磁记录材料及其测量

综述了磁记录的几种记录模式的特点、磁记录介质和磁头材料的种类、性能以及对它的要求;同时简述了磁记录的工作原理和目前国内外的研究现状和前景;最后介绍了磁性薄膜介质的厚度、晶体结构、形貌、成分和磁性能等主要参数的测量方法。     

磁记录与磁光记录

信息的可擦重写磁光记录方式克服了磁记录方式信息密度较小的缺点,本文从磁记录原理出发介绍了磁光记录的原理及其近期发展,概述了这两种技术对记录介质的技术要求,并对记录材料的最新进展进行了述评．     

高密度硬盘介质基本磁特性参数高精度测量

分析了影响VSM精确测量高密度硬盘介质磁基本特性参数的几个因素——仪器定标、检测线圈安装位置、锁相放大的时间常数、外加磁场的扫描周期、盘基衬底噪声和退磁场等，在综合考虑并消除诸因素的影响后，使自制高密度硬盘盘片介质的磁基本特性参数获得了较高精度，通过本VSM测试系统，得到磁记录介质的平滑磁滞回线，通过多次测量，由磁滞回线计算的磁基本特性参数相对误差小于1％．     

磁存储的研究现状及发展方向

磁性存储是最常用的大容量存储技术。其记录密度越来越高，发展也越来越快。通过对信息记录、读出和存储3个过程的分析，对硬磁盘记录、垂直磁记录和磁光记录的优缺点作了对比。指出了采用垂直记录模式、非晶结构合金薄膜或铁氧体薄膜介质是实现超高密度记录的方向，光辅助磁记录是很有希望的记录技术。还指出量子磁盘技术是未来极高密度记录的方向。     

磁存储的研究现状及发展方向

磁性存储是最常用的大容量存储技术,其记录密度越来越高,发展也越来越快。通过对信息记录, 读出和存储3个过程的分析,对硬磁盘记录。垂直磁记录和磁光记录的优缺点作了对比,指出了采用垂直记 录模式,非晶结构合金薄膜或铁氧体薄膜介质是实现超高密度记录的方向,光辅助磁记录是很有希望的记 录技术。还指出量子磁盘技术是未来极高密度记录的方向。     

高密度磁盘的热衰减现象研究

随着计算机网络与多媒体技术在全球范围内的迅速发展,需要超大容量的外存储装置.而这就需要减小记录介质中磁性粒子的大小.这样势必带来由热衰减现象引起的记录信号的衰减.本文通过计算机仿真与实验探讨了磁记录介质中发生的信号衰减现象.在垂直磁记录方式下,可以使用直径较小的粒子构成的介质达到较高的记录密度和高的信噪比.指出垂直磁记录方式是将来实现超高密度磁记录的最适宜方式之一.     

单轴晶体中紧聚焦柱对称矢量涡旋光诱导磁化场特性研究

本文基于逆法拉第效应,利用矢量衍射理论详细研究了紧聚焦的柱对称矢量涡旋光束在单轴晶体中诱导磁化场的分布.探讨了输入光场矢量特性、单轴晶体磁光常数间的比值、o光和e光折射率差以及各向同性介质-单轴晶体界面位置对磁化场分布的影响.数值模拟发现,单轴晶体磁光常数间的比值愈大、o光和e光折射率差越小以及各向同性介质-单轴晶体界面的位置趋近于透镜焦点,都会使磁化强度得到增强,半高全宽减小.与各向同性介质中的磁化场相比,单轴晶体中磁化场半高全宽更小,磁斑长度更长.这将有利于全光磁存储记录密度的提高以及磁化反转率的提升,并为全光磁记录、原子捕获、光刻等应用提供理论指导和新的调控手段.     

磁—光存储的泛系研究

以磁记录和光记录的最新研究成果为背景，运用泛系理论，建立了磁一光存储的一个泛系模型，提出了磁－光存储，泛头，泛盘等概念，建立了刻画磁－光存储演化进程的广义动力学方程。指出了磁－光存储所具有的宏观，中观和若干微观泛对称性以及各单元技术所具有泛模拟机制和拟神经元机制，还应用集合论的概念来描述磁－光存储这一特殊的广义系统。     

磁－光存储的泛系研究

以磁记录和光记录的最新研究成果为背景，运用泛系理论，建立了磁－光存储的一个泛系模型，提出了磁－光存储、泛头、泛盘等概念，建立了刻画磁－光存储演化进程的广义动力学方程．指出了磁－光存储所具有的宏观、中观和若干微观泛对称性以及各单元技术所具有的泛模拟机制和拟神经元机制，还应用集合论的概念来描述磁－光存储这一特殊的广义系统     

北京工商大学一批市教委项目通过验收

日前，北京工商大学的18项北京市教委科研项目通过验收，其中科技发展项目12项、人文社科项目6项．他们分别是：冯旭东老师的“双功能膜——序批式生物反应器处理生活污水的工艺研究”，李宝河老师的“高磁各向异性磁记录介质材料的制备、微结构及磁性”，汪苹老师的“废水好氧脱氮过程中N2O控逸理论和技术研究”，孟春玲老师的“汽车刹车片用新型复合材料的减震降噪机理研究”，     

我省已公布的专利简介(二十)

实用新型名称:高精度磁测仪分类号:G0lR33/12GG85205352 该仪是测量软盘、磁带、磁粉磁性能的仪器。它能有效地抑制干扰信号,在无测试样品时,对应剩余梯通干扰仅为155×10-~(13)Wb,因而测量精度高。该仪磁场强度高达39789A/m以上,可满足现代磁记录介质的     

单畴磁膜磁阻效应的计算

对磁记录中使用的磁阻传感器的磁阻效应进行了定量分析，并提出了一种新的单畴磁膜退磁场的近似计算方法──平行线近似。计算结果表明，该近似比椭圆近似更好地反映了外磁场作用下单畴膜的磁荷分布。     

未来磁记录技术的关键问题探讨

详细介绍了晶格介质记录技术和热辅助磁记录技术的基本原理与实现方法,阐述了两种技术实现所遇到的主要困难,介绍了两种记录技术的研究的进展,讨论了困扰磁记录技术发展的两大关键问题——超顺磁效应与高矫顽力的研究与解决途径。     

反正切垂直磁化单极型磁头读出波形分析

本文对垂直磁记录方式的读出过程进行了理论分析.考虑到垂直磁记录方式的记录位长远小于单极型磁头厚度,在不计及漏磁的情况下,用镜像法推导了单层膜孤立反正切垂直磁化单极头读出波形电压表达式.分析表明,头盘结构参数对读出电压、读出分辨率等因素具有直接影响.     

准垂直磁记录的信息检测方法

0 引言垂直磁记录是一种高密度记录的新技术.目前,在垂直磁记录研究中,有两种磁头/介质组合被认为是有使用前途的.一种是单极磁头/双层垂直介质组合.由于单极磁头磁场中垂直分量占优势,所以这种组合有很理想的垂直记录特性,在实验室中已获得680 KFCI 的     

磁场对碳酸氢钠结晶动力学的影响

文中对新型碳化塔碳酸氢钠结晶动力学研究的基础上，再进一步探讨了磁场对结晶动力学的影响，在内径在Ｄ＝７０ｍｍ有机玻璃模拟塔内，以空气－ＮａＨＣＯ３饱和溶液为介质，测定了磁处理条件下，不同气，液量对晶体生长速率Ｇε，成核速度Ｂ＾－ｃ以及晶浆悬浮ρＴ等动力学参数的影响，并给出相应的结晶动力学关联式。     

颗粒膜的巨磁电阻效应

介绍了颗粒膜巨磁电阻效应的国内外研究现状及研究意义。由于颗粒膜巨磁电阻本身的科研价值和在磁记录、磁性传感器、磁随机存储器等方面的广泛应用前景，近十几年来国内外学对此进行了大量的研究。指出了颗粒膜研究的目标。     

磁光存储及其介质的研究

简要讨论了磁光存储的原理，论述了磁光存储介质的共性及其实用化所必须具备的性能，对磁光存储技术的发展作了展望．     

SmCo(Al,Si)/Cr硬磁薄膜的结构与性能

在优化后的磁控溅射和退火条件下 ,制备SmCo(Al,Si) /Cr硬盘磁记录介质及硬磁薄膜 .实验结果表明 ,Sm摩尔分数为 31.6 % ,Cr缓冲层为 6 6nm ,Sm(Co ,Al,Si) 5磁性层为 30nm时 ,制得的Sm(Co ,Al,Si) 5/Cr薄膜的矫顽力Hc 为 187.8kA/m ,剩磁比S =Mr/Ms≈ 0 .94;在 5 0 0℃保温 2 5min退火后 ,矫顽力Hc 达10 42 .5kA/m ,剩磁比S≈ 0 .92 ,从而制成了较理想的硬磁薄膜     

SmCo（Al,Si）／Cr硬磁薄膜的结构与性能

在优化后的磁控浅射和退火条件下,制备SmCo(Al,Si)/Cr硬盘磁记录介质及硬磁薄膜,实验结果表明,Sm摩尔分数为31．6％,Cr缓冲层为66nm,Sm(Co,Al,Si)5磁性层为30nm时,制得的Sm(Co,Al,Si)5/Cr薄膜的桥顽力Hc为187．8kA/m,剩磁比S＝Mr/Ms≈0．94;在500℃保温25min退火后,矫顽力Hc达1042．5kA/m,剩磁比S≈0．92,从而制成了较理想的硬磁薄膜。