ZnO-玻璃系压敏电阻材料研究

研究了不同种类的玻璃料对ＺｎＯ－玻璃系压敏电阻电性能的影响．实验表明加入Ｇ３ 玻璃料制得的样品具有较好的电性能，并有很高的工作稳定性．还研究了ＺｎＯ－玻璃系压敏电阻的微观结构和介电性能     

ZnO—玻璃系压敏电阻材料研究

研究了不同种类的玻璃料对ＺｎＯ－玻璃系压敏电压性能的影响，实验表明加入Ｇ３玻璃制得的样品具有较好的电性能，并有很高的工作稳定性，还研究了ＺｎＯ－玻璃系压敏电阻的微观结构和介电性能。     

高储能密度钛酸钡基复合材料

 高介电常数介电材料在储能方面的特殊作用使其在电工、电子技术领域有着重要的应用。随着电子工业的发展,高储能密度介电材料受到越来越多的关注,出现了一些新型的高储能密度介电材料。高储能密度介电材料具有高的介电常数和击穿强度,其发展的关键是提高储能密度。本文对近年来高储能密度介电材料的研究发展进行了概述,主要讨论了通过对钛酸钡的改性(即掺杂改性、表面包覆改性和复合材料制备)来提高介电材料的储能密度。分析了钛酸钡/聚合物复合材料的制备方法及其介电性能的影响因素,其中,陶瓷填料和聚合物基体2相界面的相容性是复合材料介电性能的重要影响因素。同时,指出了解决BaTiO₃粒子在聚合物基体中的分散问题、填料和聚合物基体的选择以及制备过程中工艺条件的控制都是研究兼具高介电强度和高介电常数复合材料的发展方向。     

玻璃—细晶BaTiO_3MLC瓷料的介电性能

研究了不同含量的玻璃加入到细晶 Ba Ti O3及多层陶瓷电容器 (简称 ML C)资料系统中 ,其介电性能的变化 .结果表明 ,加入适量的玻璃能显著地降低烧结温度 ,系统的介电系数随温度变化平坦 ,改善了系统的热稳定性 .然而 ,过量的玻璃将会引起瓷料系统损耗的增加 ,绝缘电阻的减小 .玻璃成分含量不同的瓷料组分的研究表明 ,加入玻璃的量应控制在质量分数 5 .0 %左右 ,这样既能有效的降低系统的烧结温度 ,同时又可以使瓷料系统保持相对较高的介电常数 ,从而得到最佳的介电性能 .     

玻璃——细晶BaTiO3 MLC瓷料的介电性能

研究了不同含量的玻璃加入到细晶ＢaTiO3及多层陶瓷电容器（简称ＭＬＣ）资料系统中,其介电性能的变化。结果表明,加入适量的玻璃能显著地降低烧结温度,系统的介电系数随温度变化平坦,改善了系统的热稳定性。然而,过量的玻璃将会引起瓷料系统损耗的增加,绝缘电阻的减小。玻璃成分含量不同的瓷料组分的研究表明,加入玻璃的量应控制在质量分数５．０％左右,这样既能有效的降低系数的烧结温度。同时又可以使瓷料系统保持相对较高的介电常数,从而得到最佳的介电性能。     

Pb,Ba对微晶玻璃的微波介电性能的影响

在SiO2-Al2O3-MgO-La2O3微晶玻璃系统中,研究了以BaO取代MgO、PbO取代La2O3对微晶玻璃系统微波介电性能的影响,并用微扰法对样品进行了介电性能的测试。结果表明:添加BaO对系统的介电性能影响不大;当PbO的质量分数为10%时,介电常数有较大提高,样品的Q值仍保持较高值,说明PbO的加入并没有增大介电损耗。实验中得到的最佳样品的性能为:εr=15.68,Q=2598,τf=75.9×10-6/℃。     

透微波AlN-BN复合陶瓷介电性能研究进展

简述了透微波材料的介电性能要求,综述了AlN-BN复合陶瓷材料介电性能的研究进展,分析讨论了AlN-BN复合材料的制备工艺、极化机理、影响因素,最后对改进AlN-BN复合材料的介电性能的研究方向提出了展望.     

掺La对PMN基陶瓷电致应变及其温度稳定性的影响

采用NaCl-KCl熔盐法制备了掺镧的PMN基陶瓷并研究镧掺杂对PMN基陶瓷的相结构、介电性能、电致伸缩性能及其温度稳定性的影响．实验结果表明，随着镧含量的增加，陶瓷的钙钛矿相含量、介电常数、纵向电致应变逐渐减小，但陶瓷的介电性能和电致应变的温度稳定性却得到了改善．分析了掺镧改善其温度稳定性的原因，是由于掺镧增加了A位、B位成分不均匀性所致。     

铁电复合材料介电性的研究现状

在材料研究领域中,具有电学性能的陶瓷/聚合物复合材料是一种新型的复合材料,其中具有高介电性能的0-3型陶瓷/聚合物复合材料,以其广泛的应用前景已经引起人们极大的关注.作者对近年来有关高介铁电复合材料的介电性研究进行了总结,介绍了具有高介电性能的铁电陶瓷/聚合物复合材料的介电理论模型、制备方法、介电性的影响因素、国内外的研究现状及应用,并展望了其未来的发展趋势.     

介质蜂窝等效电磁性能数值仿真分析研究

针对规则周期性介质蜂窝夹芯结构材料介电性能的等效计算,提出采用有限元数值仿真和反演计算的方法分析研究不同构型介质蜂窝单胞的几何参数对其等效介电性能的影响规律,并探讨了周期性介质蜂窝单胞的尺寸效应对介质蜂窝的等效介电性能的影响,数值结果表明周期性介质蜂窝结构材料的等效介电性能在面内具有明显的尺寸效应,随着介质蜂窝单胞数目的无限增大,介质蜂窝的等效介电性能将趋于一个均匀化值．     

二次烧成对CaO-B2O3-SiO2系微晶玻璃结构和性能的影响

研究一次和二次烧成对CaO-B2O3-SiO2(CBS)微晶玻璃的烧结性能与介电性能的影响。用X线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等分析探讨二次烧成对CBS微晶玻璃的微观结构与介电性能的关系。结果表明:与一次烧成相比,二次烧成能够促进玻璃体中的小晶粒生长,试样的收缩率和体积密度有所增加,有利于介电常数提高和介质损耗的降低,且体系中没有出现新的晶相;875℃烧结的试样,X/Y轴收缩率均为14.33%,体积密度达到2.46 g/cm3,10MHz介电常数和损耗相应为6.21和3.5×10-3,热膨胀系数为11.86×10-6/℃,抗折强度为157.36MPa。     

空间波法测介质板介电常数的实验研究

从光学原理出发，分析了空间波法测介质板介电常数时的表面反射问题，指出它对测量结果的影响与介质材料的特点及不同的测量方法有关，并结合几种低耗介质材料的测量结果，对上述分析进行了实验验证，最后还对影响测量的准确度与重复性的几个具体问题进行了讨论。     

玻璃组成对CaO-Al2O3-SiO2系玻璃烧结、晶化和性能的影响

采用烧结法制备以钙长石为主晶相的微晶玻璃.采用差热分析(DTA)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和性能测试研究玻璃组成对玻璃的烧结、晶化特性和性能的影响.结果表明:随着CaO含量的增加,玻璃转变温度和析晶放热峰温度逐渐降低,而且析晶放热峰变得尖锐;增加氧化钙降低玻璃的析晶活化能,有利于玻璃的析晶;随着SiO2量的增加,玻璃转变温度和析晶放热峰温度移向高温,使玻璃的析晶困难;玻璃样品的烧结温度随CaO含量的增加而降低, 但过多的CaO促进硅酸钙的析出,增加样品的介电常数和热膨胀系数;增加SiO2能够降低微晶玻璃样品的热膨胀系数,改善其介电性能;所制备的微晶玻璃具有相对密度高(≥98.3%),介电常数适中(6.9～7.5),介电损耗低(≤0.1%),热膨胀系数低(3.8×10-6～4.5×10-6 /℃),烧结温度(900～1 000 ℃)低,及介电常数温度稳定性低(66×10-6～113×10-6 /℃).     

成型工艺对CBS系微晶玻璃结构与性能的影响

采用干压成型和流延成型工艺制备CaO-B2O3-SiO2(CBS)系生坯。考察成型工艺对CBS微晶玻璃的烧结性能与介电性能的影响;用X线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)对试样进行表征。结果表明:与干压成型相比,流延成型体系中没有出现新的晶相,流延成型试样的体积密度和收缩率有所增加,有利于介电常数提高和介质损耗的降低;850℃烧结的流延成型试样,体积密度达到2.58 g/cm3,X、Y轴收缩率均为15.35%,10 GHz时介电常数和介电损耗分别为6.45和8×10-4,300℃的热膨胀系数为12.02×10-6K-1,抗弯强度为161.18 MPa,热导率为1.9 W/(m.K)。CBS微晶玻璃与Ag电极高温烧结后金属Ag布线断裂。金属Ag电极浆料与生料带共烧时,Ag+能够沿着基片表面不致密部分扩散,而相对致密的晶相,能够在一定程度上阻碍Ag+扩散。     

Laser-induced self-organization in Se–Te–Sn–Cd glassy semiconductor for developing novel light-sensing dielectrics

The laser-induced effects on dielectric properties of chalcogenide glass(Ch Gs) have been present in a glassy system of Se–Te–Sn–Cd for possible applications in optics and optoelectronics such as light-controlled capacitance-based touch displays. The temperature/frequency dependence of dielectric relaxation before and after laser exposure was investigated by using laser sources of different wavelengths(405 nm, 532 nm, 690 nm, and 785 nm). The result showed the presence of laser-induced residual effects on dielectric properties(dielectric constant/loss and a.c. conductivity) after the exposure of continuous-wave laser sources of chosen wavelengths.Further analysis indicates that the modification in the meta-stable state due to self-organization is the feasible mechanism of observed persistent light-sensing effects.     

铅硼硅酸盐玻璃中Al2O3含量对复相玻璃陶瓷性能的影响

以低软化点的铅硼硅酸盐玻璃和Al2O3粉末为原料,制备Al2O3/玻璃低温共烧复合玻璃陶瓷材料。考察烧结温度和添加不同质量分数的Al2O3对复合玻璃陶瓷烧结机制和微波介电性能的影响,并探讨了作用机制。结果表明:Al2O3掺入PbO-B2O3-SiO2玻璃中改善了与Al2O3陶瓷的界面润湿,对烧结有一定的促进作用。在添加质量分数为4%Al2O3的复相玻璃陶瓷、烧成温度为850℃时性能最好,其密度为3.1 g/cm3,介电常数为8.46,介电损耗为0.001 1。     

甚高频片式电感用低温烧结平面六角软磁铁氧体的电磁性能

采用BPb玻璃为助烧剂，870℃烧结Y型平面六角结构软磁铁氧体，分析其烧结工艺、显微结构及起始磁导率和介电常数的频率特性。研究发现，含Co、Zn、Cu的Y型铁氧体材料(Ba2Me2Fe12O22，Me=Co、Zn、Cu)在甚高频段具有良好的磁性能，采用BPb玻璃为助烧剂可有效地实现此种材料的低温烧结，并大大改善其介电性能。     

聚合物基复合介电材料的研究进展

具有高介电常数、低介电损耗的柔性聚合物基复合材料在电子电气行业和能源等领域有重要的应用前景。本文结合国内外近年来在这一领域的研究成果,对聚合物基高性能复合介电材料的研究进展进行了介绍。根据填料类型的不同,重点讨论了有机填料、介电陶瓷填料和导电填料对聚合物基复合材料介电性能的影响。从填料粒子的结构尺寸、几何形貌,以及填料粒子与聚合物基体之间的界面相互作用出发,探讨了影响复合材料介电性能的因素。在此基础上提出今后的研究要更加关注纳米填料的纳米效应和多组分填料之间的协同作用。