单电子晶体管中低频散粒噪声的特性分析

本文中，我们将双结系统的散粒噪声理论应用于单电子晶体管中，并准确地推导出两态情况下单电子晶体管噪声谱的解析表达式．进而对单电子晶体管中引起散粒噪声的因素作了简要的讨论．     

一种新型单电子-MOS晶体管混合的半加器电路

基于单电子晶体管的I-V特性和MOS晶体管的逻辑电路设计思想,提出了1个单电子晶体管和MOS晶体管混合的反相器电路,进而推导出其它基本逻辑门电路,并最终实现了一个半加器电路。通过比较单电子晶体管和MOS晶体管两者的混合与纯CMOS晶体管实现的半加器电路,元器件数目得到了减少,电路结构得到简化,且电路的静态功耗降低。SPICE验证了电路设计的正确性。     

单电子晶体管/场效应管混合存储单元数值分析

基于背景电荷不敏感单电子晶体管/场效应晶体管混合存储单元利用单电子晶体管源漏电流随栅电压周期振荡的特性工作,以半经典的单电子正统理论为基础,采用计算机数值模拟的方法,分析了背景电荷不敏感单电子晶体管/常规场效应晶体管混合存储单元的工作原理和基本特性.提出了存储单元中分别以三结电容耦合单电子晶体管和单电子旋转栅替代双结单电子晶体管的新结构,其主要思想是通过增加单电子器件中的串联隧道结数来抑制各种噪声.模拟结果表明,新结构的系统性能,特别是抗噪声性能有一定提高     

单电子晶体管/场效应管混合存储单元数值分析

基于背景电荷不敏感单电子晶体管／场效应晶体管混合存储单元利用单电子晶体管源漏电流随栅电压周期振荡的牲工作,以半经典的单电子正统理论为基础,采用计算机数值模拟的方法,分析了背景电荷不敏感单电子晶体管／常规场效应晶体管混合存储单元的工作原理和基本特性,提出了存储单元中分别以三结电容耦合单电子晶体管和电子旋转栅替代双结单电子晶体管的新结构,其主要思想是通过增加单电子器件中的串联随道结数来抑制各种噪声。模     

一种单电子晶体管的模拟新方法

基于主方程法,把单电子晶体管的稳定状态数简化为3个状态,得到了一个简捷模拟新方法,通过仿真与分析,这种新模拟方法模拟单电子晶体管I-V特性,具有合理的精确度,可用来分析SET—CMOS混合电路,这对数字逻辑电路的构造分析具有十分重要的意义。     

纳米器件中的1/f噪声分析及其低噪声化处理

阐述了纳米电子器件中1/f噪声的产生机理,分析了单电子晶体管1/f噪声产生的各种原因,并用介观效应的原理,揭示出宏观样品中产生1/f噪声的实质.最后,得出一种针对纳米单电子器件低噪声化处理的方法.     

纳米器件中的1／f噪声分析及其低噪声化处理

阐述了纳米电子器件中1/f噪声的产生机理,分析了单电子晶体管1/f噪声产生的各种原因,并用介观效应的原理,揭示出宏观样品中产生1/f噪声的实质．最后,得出一种针对纳米单电子器件低噪声化处理的方法．     

2.5 Gbit/s PHEMT前置放大器噪声分析与验证

根据OMMIC公司通过测量得到的0.2μm GaAs PHEMT器件参数模型和噪声模型,设计了2.5 Gbit/s的共源跨阻前置放大器.并根据PHEMT晶体管Y参数下的噪声模型,结合Y参数和ABCD参数下的噪声密度矩阵,分析了电路在带有晶体管噪声源情况下整个电路的噪声电压,得出了共源跨阻前置放大器等效输入噪声电流密度的理论公式.实现了芯片制作,并且对芯片进行了噪声参数的测量,测量结果、仿真结果和理论分析结论在6GHz的频率范围内基本符合.     

基于SET/MOS混合结构的奇偶校验码产生电路的设计

基于单电子晶体管(SET)的库仑振荡效应和多栅输入特性,利用SET和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS管)的互补特性,设计了基于SET/MOS混合电路的奇偶校验码产生电路.利用HSPICE对所设计电路进行仿真验证,结果表明,该电路能够实现产生奇偶校验码的功能.该SET/MOS混合电路的实现只需要1个PMOS管、1个N...     

MOS VLSI电流型模拟电子神经网络

本文提出了采用ＭＯＳ晶体管的电流型模拟电子神经网络的新实现。该电路结构非常简单，且具有ＭＯＳ ＶＬＳＩ的优点，新的神经元电路的神经态既可以是全电流型又可以是电压型。     

分形分析1/f噪声性能

电子器件的低频噪声通常由闪烁(1/f噪声)噪声、g-r噪声和爆裂噪声3种成分构成。这些噪声通常与晶体管表面状态或内部缺陷有关,其中,1/f噪声已成为对器件的质量评估及可靠性预测的重要指标。提出分形分析方法,对1/f噪声性能进行分析。仿真实验结果验证了该方法的可行性,为今后用分形理论研究器件低频噪声提供了理论依据。     

控制界面态减少表面可动电荷降低晶体管的电噪声

通过对比2688B, 2688S, 2688 3种工艺技术生产的彩色 电视机高频视放晶体管的CB结反向漏电流I_cbo和电噪声谱密度S_vcb (f), 论述了界面态和表面可动电荷能够引起晶体管表面漏电流, 从而使器件产生电噪声, 并间接影响到反向击穿电压、 小电流放大系数等参数. 实验表明, 采用合适的表面钝化技术, 可有效控制晶体管的表面漏电流, 降低晶体管的电噪声, 使器件的可靠性、 稳定性及其使用寿命得到提高.     

基于级连网络的低温放大器设计方法

为了获得低温放大电路最佳的驻波比和噪声温度,运用级联二端口网络概念,通过矩阵变换方法,给出电压驻波比、增益和噪声系数的显式公式。为分析晶体管源极电感性网络对最佳噪声设计的影响,计算了最佳噪声信源阻抗的校正公式,用于选择合适的源极匹配网络。用上述方法设计的码分多址(CDMA)频段低温微带混合型放大器,低温(77K)实际测量得输入驻波比1.3,输出驻波比1.7,增益大于18dB,等效噪声温度不大于30K,与设计相符,证明提出的优化函数和改进的噪声模型是准确的。     

低噪声四管像素CMOS图像传感器设计与实现

基于SMIC 0.18gm工艺设计了一种低噪声的四管像素结构。通过在像素内增加传输管和存储节点实现了相关双采样,可同时消除固定模式噪声和随机噪声;采用Pinned光电二极管技术大幅降低了表面暗电流。所设计像素尺寸为3.6μm×3.6μm,并将其应用于一款648×488像素阵列CMOS图像传感器,经流片测试,图像传感器信噪比可达42dB,在25℃下表面暗电流为25mV／s（转换成电压表示的）。所设计的四管Pinned光电二极管像素结构相对于传统三管像素结构,具有较低的噪声和暗电流。     

混频三极管噪声系数的新算法

根据混频三极管特殊的工作状态,即输出中频选频网络对输入载频及其附近的信号相当于短路,计算分析了输入回路的噪声源对输出的影响。依据管子内部反馈作用可以不考虑的特点,提出了混频器噪声系数的新算法。     

放大器的噪声及低噪声电路研究

1 晶体管混合п型噪声模型晶体管混合Л型噪声模型如图1所示.图中略去了 C_(b'c)和 Y_b'c.图中 E_b 是由基区体电阻Y_(bb')产生的热噪声 E_(?)是信号源内阻 R_s 产生的热噪声.I_b、I_c 分别是载流子随机发射引起基极电流 I_B 和集电极电流 I_c 瞬间起伏所产生的散弹噪声.I_f 是基极电流 I_B 流经发射结耗尽时产     

低噪声晶体管放大器的设计

以实现声频放大器低噪声化为出发点，阐述了具体设计的几个方面．从低噪声放大器设计的基本原理和方法入手，对晶体管放大器的噪声模型（Ｅｎ－Ｉｎ模型）作了分析，并推导出一种实用的最佳源电阻Ｒｓｏｐｔ近似求法．还对系统电路的低噪声设计略加探讨．     

X波段低噪声放大器设计

从获取最小噪声系数角度来进行电路设计,采用Avago公司的0.2um GaAs pHEMT工艺芯片(T=18GHz),设计了工作于X波段(9-11GHz)的两级宽带低噪声放大器。测试结果为:在9-11GHz,噪声系数小于1.15dB,最小噪声系数在9.8GHz为1.015dB,功率增益在所需频段9-11GHz大于24dB,输入和输出回波损耗均小于-10dB。     

单结管电路中的随机共振过程

为考察二阶非线性电路响应中是否存在随机共振过程 ,用噪声信号和周期信号同时激励二阶非线性单结管电路 ,并观察其响应和测量输出响应信号的信噪比。结果表明 :在一定的条件下 ,增大输入噪声的值不仅不降低输出响应信噪比 ;反而迅速增加输出响应的信噪比 ,使输出响应中周期信号的分量反而加强 ,而且输出响应的信噪比对于输入噪声的变化具有“共振”形状的曲线。从而证明了二阶非线性单结管电路不仅是混沌系统 ,也是随机共振系统 ,且随机共振响应是混沌系统一种响应模态     

改进的HEMT器件噪声等效电路模型

为了弥补 SPICE电路模拟程序中高电子迁移率HEMT器件等效电路噪声模型的缺陷 ,提高高速电路设计的精度 ,提出了一个新的用于 SPICE电路模拟器的 HEMT噪声模型 ,该噪声模型的优点在于由两个不相关的噪声电压源和噪声电流源组成 ,很容易在 SPICE程序中实现。文中给出了利用矩阵关联技术提取噪声等效电路模型参数的方法 ,实验结果说明 ,该模型主要改善了器件最佳噪声系数和噪声电阻的精度