的O-N键的解离机理和反应位垒．结果表明，[CH3NO2]^＋发生氢转移后，O-N键的断裂是2步反应，第一步是分子内的H原子转移到O原子上，生成中间体[CH2N（OH）O]^＋，反应位垒为106．5kJ／mol；第二步是中间体中O-N键断裂，这步的反应位垒为105．5kJ／mol，理论计算得出的产物带电状态与实验一致．[CH3NO2]^-中H原子向O原子转移及O-N键断裂反应一步完成，生成一氢键复合物（H-Complex），该反应位垒为176．2kJ／mol，H—Complex进一步解离成CH2NO自由基和OH^-，或是OH自由基和[CH2NO]^-．     

乙烯基乙炔与卤化氢分子间π型氢键的理论研究

用从头算法在６－３１Ｇ基组下，对π型氢键体系Ｃ２Ｈ２．ＨＣｌ，Ｃ２Ｈ４．ＨＣｌ和Ｈ２Ｃ＝ＣＨＣ≡ＣＨ．ＨＣｌ及其组份分子的稳定构型进行了全优化。对于Ｃ２Ｈ２．ＨＣｌ和Ｃ２Ｈ４．ＨＣｌ分别得到了一种稳定的π型氢络合物，对于Ｈ２Ｃ＝ＣＨＣ≡ＣＨ．ＨＣｌ得到了顺式和反式两种可能的π型氢键络合物，此外，用ＭＰ２法对上述四种络合物作了相关能校正，得到了氢键键能分别为１３．２１７，１４．４４６，１５．５６２和     

非晶与单晶硅电解掺氢的研究

用电解方法在非晶硅中掺入了原子氢，使非晶硅中悬挂键的ＥＳＲ信号明显下降，相应悬键密度由２．５×１０￣（１８）ｃｍ￣（－３）下降为８×１０￣（１７）ｃｍ￣（－３）．并发现以Ｈ＿３ＰＯ＿４为电解液时，对作为阴极的非晶硅和Ｐ型单晶硅均有轻度的腐蚀作用，在Ｈ＿２ＳＯ＿４中电解，温度高达２２０℃，对硅也无腐蚀作用．     

化学清洗中的氢损伤

报道了化学清洗中氢产生的原理，以及产生氢后对设备的损伤情况，讨论了在不同金属表面，不同清洗条件下氢产生的过程。     

Mg-Ni-RE贮氢合金的研究进展

综述了近几年来国内镁基稀土贮氢材料的研究进展，介绍添加不同稀土和采用不同的工艺条件对Mg—Ni合金的贮氢量、吸放氢速度等贮氢性能的影响，总结了当前Mg—Ni—RE(RE＝La，Y，Ce，Pr，Nd)贮氢合金的研究现状和需要解决的主要问题，并提出了今后应用研究的方向．     

光子晶体的能带理论

光子晶体具有光子能带,并且光子能带可能存在光子禁带。我们通过运用光子晶体的能带和禁带理论.就能够控制光在晶体中的传播。光子晶体对光子有着特殊的物理性质,它在光传输和光学器件有着广泛的用途。本文主要概述了光子晶体的概念、能带理论、性质,及光子晶体和半导体的区别和联系。     

洋葱染色体G带和R带的研究

本文报道了洋葱(Allium cepe)根尖染色体G带和R带的研究结果。本试验采用秋水仙碱前处理,用纤维酶及果胶酶去壁,用蒸气干燥法制片,应用胰酶—尿素法进行显带。结果诱导出洋葱根尖细胞染色体的两种清晰的染色质带。因两种带纹着色深浅的部位正好相反,正如人类染色体显示的G带和R带,因此我们称之为洋葱染色体的G带和R带。洋葱染色体的G带和R带在同一分裂相中每条染色体均显示带纹,带纹分布于整条染色体上,与C带带纹显然不同。     

可裂正则带

本文讨论了可裂左正则带的一些性质。利用织积给出了可裂正则带骨架的构造。     

分级粗糙集和分级知识约简

Pawlak 粗糙集模型认为一个元素要么属于一个集合,要么不属于该集合,要么可能属于该集合,把可能属于该集合的元素的全体称为边界.Pawlak 粗糙集模型对边界的研究较少.文章认为对边界的隶属度差别较小的元素以同一个量级属于边界,从而可按一个对象对边界的隶属量级对边界进行划分.基于这一思想提出了分级粗糙集模型和分级最大分布约简、分级分布约简的概念.给出了这两种约简的判定定理及辨识矩阵以及相应的核属性的等价条件.分级粗糙集模型推广了Pawlak粗糙集及变精度粗糙集模型.     

温度对生物基聚酰胺56氢键的影响

利用傅里叶变换红外光谱仪测定了升降温过程中聚酰胺56(PA56)的系列红外光谱,考察了PA56红外光谱中酰胺Ⅰ带、酰胺Ⅱ带及N—H伸缩振动谱带随温度变化的情况,分析了温度对PA56氢键的影响。研究发现,随着温度的升高,氢键键合羰基与氨基的红外吸收谱带的峰强逐渐减小,而游离羰基、氨基的红外吸收谱带的峰强缓慢增大。由此表明PA56的氢键密度随着温度的升高而降低。     

氧漂稳定剂的稳定性理论及其制备

本文详细讨论了双氧水漂白原理、氧漂稳定剂稳定机理及制备方法,指出了研究高效氧漂稳定剂的方向。     

一种带陷频带可重构超宽带天线的设计

提出了一种新的超宽带(UWB)天线,其工作频率从3.1 GHz至10.6 GHz,频带宽度达7.5GH。该天线具备4.9 GHz至5.9 GHz频带的带陷功能,可实现超宽带带陷谱与超宽带非带陷谱间的重构。该天线采用具有双阶梯下切角的平板单极子结构,其接地面上刻蚀一U型槽。在槽线的中间位置,嵌入一可控PIN二级管。该结构的特点在于U型槽、PIN管、控制单元和UWB收发系统位于同一平面,克服了异面结构中PIN控制引线对天线性能的影响,简捷而精确。该天线的设计、分析和优化采用时域有限积分技术(TD-FIT),其数值结果与测试结果的一致性证明该天线具备超宽频带的同时,可实现对特定频带的良好的带陷与重构。     

M带N周期多尺度分析

引入了M带N周期多尺度分析的概念,将传统的周期多尺度分析进行了推广.利用傅立叶变换和函数内积研究了M带N周期正交多尺度分析,得到了M带N周期多尺度分析的尺度函数空间的频域表示,以及高通滤波器系数与低通滤波器系数之间的关系和面具的初等性质.结论表明,周期小波的滤波器系数和面具是具有周期性的一族系数.     

基于故障树分析法的核电厂氢气系统爆炸危害性分析

本文针对在核电厂内广泛使用的氢气系统可能引发爆炸事故的实际情况,利用故障树分析法,对可能导致氢气爆炸的各种因素及逻辑关系进行了全面、简洁和形象的描述,查明了系统内固有的或潜在的各种危险、有害因素,并分析总结了导致氢气爆炸的主要根本原因,提出了针对这些基本原因改善系统安全性的建议,为核电厂氢气系统的安全相关设计、施工和管理提供了理论支持.     

Pb2+掺杂对Cd1-xZnxS光催化产氢性能的影响规律

采用共沉淀法制备了Pb2 掺杂的Cd0.2Zn0.8S及Cd0.8Zn0.2S固溶体光催化剂.实验结果表明,Pb2 掺杂的宽带隙固溶体Cd0.2Zn0.8S在6s轨道与固溶体的价带杂化后提升了价带位置,降低了半导体的带隙,因而提高了产氢活性.当Pb2 掺杂窄带隙固溶体Cd0.8Zn0.2 S后,形成固溶体价带附近的杂质能级,并成为光生电子空穴复合中心,因而不能提高产氢性能.因此,Pb2 对半导体的可见光改性仅适用于较宽带隙的半导体.