首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到16条相似文献,搜索用时 109 毫秒
1.
以绿色无毒、生物相容性好的羧甲基纤维素钠为稳定剂,通过简单过程成功地在水相中制备了CdSe量子点(QDs).用TEM、XRD、XPS表征的结果表明:所制备的CdSe量子点近似于单分散,平均粒径为2.1nm.UV—Vis和荧光(PL)光谱表明:控制反应物se前躯体的量可有效调控量子点粒径,实现量子点在480—560nm荧光可调,且量子点具有窄且对称的荧光光谱.量子点与Schiff碱相互作用表明:Schiff碱在一定范围内能有效增强量子点荧光,过量的Schiff碱却能淬灭量子点的荧光.  相似文献   

2.
以巯基丙酸(MPA)为稳定剂,CdSe量子点为核,在水相中合成了具有较高荧光量子效率和化学稳定性的Ⅱ型核壳半导体量子点.通过荧光光谱、紫外-可见光吸收光谱和X-射线衍射方法对该CdSe/ZnTeⅡ型核壳量子点的光谱性质和结构进行了表征,证明:CdSe/ZnTeⅡ型核壳量子点的荧光发射光谱在500—573nm连续可调,半峰宽为40~50nm,荧光量子产率高达6.8%;粒型为球形,粒径约3.2nm,且粒径分布均匀;晶体结构为立方晶型.  相似文献   

3.
CdSe量子点的制备及其被聚乳酸包被的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
以巯基乙酸为稳定剂,制备CdSe量子点,并考察聚乳酸对量子点的包被.采用透射电镜对CdSe量子点被聚乳酸包被前后的形貌进行观察,采用X射线粉末衍射、紫外可见吸收光谱、荧光光谱和荧光显微镜对产物进行分析和表征.研究结果表明:CdSe为闪锌矿型(立方形)的球形纳米晶,量子点的平均尺寸为4 nm,具有明显的量子尺寸效应和较强的荧光强度;组装聚乳酸的量子点相对于纯的量子点尺寸明显增大(40 nm),荧光强度有所增强,且量子点被包裹在内核,具有明显的核壳结构.  相似文献   

4.
以巯基丁二酸为稳定剂,二氧化硒为硒源,合成高质量水溶性CdSe量子点.采用反相微乳液技术,制备以CdSe量子点为核的SiO2荧光纳米颗粒.在pH值为11.0的碱性条件下,当nCd∶nSe∶nMSA=1∶0.2∶1.4时,在540 min时间内,可获得荧光发射峰在531~554 nm范围内连续可调CdSe量子点,最高荧光量子产率值可达14.7%.分别用紫外-可见光谱、荧光光谱、X射线粉末衍射和透射电镜等对CdSe量子点进行表征,用荧光光谱、透射电镜、红外光谱等对CdSe/SiO2荧光纳米颗粒的性能进行表征.  相似文献   

5.
以CdCl2·2.5H2O,Na2SeO3和NaBH4为反应物,制备3-巯基丙酸稳定的CdSe量子点.研究了加热回流时间、镉和硒的物质的量及镉和3-巯基丙酸的物质的量之比等实验条件对CdSe量子点光谱性能的影响.采用紫外-可见光谱、荧光光谱、X射线粉末衍射和高分辨透射电镜等分析手段,对量子点的光学性能和结构进行表征.结果表明,反应时间、镉和硒的物质的量及镉和3-巯基丙酸的物质的量之比等实验条件对CdSe量子点的光谱性能有明显影响;不同条件下制备的量子点的荧光发射峰的半峰宽保持在35~40 nm范围内;所得CdSe量子点为立方晶型.在pH值为11.0,且nCd∶nSe∶nMPA=1∶0.2∶1.1的条件下,回流90 min制备的量子点的荧光量子产率值可达16.1%.  相似文献   

6.
硒化镉(CdSe)量子点具有荧光量子产率高、稳定性好以及光谱易于调节等优点,在发光二极管、太阳能电池及荧光标记等领域有着广阔的应用前景,而研究不同工艺条件对其性能的影响具有重要意义.以金属氯化物为Cd和Se源,以巯基丙酸(3-MPA)为包覆剂利用水相回流反应法在100 ℃下反应120 min制备了系列CdSe量子点,并讨论了不同Cd与Se比例时样品的形貌、带隙及光学性能的变化.CdSe量子点的尺度在2.19~2.57 nm,最强激发峰位于431 nm,发射峰位于561 nm,吸收光谱带边从460 nm蓝移到450 nm,表明样品在合成过程中,Cd与Se比例对样品的性能有一定的影响.  相似文献   

7.
结合稳态和时间分辨光谱技术,研究了CdSe量子点与富勒烯C60构成的模型太阳能电池体系中,荧光发射猝灭以及基态漂白恢复的动力学过程,发现二者间的荧光猝灭是由CdSe量子点与C60间的光致电子转移所引起的,并且电子转移的速率随着量子点粒径的增大而减小:4.3×10~9 s-1(3.0 nm),1.1×10~9s-1(3.5 nm),0.60×10~9 s-1(4.0 nm).该结果为设计、构筑以CdSe量子点为中心的光电转化体系,以及提高其光电转化效率提供了实验依据.  相似文献   

8.
以NaHSe为硒源,以聚酰胺-胺树形分子(PAMAM)为内模板,在水溶液中制备了尺寸均一、分散良好、荧光性强的CdSe量子点.分别用紫外-可见吸收光谱、荧光发射光谱和高分辨透射电镜对树形分子包裹的CdSe量子点进行表征.结果表明:在紫外光的激发下,树形分子与CdSe量子点间发生了强烈的界面电荷转移作用.质子化后整代数树形分子模板作用优于半代数树形分子.高代数树形分子的模板作用优于低代数树形分子.pH在7.5时,纳米簇粒径小而均匀,且溶液稳定性高.改变Cd2+与PAMAM物质的量比,可得到一系列尺寸不同、发光颜色不同的CdSe量子点.0℃低温时制备的量子点光致发光效率最高.  相似文献   

9.
以氯化镉、二氧化硒及硫化钠为原料在水相中直接合成巯基乙酸稳定的CdSe/CdS核壳型量子点,对所合成的核壳量子点的晶体结构、形貌特点及光学特性进行了X线粉末衍射(XRD)、高分辨透射电镜(HRTEM)、紫外可见吸收光谱(UV-vis)和荧光光谱(PL)表征.XRD结果表明合成的CdSe/CdS核壳量子点表现出显著的立方晶系结构CdS的特征峰;TEM结果显示所合成的量子点形貌呈近球状,直径大约6nm.CdSe/CdS量子点发射黄色荧光,其荧光强度是CdSe的10倍左右.将CdSe/CdS量子点与蓝光InGaN芯片组合得到白光发光二极管(LED),所得白光LED的显示指数为77.1,与当前商业用的YAG白光LED相当,说明所合成的CdSe/CdS核壳量子点可作为白光LED备选荧光材料.  相似文献   

10.
首次利用油酸-液体石蜡原位构筑CdSe核-ZnS壳结构复合量子点材料.透射电镜显示了CdSe核-ZnS壳结构;紫外可见光谱、荧光光谱及激光共聚焦等结果,表明所制得的CdSe核-ZnS壳结构复合量子点材料具有明显的增强量子点的荧光效率的特点.  相似文献   

11.
分别使用Na2SO3和NaBH4制备Se的前驱体,进一步合成了两种发射不同波长荧光的CdSe/ZnS量子点。采用X射线衍射、荧光光谱、紫外光谱、透射电镜等表征手段,比较了2种体系制得量子点的性能,并考察了包裹反应时间、反应物配比对性能的影响。结果表明,NaBH4体系得到的产物纯度更高,量子点粒径更小,且在反应速度和荧光强度两方面均优于Na2SO3体系;增加巯基乙酸,CdCl2·2.5H2O和NaBH4的量有助于荧光强度的提高,而Na2SO3的量对荧光强度影响不。  相似文献   

12.
The fact that the photoluminescence properties of quantum dots are always strongly influenced by the environment limits the scope of further progress in the field of QD’ bio-applications. In this paper, the effects of immunoglobulin G (IgG) on the photo-luminescence properties and stability of water-soluble CdSe/ZnS core-shell quantum dots coated with amphiphilic poly (acrylic acid) (PAA) are studied. Photoluminescence (PL) spectra, UV-vis spectra and excited state lifetime measurements are used to characterize the influence of different protein molecules, such as IgG (goat anti-human IgG, rabbit anti-human IgG, human IgG, and goat anti-human IgG-human IgG conjugates), avidin and bovine serum albumin (BSA) on the PL properties of QDs. The PL intensity and stability of CdSe/ZnS are largely enhanced compared to that of pure CdSe/ZnS QDs when the IgG molecules are added into the QD solution. The PL intensity increases with increasing the IgG concentration, but there appears no influence on the PL peak and a full width at half maximum (FWHM). The PL evolution of QDs as a function of different protein molecules depends on the structure of protein molecules, which is used as a sensor to recognize human IgG. It is inferred that the interaction between PAA coating layer and IgG molecules results in the enhancement of PL intensity. The study of the effect of pH and ion strength on optical properties of QD-IgG mixed solution, compared with the pure QD solution, suggests that pH value and ion strength do not destroy the interaction between the PAA coating layer and IgG. Excited state lifetime analysis indicates that the PL enhancement comes from the passivation of surface of the QDs with the PAA coating layer. IgG molecules have no effects on the properties of the biological system but can increase the stability and PL intensity of CdSe/ZnS QDs, which will enlarge the application of QDs in biomedicine and other fields.  相似文献   

13.
水相合成了巯基丙酸(MPA)和对巯基水杨酸(MSA)双修饰的CdSe量子点,优化了量子点的合成条件并对其进行表征,探讨了量子点的毒性并成功将其应用于标记绿豆幼苗中水杨酸受体.结果表明,在pH为11.30,Cd:Se:MPA:MSA的摩尔比是1:0.5:2.5:1,反应温度为90℃时回流45min,量子点荧光强度最好;双修饰量子点分布均匀,粒径约为3-4nm;相对巯基丙酸单修饰量子点,其紫外可见吸收光谱出现红移,荧光强度明显增强,激发波长和发射波长ex/em为365/540nm;双修饰量子点的毒性比单修饰量子点有所降低;标记实验表明绿豆幼苗水杨酸受体主要存在于根部.  相似文献   

14.
LSS体系合成CdS半导体量子点   总被引:1,自引:1,他引:0  
用LSS体系制得了CdS半导体量子点,采用X射线粉末衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)等测试手段对产物进行了表征.以油酸和乙醇为液相(L),油酸钠为固相(S),乙醇和含Cd2+的水溶液为溶液相(S),构成LSS体系.体系中以硫化钠为硫源在180 ℃恒温4 h,在L-S相界面处形成CdS量子点.制得的量子点具有良好的形貌,外形规则,为立方晶系结构,直径大约为4 nm.对CdS量子点的紫外-可见吸收光谱和荧光光谱进行了分析.  相似文献   

15.
Water-soluble CdSe quantum dots(QDs) were synthesized in aqueous solution with thioglycollic acid as stabilizer.CdSe QDswere characterized using Transmission electron microscopy(TEM),UV-Vis absorption spectrum(UV-Vis) and fluorescence spectra(FL).The characterization results indicate that as-synthesized CdSe QD was uniform at about 3.5 nm.  相似文献   

16.
以单-(6-巯基)-β-环糊精作为修饰剂,在水溶液中合成了稳定的CdSe量子点(CdSe/CD QDs),并系统考察了溶剂的种类及加入量对量子点纯化效果的影响.同时研究了该量子点在2种细菌标记及分子识别的应用.结果表明:2倍体积的乙腈完全沉淀CdSe/CD QDs所用的时间最短,纯化后荧光强度略有增强.CdSe/CD ...  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号