隧道级联大功率半导体激光器热特性分析

基于光谱法，通过测量靠近衬底的有源区波长的变化来表征其温度的变化，计算了隧道级联多有源区大功率半导体激光器的热阻。与普通半导体激光器相比，随着有源区数目的增多该热阻有增大的趋势，但并没有成倍增加，主要原因是隧道级联半导体激光器的串连电阻没有成倍增加。     

压缩半导体激光器光斑的光路分析及数值计算

由于半导体激光器的发散角大，输出光束为椭圆高斯光束，若应用于实际必须解决半导体激光器高斯光束的准直和光斑校正的问题。利用高斯光束理论对压缩半导体激光器发散角的问题进行了讨论，并且给出了数值分析。     

胎体与钢体PDC钻头结构参数的相互转换

在ＰＤＣ钻头几何学研究的基础上，以保持切削齿工作面的空间方位不变为前提，建立了胎体和钢体两类ＰＤＣ钻头结构参数互相转换的数学关系，并编制了相应的计算机程序。利用此程序可以准确地实现胎体ＰＤＣ钻头和钢体ＰＤＣ钻头结构参数之间的相互转换，使两类ＰＤＣ钻头的设计计算过程和设计软件能够完全兼容。这对于ＰＤＣ钻头设计具有重要的理论指导意义和实际应用价值。     

1.3μmInGaAsP／InP DCC结构薄夹层厚度对激光器阈值和T0值的影响

研究了１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎｐＤＣＣ结构中间夹层厚度对激光器阈值和Ｔ０值的影响，并得到最佳的夹层厚度。     

存在相位漂移的相干光CDMA系统的性能

分析了激光器相位漂移对ＣＤＭＡ系统ＢＰＳＫ和ＤＰＳＫ检测的影响。推导了由于ＡＷＧＮ、多址干扰和激光器相位漂移的作用，两种检测技术下ＢＰＳＫ和ＤＰＳＫ的误码率。     

影响InGaP／InP半导体激光器阈值电流密度若干问题的研究

本文对影响ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器阈值电流密度的晶格失配，掩埋异质结构和掺杂控制等问题进行了分析和讨论．从Ｋｕｐｈａｌ和Ａｒａｉ模型着手计算了与ＩｎＰ晶格匹配ＩｎＧａＡｓＰ的熔体组成．并从实验上进行了仔细调整．获得了激射波长为１．３μｍ．失配量≤１．４×１０－３的ＤＨ结构ＬＰＥ工艺条件．探讨了新的腐蚀工艺和二次外延工艺参数对掩埋异质结构形成的影响；提出采用二次外延过程中Ｚｎ扩散来控制限制层（３）掺杂的新方法，避免了纵向ｐ－ｎ结偏位现象的出现．获得了室温下阈值电流最低小于２５ｍＡ、在６０ｍＡ直流驱动下单面光输出功率高达１２．５ｍＷ、激射波长为１．３μｍ的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰＤＣ－ＰＢＨ激光器．     

量子阱LD有源区量子阱数目的优化设计

采用直观的载流子、光子库模型,导出半导体激光器速率方程,得到输入电流、输出光功率的关系以及激光器腔体参数与注入电流的关系,从而给出在设计激光器时遇到的相关限制的方程,以及LD电流与某种形式的电流增益转换因子的关系,根据增益曲线上的最佳工作点来优化有源区量子阱数目．给出了共面量子阱LD在固定有源长度、固定无源区长度的共面量子阱激光器的量子阱数目优化方案．     

聚氯乙烯与固相法氯化聚乙烯以及线型 低密度聚乙烯共混物的动态力学性能

采用动态力学分析法（ＤＭＡ）研究了聚氯乙烯（ＰＶＣ）与团相法氯化聚乙烯（ＣＰＥ）的相容性以及ＰＶＣ／ＣＰＥ／ＬＬＤＰＥ（线型低密度聚乙烯）共混体系的动态力学性能．实验结果表明,由低温－高温两步氯化制得的ＣＰＥ与ＰＶＣ组成的共混体系为一部分相容体系,两相之间存在一定的相互作用即链段相容性;由低温一步氯化法制得的ＣＰＥ具有氯化区和未氯化区类似嵌段式结构,对ＰＶＣ／ＬＬＤＰＥ共混体系具有增容作用．     

氢化均三嗪二酮双丙酸酯化物的合成

用ＤＭＡＰ－ＤＣＣ催化羧酸与醇（或酚）作用的方法合成了１６个未见献报道的氢化均三嗪二酮双丙酸酯化合物,并通过ＩＲ,＾１ＨＮＭＲ,ＭＳ确证结构。同时对ＤＭＡＰ－ＤＣＣ体系的催化机理进行了讨论。     

胎体与钢体PDC钻头结构参数的相互转换

在ＰＤＣ钻头几何学研究的基础上,以保持切削齿工作面的空间方位不变为前提,建立了胎体和钢体两类ＰＤＣ钻头结构参数互相转换的数学关系,并编制了相应的计算机程序。利用此程序可以准确地实现胎体ＰＤＣ钻头和钢体ＰＤＣ钻头结构参数之间的相互转换,使两类ＰＤＣ钻头的设计计算过程和设计软件能够完全兼容。这对于ＰＤＣ钻头设计具有重要的理论指导意义和实际应用价值。     

外延腔铜蒸气激光器用于飞秒光脉冲放大系统

实验研究了外延腔铜蒸气激光器（ＣＶＬ）的输出特性。利用延长腔长方法压缩ＣＶＬ脉冲宽度及光束发散角，得出脉宽及光束发散角随腔长变化规律。找出ＣＰＭ染料激光放大器的ＣＶＬ最佳运转状态。     

大光腔半导体激光器的横模甄别

本文用电磁学理论对大光腔半导体激光器的横向波导模式进行了推导，得出了影响横模甄别的模增益、吸收系数和折射率等的计算公式，并通过计算获得了ＬＯＣ半导体激光器基横模工作，高功率输出的结构参数值。     

应变补偿和生长停顿对InAs/InAlGaAs/InP纳米结构形貌的影响

利用固源分子束外延（Molecular Beam Epitaxy,MBE）设备生长出InAs/InAlGaAs/InP（001）纳米结构材料,探讨了应变补偿技术和生长停顿对InAs纳米结构形貌的影响.应变补偿技术的引入导致量子点和量子线混合结构的形成,有望成为超宽带半导体激光器的有源区;生长InAs时生长停顿的引入导致尺寸分布均匀的量子线结构的形成,可作为单色激光器有源区.     

新型大功率氧化物导电陶瓷

介绍一种新型大功率氧化物导电陶瓷．该陶瓷是以六角密堆（ＨＣＰ）结构的ＺｎＯ为主要原料，添加少量杂质，采用电子陶瓷工艺研制而成．研究了陶瓷材料的差热分析（ＤＴＡ）及扫描电子显微结构．测量了瓷体的电阻率．     

氢键作用对POM／COPA共混物结构与性能的影响

本文采用ＦＴ－ＩＲ、ＤＳＣ、ＳＥＭ、ＷＡＸＤ等手段对ＰＯＭ／ＣＯＰＡ共混物的微观结构进行分析，并且对其力学性能进行测试．研究结果表明，在ＰＯＭ／ＣＯＰＡ共混物中存在着氢键的相互作用，且氢键的相对强度随ＣＯＰＡ含量的增加而增大，氢键作用使得微晶尺寸Ｌ_（１１０）及晶胞尺寸均增大．在氢键的相对强度低于１．５的范围内，ＣＯＰＡ对ＰＯＭ具有增韧改性作用．     

C_（60）共边五员环与分子空间立体能

使用分子图形方法设计出Ｉｈ、Ｃ２ｖ、Ｃｖ、Ｄ２ｈ、Ｄ２ｄ和Ｄ３点群的笼状结构Ｃ６０同分异构体．经由分子力学的计算，得出各异构体中的共边五员环与分子空间立体能量有线性关系．这样，通过Ｃ６０异构体的共边的五员环的数目可推算出分子的空间立体能量．     

阵列激光微透镜准直器透镜F数的研究

提出用微透镜阵列把半导体激光器阵列光束进行准直的方案．采用单正透镜对圆高斯光束的变换理论研究了微透镜的Ｆ数,得出了Ｆ数以及最小远场发散角半角值的表达式,对微透镜准直器的设计与制备具有指导意义     

半导体激光器激光光束的研究

分析了半导体激光器的特征,从激光束的半宽度和激光光束发散角两个方面分析了高斯光束的结构特性,研究了激光束通过薄透镜的变换规律,求出会聚后高斯光束腰的宽度和位置,根据束腰位置与焦距的大小关系讨论了高斯光束的聚焦问题.研究了利用柱面透镜对激光光束的准直整形实验原理及实验装置、方法,在此基础之上讨论了激光光束发散角的测量方法.     

含环成二烯基的丙烯酸衍生物的合成和表征

以丙烯酸（ＡＡ）和环戊二烯（ＣＰＤ）为起始原料，首先合成了丙烯酰氯（ＡＣ）和环戊二烯基乙醇（ＣＰＤＥ）两种中间体，通过酰氯与醇或活泼氢化合物之间典型的消除反应．合成了丙烯酸环戊二烯基乙酯（ＣＥＡ）和环戊二烯－丙烯酸加合物（ＣＰＤ－ＡＡ）．并对其结构进行了表征．     

PDC钻头井底液流分布特性的实验研究

针对条式布齿式ＰＤＣ钻头的结构特点，根据流体动力学相似准则．设计了实验室条件下的模拟实验钻头，采用示踪颗粒流动轨迹显示实验的方法，研究了喷嘴倾斜时，倾斜方向（或称喷嘴指向）对井底漫流分布的影响，研究表明，对具有条式布齿的ＰＤＣ钻头，使边喷嘴向井壁方向倾斜，在倾斜喷嘴的指向平行于钻头主筋板切削面或与主筋板切削面成４５°角时，钻头的清洗和冷却效果较好．