贵阳乌当地区的旧司组与祥摆组

通过地层对比、岩相及生物组合分析，表明乌当地区的旧司组从田坝头到苗天之间沉积环境由潮坪－滨湖相变为砂坪－泥坪相，沉积物由灰岩夹炭质页岩渐变为石英砂岩夹灰绿色页岩。合理地解释了它们之间的关系及空间的展布规律。     

ITO纳米粉制备及表面修饰研究

以InCl3·4H2O和SnCl4·5H2O为原料,采用共沉淀法制备ITO纳米粉,并对其进行表面修饰.辅助TG-DSC、FT-IR、XRD、SEM、EDS和TEM等测试方法,研究确定了适宜的制备和表面修饰工艺条件.结果表明所制ITO纳米粉具有立方晶系结构、颗粒均匀、分散性良好、与基体相容、平均粒径为20nm左右.     

微波介质复介电常数的带状线法测量

采用工作波型为TEM的带状线谐振方法，对研制的PTFE／陶瓷／微纤维为主要组成的多元复合微波介质系列基板的复介电常数进行了测量，结果表明，对薄片状大面积基板采用带状线方法测试可以获得高精度且一致性好的数据，对微波频率相对电常数与介质损耗的机制及带状线测试产生的误差因素进行了探讨分析。     

LED封装用玻璃/Al2O3系LTCC基板材料的性能

以硼硅玻璃和Al2O3陶瓷粉料为原料,通过改变玻璃和Al2O3质量比(60∶40～40∶60),采用低温烧结法制备低温共烧多层陶瓷基板(LTCC)材料。采用热膨胀仪、电子万能试验机、导热仪、X线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和阻抗分析仪表征样品的性能。结果表明:样品在烧成温度超过650℃以后,开始出现快速的收缩。随着Al2O3含量增加,样品的密度先增加后减小,烧结收缩率减小。随着样品密度下降,样品的热导率(λ)、抗弯强度(σ)和介电常数(εr)降低,介电损耗(tanδ)恶化。当Al2O3质量分数为45%时,复相材料于875℃烧结致密,显示出较好的性能,λ=2.89 W/(m.K),σ=203.1 MPa,εr=7.66,tanδ=9.1×10-4(于10 MHz下测试)。     

探地雷达在岩溶地区桥基勘察中的应用

在贵州大多数地区为岩溶地区,在工程建设中,由岩溶引起的工程地质问题已经成为一种常见而又非常难以解决的问题。在国道主干线上海至瑞丽高速公路贵州境内镇宁至胜境关段龙滩箐分离立交0号桥台地基基础勘察中,利用探地雷达取得了良好的效果,为设计部门提供了重要的依据,同时为施工部门提供了许多合理的建议和意见。     

根据沉积相研究讨论高院断层的时代

根据贵阳乌当地区高院断层两侧早奥陶世地层的沉积相分析，首次提出了高院断层的最初形成时代为早奥陶世时期在后期的构造运动中该古断裂发生了两次显示的复活。     

BST/ MgO系铁电移相材料微波电性能的研究

采用正交设计实验方法分析了SnO2、MnCO3、Bi2O3和Al2O3添加量对BST/MgO系铁电移相材料微波电性能影响.实验结果表明：SnO2的引入促进样品烧结,有助于降低低频和微波损耗,但过多的加入会产生第二相,会使微波损耗上升.Mn受主取代Ti产生空穴等缺陷,不利于微波损耗的降低,而等价取代类似SnO2的情况,有助于降低微波损耗,但过多的加入会产生第二相,也会使微波损耗上升.Bi2O3对材料微波电性能有显著的影响,从离子半径匹配角度,Bi2O3一般出现在晶粒间,形成玻璃相,一方面促进烧结,使致密化提高,低频损耗变小;另一方面低熔点的玻璃相引起微波损耗急剧上升.Al2O3对材料电性能影响不显著.     

施主掺杂多晶(Sr,Ba)TiO_3微观结构和介电性能的研究

系统地研究了施主掺杂对多晶SrTiO_3,(Sr,Ba)TiO_3微观结构和介电性能的影响。SEM观察表明:掺杂不同施主,对多晶SrTiO_3晶粒生长起着不同的作用。施主掺杂量影响多晶SrTiO_3,(Sr,Ba)TiO_3晶凿的半导化程度及试样介电特性。     

铅硼硅酸盐玻璃中Al2O3含量对复相玻璃陶瓷性能的影响

以低软化点的铅硼硅酸盐玻璃和Al2O3粉末为原料,制备Al2O3/玻璃低温共烧复合玻璃陶瓷材料。考察烧结温度和添加不同质量分数的Al2O3对复合玻璃陶瓷烧结机制和微波介电性能的影响,并探讨了作用机制。结果表明:Al2O3掺入PbO-B2O3-SiO2玻璃中改善了与Al2O3陶瓷的界面润湿,对烧结有一定的促进作用。在添加质量分数为4%Al2O3的复相玻璃陶瓷、烧成温度为850℃时性能最好,其密度为3.1 g/cm3,介电常数为8.46,介电损耗为0.001 1。     

Ni-Zn共掺对(Mg0.95Ca0.05)TiO3陶瓷介电性能的影响

采用固相反应法制备(Mg0.95Ca0.05)TiO3陶瓷,探讨Ni-Zn共掺对(Mg0.95Ca0.05)TiO3陶瓷物相组成、微观结构和介电性能的影响。研究结果表明:复合添加NiO和ZnO,可在一定程度上抑制第二相MgTi2O5的产生,并能有效地降低烧结温度至1 300℃。当NiO和ZnO添加总量(质量分数)为2%,w(NiO)/w(ZnO)为0.5%:1.5%时,陶瓷在1 300℃烧结获得最佳介电性能:介电常数εr=20.39,7.67 GHz时的介电损耗tanδ=2.01×10-4,频率温度系数τf=-1.72×10-6/℃。