KNbO_3 180°畴的第一性原理计算

利用第一性原理计算方法,考察铁电材料KNbO3的180°畴结构,并计算以K和Nb原子为对称中心的畴壁厚度、畴壁能及两种畴壁间移动的势垒高度.结果表明:该材料的畴壁厚度为1~2个晶胞常数;以K原子为对称中心的畴壁更稳定,其畴壁能为7.58 mJ/m2;以Nb为对称中心的畴壁不稳定,会逐渐变为以K为对称中心的畴壁,其畴壁能为15.16mJ/m2;畴壁移至最近邻晶格位置的势垒值为7.58mJ/m2.     

金属间化合物Ni3Al反相畴界能及层错能的改进分析型嵌入原子法计算

采用改进分析型嵌入原子法(modified analytical embedded atom method,MAEAM),计算了L12型金属间化合物Ni3Al的层错能及可能存在的3种反相畴界(001)(、011)和(111)的畴界能,其数值分别为16.43、61.77、78.22和132.50 mJ/m2.从能量最小化考虑,在越过居里点(Tc=1 395℃)的降温过程中,金属间化合物Ni3Al发生无序与有序相变的最可几界面依次为堆垛层错、(001)(、011)和(111)反相畴界.     

La0.7Ca0.3MnO3材料中取向畴结构的电镜研究

利用透射电子显微镜(TEM)及高分辨电子显微镜(HREM)研究了庞磁电阻材料La0.7Ca0.3MnO3(LCMO)中的取向畴结构.电子衍射结果表明,块体LCMO材料中只存在正交相(Pnma),其衍射指数满足消光条件:0kl,k+l=2n+1;hk0,h=2n+1;h00,h=2n+1;0k0,k=2n+1;00l,l=2n+1.在晶粒中可观察到两种典型的取向畴形貌,分别为无定形和楔形.高分辨观察结果还发现,LCMO畴界均为不平直界面,由一些低能量高指数界面组成.     

与畴界有关的介电损耗、介电常数和内耗研究Ⅱ.理论部分

提出了畴界与外场、晶格及缺陷间的互作用模型以及畴界间的互作用模型,并在该模型基础上,系统地解释了与畴界运动有关的介电损耗、介电常数的和内耗(f=1KHz～10KHz)。本文还对介电损耗的理论和实验结果进行了比较     

剪切方式对冷轧无取向硅钢边部磁畴的影响

为提高无取向硅钢导磁性能,研究了不同剪切方式对无取向硅钢剪切处磁畴结构的影响。利用纳米磁流体观测无取向硅钢剪切后边部磁畴结构。结果表明,硅钢无论在机械剪切还是线切割后的边部磁畴都会发生不同程度的改变:线切割对边部磁畴结构改变较小,边部磁畴分布均匀且连续,在距边缘0～20μm范围内出现磁畴宽度变小现象;机械剪切对磁畴的改变较为严重,剪切处磁畴零乱且不连续,在距边缘20μm处仍难以观察到完整的磁畴结构。     

拉应力对磁畴壁运动及磁声发射行为的影响

本文观察了晶粒取向3%Si-Fe在外加拉应力和磁场作用下,磁畴壁的运动及声发射强度(MAE)变化的一些现象.当应力较小时,MAE(RN)随应力变化较复杂,在大应力下,MAE(RN)显著降低.在硅钢片中,磁畴结构随拉应力的变化特性与产生的MAE有良好的对应性.取向纵向硅钢片沿轧向磁化时,180°条状畴会随场强变化而在某位置附近左右转动.磁畴受拉应力时产生分裂,其分裂速度是不连续的.当σ>200MPa时,条状畴似乎又有一定程度的宽化.     

激光局部氮化改善取向硅钢磁畴结构分布

采用激光氮化方法(LN方法)对取向硅钢表面进行局域线状氮化处理,引入气态氮作为合金化元素,研究了激光工艺参数对硅钢表面氮化物形成的影响·对传统观察磁畴的方法进行了改进,研制了一种新型的Fe3O4磁流体,这种磁流体不仅能进行适时观察磁畴结构,而且还实现了带膜磁畴观察·利用XPS方法及Fe3O4磁流体磁畴观测方法对处理后的样品进行了检测及磁畴观察·结果表明:通过控制激光工艺参数可实现取向硅钢的激光氮化,在取向硅钢表面生成了Fe4N和Fe3N两种氮化物;氮化处理后,硅钢片的磁畴结构有所细化,从而可以改善取向硅钢的性能,降低取向硅钢的铁损;氮化样品经600℃,...     

聚丁二炔的结构相变

利用一个简单的连续模型去研究聚丁二炔的结构相变,对于其中的σ电子和π电子分别处理.在聚丁二炔链上,当出现从PDB相向PDA相转变时,会出现一个畴壁和反畴壁,这个相变的出现主要是由于π电子重新分布的结果.我们把畴壁(反畴壁)当作元激发来处理,详细分析了相变过程,计算了畴壁(反畴壁)的结合能,成功能解释了如下的实验事实:在低温下PDA相比PDB相更稳定,并且会自发地发生从PDB向PDA的相变.     

Fe基合金薄带磁畴结构的MFM研究

利用磁力显微镜(MFM)观测了550℃自由退火和张应力(δ=170 MPa)退火的Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9合金薄带表面磁畴结构.发现自由退火样品表面畴结构是迷宫畴,应力退火的为片状畴.并采用立体测量法测量了迷宫畴的畴宽为203 nm,片状畴的畴宽为214 nm.认为样品结构的差异可能是张应力退火所引起的α-Fe(Si)纳米晶粒的方向优势团聚所致.     

原子级模拟在四方SrTiO3畴壁能计算中的应用

利用原子级计算机模拟对四方ＳｒＴｉＯ３中畴壁能进行了研究。在经典Ｂｏｒｎ模型基础上用来描述离子晶体的原子级模拟,其能量表达式由长程库仑势和短程排斥势构成。后为一含参数表达式,式中参数可由晶体的晶格常数、晶体结构和弹性常数等实验数据拟合得出。四方ＳｒＴｉＯ３由高温立方ＳｒＴｉＯ３相变而来,应存在反相畴界、孪晶界和平移孪晶界等３种畴界。本用原子级模拟的技术对这３种畴界能进行了计算。结果表明畴界能尤