太阳耀斑中两个独立X射线发射过程

基於Ｘ射线的观测事实，证明在太阳耀斑中存在两个独立的Ｘ射线发射过程：≤１２．５ｋｅｖ的软Ｘ射线和～２５ｋｅｖ的硬Ｘ射线及少量的高能γ用电子—离子束缚态及其发核聚变的模型给出定性解释。     

141Nd中的粒子-核芯耦合

通过^130Te(^16O,5nγ）^141Nd反应研究了141^Nd的高自旋态．建立了激发能达7614．5keV的141^Nd能级纲图，新发现了12条γ射线和15个能级．用粒子—振子模型和半经验壳模型分别计算了141^Nd的集体和单粒子激发的能级位置．根据计算的能级位置以及实验测量得到的γ跃迁强度和多极性信息，讨论了141^Nd激发态的能级结构．     

一种低能β辐射仪

本文介绍了一种低能β射线污染测量仪。 为了提高仪器量测的灵敏度，对探头做了专门改进，β射线的探测效率，对于Ｐｍ１４７（Ｅβｍａｘ＝ ２２０ｋｅｖ）为～３０％，对于Ｃ１４（Ｅβｍａｘ＝１５６ｋｅｖ）为～２０％，以及对于Ｎｉ６３（Ｅβｍａｘ＝６７ｋｅｖ）为～５％。 由于采用了新技术，如ＣＭＯＳ集成电路，并且改进了供电电源，仪器比较轻便适用。     

用快中子研究^24Na,^26Mg和^27Mg的能级寿命

把快中子用于多普勒移动衰减法（ＤＳＡＭ）研究，由＾２７Ａｌ（ｎ，ｘγ）反应伴生γ射线能谱的多普勒形状分析确定了＾２４Ｎａ，＾２６Ｍｇ和＾２７Ｍｇ三个核素中９个能级的帮助，与由库仑激发得到的结果相比有好的一致。该项研究为利用像高压倍加器这样的小型低能加速器进行核结构研究开辟了一条新途径。     

γ辐照对GaP发光二极管深能级和亮度的影响

首次应用深能级瞬态谱(DLTS)技术，研究了γ射线辐照Gap红色发光二级管深能和亮度的影响。结果表明，γ射线辐照射后，Gap红色发光二级管中的Zn-O对的浓度增大，亮度也提高。     

稳定核195Pt的高自旋态能级结构

利用非完全熔合反应192Os（7Li,（p,d,t）xn）布居了稳定核195pt的高自旋态.根据γ-γ合关系、γ射线的相对强度和各向异性度的测量结果,建立了195pt核的能级纲图,其中包括11条新的γ跃迁和9个新能级.通过与邻近核的能级系统性比较,指出了195Spt核基于vi-113/2,和vi-213/2vj-1（j=p3/2,f5/2）组态的转动带能级结构.同时,利用Total-Routhian-Surface（TRS）理论计算结果讨论了195pt核的转动带性质.     

189W衰变纲图

用14．8MeV中子同天然锇反应，取道192^O（n，α）反应产生189^W。通过放射化学分离流程，从反应产物中分出W。用高纯Ge探测器完成放射性W样品γ射线单谱的测量。在189^Re激发能级文献值的基础上并依据衰变和能级的关系以及189^W衰变的γ射线能量和相对强度的实验数据．给出了建议的189^W衰变纲图。     

多极场和脉冲星γ辐射

在Ａ－Ｓ模型的基础，讨论了脉冲星的γ射线辐射机制，考虑到偶极和四极场的作用后，给出脉冲星要成为γ射线脉冲星的判据，据此判据计算了１３颗可能成为γ射线脉冲星的光度和流量。     

含氟聚合物辐射气相接枝反应研究：Ⅰ.ESR研究PTFE预辐照…

以聚四氟乙烯为对象，在γ射线作用下，进行预辐照接枝气相丙烯酸反应。通过红外光谱表征，确认发生了含氟聚合物０气相有机单体的接枝共聚。用电子自旋共振方法，研究了ＰＴＦＥ在γ射线真空辐照作用下产生自由基浓度及特征，并用Ｘ－射线衍射仪测试了预辐照膜的结晶度变化关系，初步探讨了含氟聚合物－有机单体的辐射气相接枝引发机制，其反应条件对接枝率的影响进行了解释。     

利用(d,pγ)核反应p-γ符合技术进行深度分布分析初探

（ｄ，ｐ）核反应广泛地应用于轻元素无损分析中，特别是深度分布分析。但当样品中存在着多种轻元素或者在厚样品的情况下，对应于各种核素甚至同一核素不同能级的带电粒子峰将会相互重叠和干扰，以至于不能进行可靠的分析。作者利用（ｄ，ｐγ）核反应ｐ－γ符合技术，通过测量与伴随γ射线相符合的带电粒子谱（质子谱），进行深度分布分析。结果表明，此符合技术能极大地降低本底，排除干扰，得到满意的结果。     

含氟聚合物辐射气相接枝反应研究Ⅰ.ESR研究PTFE预辐照接枝气相丙烯酸反应

以聚四氟乙烯（ＰＴＦＥ）为对象，在γ射线作用下，进行预辐照接枝气相丙烯酸反应．通过红外光谱（ＩＲ）表征，确认发生了含氟聚合物－气相有机单体的接枝共聚．用电子自旋共振（ＥＳＲ）方法，研究了ＰＴＦＥ在γ射线真空辐照作用下产生自由基浓度及特征，并用Ｘ－射线衍射仪测试了预辐照膜的结晶度变化关系，初步探讨了含氟聚合物－有机单体的辐射气相接枝引发机制，其反应条件对接枝率的影响进行了解释     

铜的全套中子核反应数据的理论计算

用光学模型和核反应多步过程的半经典理论，计算了入射能量在１．０ｋｅｖ－２０ｍｅＶ的中子与＾８３Ｃ，＾６５Ｃ和＾ＮａｔＣｕ相互作用的全套核反应数据，计算结果与评价实验数据比较，符合较好。     

TDF对~（60）Co－γ线诱发淋巴细胞微核发生率的影响

ＴＤＦ（５，３′，５′－三羟基－７－甲氧基，二氢黄酮）能抑制~（６０）Ｃｏ－γ射线低剂量所引起的人离体外周血淋巴细胞的微核发生率，助溶剂ＤＭＳｏ无明显的抑制作用。     

中、低角区煤的X射线衍射特点初探

本文首次较为系统地研究了不同变质程度的煤，在低角区和中角区的Ｘ射线衍射特点。指出随着变质程度的提高，１６×１０－（１０）ｍ峰和（００２）峰强度逐渐增高，而γ带强度降低，低变质煤未见１６×１０－（１０）ｍ峰，高变质煤中γ带不明显；随着变质程度提高，１６×１０－（１０）ｍ峰、γ带峰、（００２）峰的晶面间距均减小，１６×１０－（１０）ｍ峰减小幅度较大，（００２）峰减小幅度较少。基于以上分析，对其形成机理进行了初步探讨。图６，参７。     

羰基钴催化羰化炔烃合成γ—酮酸

γ－酮酸是重要的有机合成试剂，某些γ－酮酸具有生理活性．在相转移条件下，炔烃经羰基钴催化羰化合成γ－酮酸，并初步探讨了其反应机理．     

表面钴改性γ—Fe2O3磁粉的结构表征

利用广廷Ｘ射线精细结构和Ｘ射线吸收近结构技术，结合高分辨电镜和磁性能测量，研究了各种还原温度处理后的包钴型γ－Ｆｅ２Ｏ３磁粉的微结构与磁性能的关系。结果表明，还原温度对包钴型γ－Ｆｅ２Ｏ３磁粉的表面层结构的形成，转变影响很大，３５０℃左右的热处理能够形成较理想的表面层结构，增大磁各向异性，从而大幅度提高期矫顽力。     

14.9MeV中子和天然铜相互作用中γ辐射的精细研究

利用快中子核反应的全γ辐射测量技术研究了 14 9MeV中子与天然铜反应在 5 5°和90°这 2个角度上的分立γ射线谱 ,由高分辨γ分析程序识别了 10 7条谱线 ;定出了每条谱线在这 2个角度上的微分截面以及相应的反应类型和跃迁能级 ,发现谱线主要来自6 3 Cu(n ,2nγ) 6 2 Cu ,6 5Cu(n ,2nγ) 6 4Cu ,6 3 Cu(n ,n′γ) 6 3 Cu等反应道 .通过分析天然铜的活化本底谱 ,可以看出它是快中子核反应中的最理想的屏蔽材料之一 .     

HuIFN－γ／HuTNF－β重组双功能杂交蛋白的分离和初步纯化

本文对Ｅ．ｃｏｌｉＨＢ１０１菌株的外源基因表达产物＂人γ－干扰素／人β－肿瘤坏死因子重组双功能杂交蛋白＂（ＨｕＩＦＮ－γ／ＨｕＴＮＦ－β简称γＴＮＦβ）进行了分离和初步纯化，并将产物作了抗病毒和细胞毒活性检测。结果表明，此初步纯化的γＴＮＦβ的细胞毒活性为１．４×１０６ｕ／ｍｇ·ｐ；抗病毒活性为１．７×１０６ｕ／ｍｇ·Ｐ。这一方法的建立，为进一步分离纯化γＴＮＦβ打下了基础。     

^138Ce的高自旋态与扁椭集体转动带

通过重离子熔合－蒸发反应＾１２４Ｓｎ（＾１８Ｏ，４ｎ）＾１３８Ｃｅ研究＾１３８Ｃｅ的高自旋态结构，实验在中国原子能科学院Ｈ－１３串列加速器上进行，束流能量为７８ＭｅＶ，经过γ－γ符合及方向关联比率ＤＣＯ的分析，建立了＾１３８Ｃｅ新的高自旋态能级图，发现了两个扁椭形变集体转动速，并对这种扁椭集体带的特性进行了讨论。     

表面钴改性γ－Fe_2O_3磁粉的结构表征

利用广延Ｘ射线精细结构和Ｘ射线吸收近边结构技术，结合高分辨电镜和磁性能测量，研究了各种还原温度处理后的包钴型γ－Ｆｅ＿２Ｏ＿３磁粉的微结构与磁性能的关系。结果表明，还原温度对包钴型γ－Ｆｅ＿２Ｏ＿３磁粉的表面层结构的形成、转变影响很大，３５０℃左右的热处理能够形成较理想的表面层结构，增大磁各向异性，从而大幅度提高其矫顽力。