Y~(3+),Mn~(2+)掺杂BaTiO_3陶瓷晶界特性研究

PTC陶瓷的晶界特性对材料的电性能有重要影响,通过对Y,Mn掺杂钛酸钡陶瓷的电性能与晶界形态及元素分布关系的研究发现,施主掺杂量和Ca元素的掺杂量对晶粒的发育有一定影响;晶界对PTC性能有重大影响,杂乱的晶界不利于PTC效应,洁净的发育良好的窄晶界有利于PTC效应;能谱分析发现,陶瓷中不同部位的元素分布存在一定的规律.     

Zn-V-B玻璃料对(Ba,Sr)TiO3陶瓷微观结构和PTC效应的影响

研究了Zn—V-B玻璃料的添加对（Ba，Sr）TiO3PTC陶瓷微观结构和电性能的影响，并分析了玻璃料增强PTC效应的原因．扫描电镜结果显示，1240℃烧结后玻璃料促进了晶粒长大，但1280℃烧结后对晶粒生长影响不大．玻璃料一方面有助于晶粒长大和室温电阻率的降低；另一方面高阻的玻璃料存在于晶界增大了晶界电阻随玻璃料加入量增加，1240℃烧结后室温电阻率先减小后增大；烧结温度高于1240℃，室温电阻率单调增大．通过分析Mn02和V205在ZnO压敏陶瓷中的变价以及Mn提高BaTiO3陶瓷PTC效应的机理，初步认为V的变价是玻璃料显著改善PTC效应的原因．     

钛酸钡PTC热敏电阻陶瓷表面态浅析

就形成钛酸钡陶瓷PTC效应的表面态进行阐述,分析了在居里点(TC)以上由表面态和介电常数在共同作用下的电阻率猛增几个数量级的原因;同时对钛酸钡PTC热敏电阻陶瓷的表面态的组成进行研究,认为在钛酸钡PTC陶瓷中表面态主要由钡空位引起;提出一种直接测量表面态密度的方法.     

PTC铁电半导体陶瓷的显微结构

半导体陶瓷是近年来发展较快的一类新型功能材料.由半导体陶瓷制成的敏感元件具有灵敏度高、结构简单、使用方便、价格便宜等优点,半导体陶瓷各类应用的前景可观. PTC(Positive Temperature Coefficient of Resistivity)铁电半导体陶瓷是半导体陶瓷的一种.钛酸钡是PTC陶瓷材料的主要成分,PTC陶瓷元件的电性能决定于它的微结构特性.PTC机理是一种晶界的、而非晶粒个体的现象.本文利用选区电子衍射(EDP)、高分辨电子显微术(HREM)及微区X射线分析(EDAX)等手段对以BaTiO_2为基的PTC陶瓷进行了微观结构分析和微量化学分析,着重分析其晶界结构和晶界的化学     

陶瓷与有机PTC热敏电阻高频特性研究

简述了陶瓷PTC热敏电阻和有机PTC热敏电阻的特性，介绍了2类PTC热敏电阻的PTC效应原理，并就2类PTC热敏电阻高频特性结合试验测量结果进行了分析，陶瓷PTCR采用的测试信号频率为10kHz-10MHz，有机PTCR所采用的测试信号频率为10kHz-6GHz，结果表明有机PTCR较陶瓷PTCR有良好的高频过流保护特性，这说明有机PTCR更适合用于高频过流保护。     

高居里点PTC热敏陶瓷材料的研制

BaTiO_3系陶瓷在掺入微量杂质如Nb~(5 ),Y~(3 )等后,就形成半导体,并在居里点(～120℃)附近电阻温度系数由负变正,其阻值迅猛增加,在不大的温度范围内,电阻增大三个数量级以上,这种现象称为PTC效应。研究表明,若用的Pb~(2 )离子去置换Ba~(2 )形成(Ba_(1-x)Pb_x)TiO_3,居里点就向高温(大于120℃)方向移动;若用Sr~(2 )置换Ba~(2 ),形成(Ba_(1-y)Sr_y)TiO_3,居里点就向低温(小于120℃)方向移动。通常称前者为高温PTC材料,后者称为低温PTC材料。PTC热敏材料的制备对配方和工艺的要求都很高,高居里点的制备难度更大,面临加铅后半导化困难和铅在高温下易挥发等一系列问题,作者对含铅35％～45％的半导瓷作了大量实验,找出了半导化剂量的最佳值,摸索出了较为合理的烧结工艺,对控制铅挥发的问题想了一些办法,制备出了室温电阻率低于100Ω·cm,电阻温度系数接近10％的PTC样品。     

氮化硼掺杂对（Ba,Pb）TiO3陶瓷特性的影响

讨论了氮化硼（BN）掺杂对（Ba,Pb)TiO3热敏陶瓷的热学性能、电学性能及晶粒尺寸的影响,指出了传统的PTC陶瓷电阻达到最大值后下降较快的原因,在BaTiO3中掺入BN,样品的相变点发生了变化,并使样品中晶界变宽,晶粒变得均匀,这可改善BaTiO3样品的高温相电阻随温度升高而快速下降的性能。     

稀磁半导体Zn_(1-x)Co_xS光谱的理论解释

以Co2 + 自由离子的 3d电子径向波函数为基础 ,对Zn1-xCoxS中的电子云延伸效应进行了理论研究 .引入了电子云延伸效应系数κ ,得到了Zn1-xCoxS中Co2 + 离子的最优化 3d电子径向波函数 ,并由此得到了Zn1-xCoxS的光谱 .结果表明 :应用晶体场理论 ,考虑到电子云延伸效应的修正 ,对于研究稀磁半导体的光谱性质是方便有效的 .同时也从物理学本质上解释了电子云延伸效应 .     

用化学平衡法研究Fe—Nb—C熔体的热力学

CO—CO_2混合气与Fe—Nb—C熔体和NbO_2(s)的平衡实验是在Al_2O_3或ZrO_2坩埚中进行的。实验表明,在1073～1273K间的低温下产生碳沉积是不可避免的。熔体上方的气相氧分压用固体电解质电池测定。与熔体中Nb成平衡的氧化物被确定为NbO_2(s)。测得1823K时反应[Nb]+O_2=NbO_2(s)的平衡常数K=6.31×10~(10),因此,可得反应的标准自由能: ΔG°=-377150(J/mol)求出了碳对Nb和Nb对碳的活度相互作用系数为: e~C_(Nb)=-0.74;e~(Nb)_C=-0.092     

炭黑/聚乙烯导电复合材料PTC特性的研究(Ⅰ)——影响PTC特性的因素

从探讨影响聚合物型正温度系数 (PTC)材料电性能的因素出发 ,采用炭黑 (CB)填充聚乙烯 (PE) ,分析了不同种类CB的含量 ,以及不同种类PE基体的结晶性能对复合材料导电性和PTC效应的影响 .结果发现 ,采用结构性高和比表面积大的CB进行填充 ,有利于复合材料的导电性和PTC效应 ,而基体的结晶度高 ,复合材料的PTC强度大 ,渗滤阈值小     

Tm~(3+)和Ln~(3+)(Ln~(3+)=Yb~(3+),Er~(3+),Pr~(3+),Ho~(3+),Eu~(3+))共掺氟化物纳米晶体的光谱学性质

应用激光光谱学及发光学的理论和方法研究了Tm3+/Ln3+(Ln3+=Yb3+,Er3+,Pr3+,Ho3+,Eu3+)离子在LaF3和LaOF纳米颗粒中的发光特性,探讨了获得蓝绿光发射的方式,分析了Tm3+离子的荧光发射对基质构成和共掺杂离子的依赖性质.研究结果表明,在氟化物纳米晶体中进行Tm3+和Ln3+(Ln3+=Ho3+,Pr3+,Er3+,Eu3+)的共掺杂,能有效地获得可见光发射,显著提高荧光量子产率,在太阳能光伏电池中具有很大的应用潜力.     

金属玻璃(Fe_55Ni_45)_78Si_8B_14的低温结构弛豫

使用Bordoni型仪器测量了Fe—Ni基金属玻璃在结构弛豫过程中内耗和模量的变化,详细地研究了在低于500K的低温阶段模量的变化。结果表明,结构弛豫对温度的特性可划分为两个阶段:低温结构弛豫,主要由TSRO控制;高温结构弛豫,主要由TSRO和CSRO控制。低温结构弛豫的激活能约为17kJ/mol。     

(Ω)和Laplace算子的估计

令Ω为有界光滑区域,首先定义限制型的齐性Besov空间(B)0,11,r(Ω),建立这些空间的原子分解,得到Laplace算子在这类空间的正则估计.     

关于fm(f(k))n-(a)(z)的零点

利用亚纯函数的Nevanlinna值分布理论方法,讨论了fm(f(k))n-(a)(z)关于值分布的一个结果,得到了更为一般的结论.设f是复平面上的超越亚纯函数,(a)(z)是f的一个不恒等于零的小函数,m,k,n都为正整数.当k≥1,n,m≥2时,fm(f(k))n-(a)(z)有无穷多个零点.推广并改进了已有文献中的有关定理.     

关于同余式nσ(n)≡m(modφ(n))

对任给定正整数m，证明了当4トm时同余式nσ（n）≡m（modφ（n））的解数有限。     

(1-x)Bi_(0.5)(Na_(0.8)K_(0.2))_(0.5)TiO_3-x(Bi_(0.1)La_(0.9))FeO_3无铅压电陶瓷的微结构与电学性能的研究

采用传统固相法制备了新型(1-x)B i0.5(Na0.8K0.2)0.5TiO3-x(B i0.1La0.9)FeO3无铅压电陶瓷,利用XRD、SEM等测试技术表征了该陶瓷的晶体结构、表面形貌、压电和介电性能.研究结果表明,在所研究的组成范围内陶瓷材料均能形成纯的钙钛矿固溶体.压电性能随x的增加先增加后减少,在x=0.005时压电常数及机电耦合系数达到最大值(d33=149pC/N,kp=0.270).     

铈锶复合六角铝酸盐(Ce(0.7)Sr_(0.3))MgA1_(11)O_(18.85)的合成及发光性质

本文报道一种新的紫外发光材料铈锶复合六角铝酸盐(Ce_(0.7)Sr_0.3)MgAl_(11)O_(18.85),它与SrAl_(12)O_(19)类质同晶,晶胞参数为:a=0.5590nm,c=2.203nm。与CeMgAl_(11)O_(19)比较,(Ce_(0.7)Sr_(0.8)MgAl_(11)O_(18.85)有更强的紫外发射效率。在该基质中,Ce~(3+)-Ce~(3+)之间能进行短程的能量迁移,迁移的步数大约为4～12。这种能量迁移可能是一种偶极一偶极相互作用。     

非晶态软磁合金（Fe1—y Coy）82CU0.4Si4.4B13.2的结构弛豫

通过减落和电阻率的测量,研究非晶态合金(Fe_(1-γ)Co_γ)_(82)Cu_(0·t)Si_(4·4)B_(13·2)(y=0,0.01,0·02,0.05,0·10)的结构弛豫。在25～350℃温区内,所有合金淬态和经退火处理后的弛豫谱都有两个峰。第一和第二峰的峰位温度或最可几激活能值Q_(mp)对Co含量(y)有不同的依赖关系。在驰豫谱第二峰出现的温区内,电阻率与温度的关系偏离线性,对y<0.05的合金还有小峰出现。