调制晶体光学均匀性的扫描测量法

调制晶体的性能好环,通常是由半波电压和消光比这二个量来表征的。而消光比往往与晶体的光学均匀性有关。本文介绍了一种可用于测量晶体的双折射率梯度、消光比、半波电压以及双折射率随温度变化的自动扫描装置及工作原理。该方法和其他方法相比具有测量速度快,重复性好,及误差小等优点,并可以从扫描曲线上直接定性地判别晶体的光学性能的好坏,文章最后还做了双折射率梯度及消光比的测量,并对实验结果进行了讨论。     

溅射制备NiTi薄膜的马氏体相变

研究溅射制备的NiTi薄膜的马氏体相变行为．电阻随温度的变化曲线以及变温X射线衍射实验表明,当温度由400℃连续下降到-180℃时,NiTi薄膜发生了B2→R→B19'以及B2→B19'相变．     

视觉工作记忆容量与注意控制的研究

目的:探索视觉工作记忆(working memory,WM)容量的个体差异与注意控制的关系,研究其个体差异的脑机制.方法:采用延迟样本匹配任务观察16名受试者在3种刺激项目条件下诱发的事件相关电位(event-related potentials,ERP)变化特点,ERP分析结果利用F值的统计参数影像(statistical parametric mapping,SPM)呈现.结果:视觉WM高低容量组在顶、枕部所诱发的负向慢波的波幅存在差异,F值的SPM显示两组差异的显著效应主要发生在前额区.结论:视觉WM容量的个体差异和个体排除信息中干扰的能力有关,其差异相关的脑功能区可能在前额区.     

室温—100℃范围内LiNbO_3 晶体的声速反常变化的研究

用脉冲回波重迭法测量了不同切向的LiNbo_3晶体的声速随温度的变化。实验结果表明在50℃和75℃附近,声速有反常变化、声速的变化虽然没有趋向于零的软化现象,但有有限的突变。此外还表明序数Qi和应变∈_k的耦合属于~2∈类型。本文还讨论了序参数。     

Nd_(0.9)La_(0.1)P_5O_(14)的铁弹相变内耗

用压电振子在50KHz、120KHz和150KHz测量了Nd_(0.9)La_(0.1)P_5O_(14)(下面简写为NLPP)的内耗(Q~(-1))温度谱。在室温到150℃范围内,升温和降温均测到一个内耗峰,峰温分别在140±2℃和130±2℃,且內耗峰恰好对应着共振频率的极小值。显微热台观察,热循环的影响以及振幅效应等实验表明千周范围内该内耗是界面运动所引起的。     

NiTi单晶的超声衰减研究

用超声衰减法和DSC法研究了NiTi合金在230～380K温区的相变行为,观测到4个与相变有关的内耗峰.     

Ni47Ti43Hf10高温形状记忆合金的相变内耗

用内耗(Q-1)、电阻法研究了Ni     

我国移动电子商务发展趋势研究

介绍了移动电子商务的含义和特点,从移动电子商务的现状入手,分析了移动电子商务发展的制约因素,着重探讨了我国移动电子商务发展的趋势。     

溅射制备NiTi薄膜的表面组态对晶化热处理的影响

溅射制备的NiTi薄膜因其在智能薄膜系统中的广泛应用而受到重视.通常情况下,溅射制备获得的NiTi薄膜是非晶.而非晶Ni-Ti薄膜没有形状记忆效应,因此要进行晶化热处理.但是,在较高温度和/或较长时间下晶化热处理时,我们发现有挥发物出来.分析结果表明其成分为Ti,在仪器的测量误差范围内,没有探测到Ni的存在.Ti的挥发导致表面腐蚀,并使薄膜的质量下降.如果假设NiTi薄膜的表面与内部组分是均匀一致的.那么,根据平衡蒸气压原理,就应该在挥发物中同时测量到Ti和Ni的成分.因此,只有弄清这个问题,才能够有目的地改进制备工艺.为获得高质量的薄膜打下基础.