X射线双晶衍射研究LP－MOVPE生长的InGaAs／GaAs应变超晶格

用金属有机气相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）生长了一系列具有不同应变、不同周期以及不同缓冲层的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变超晶格．用Ｘ射线双晶衍射方法得到了样品的摇摆曲线．结合计算机模拟得到了样品的应变、组分等结构参数．对不同缓冲层的超晶格结构也进行了分析     

低压MOCVD法生长GaAs／Si单晶膜及膜的特性研究

本文通过低压ＭＯＣＶＤ方法，采用改进的两步法工艺，即基片表面的高温处理一生长过渡层－退火－外延生长－退火工艺，在向［０１１］方向偏３°的Ｓｉ（１００）衬底上生长了ＧａＡｓ膜，并对外延膜进行了Ｘ射线衍射，喇曼散射和光致发光分析．发现Ｘ射线衍射曲线光滑尖锐，无杂峰，（４００）峰的摇摆曲线很锐，喇曼散射谱中ＴＯ峰与ＬＯ峰的强度比ｌＴＯ／ｌＬＯ很小，光致发光谱的半峰宽只有１２．４ｍｅＶ，说明在Ｓｉ上异质外延的ＧａＡｓ单晶膜具有相当好的质量．     

X射线双晶衍射研究LP—MOVPE生长的InGaAs／GaAs应变超晶格

用金属有机气相外延生长了一系列具有不同应变、不同周期以及不同缓冲层的ＩｎＧａＡｓ应变超晶格。用Ｘ射线双晶衍射方法得到了样品的摇摆曲线。结合计算机模拟得到了样品的应变、组分等结构参数。对不同缓冲层的超晶格结构也进行了分析。     

GaAg／Al0.3Ga0.7As多量子阱的平方电光效应和光折变效应…

本文研究了半绝缘ＧａＡｓ／Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ多量子阱的电光效应和光折变效应。用光调制反射谱分析了样品的结构，用电调制透射谱测量了电吸收和电折变；用二波混合的方法测量了它的光折变性质。对两种方法得到的电吸收和电折变作了分析比较。     

用电液相外延法制备透射式GaA光阴极的研究

采用电液相外延法在ｎ型ＧａＡｓ衬底上连续生长Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ（ｘ＝０．７５）过渡层及ｐ型ＧａＡｓ发射层，测试结果表明，电液相外延法适合于制备透射式ＧａＡｓ光电阴极。     

LP－MOVPE生长InGaAs应变超晶格

本文探讨了ＬＰ－ＭＯＶＰＥ法在ＧａＡｓ和ＩｎＰ衬底上生长２１个周期的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ和２０个周期的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ两种应变超晶格的条件，并用Ｘ射线衍射分析了这两种应变超晶格，分析观察到三级卫星峰和六级卫星峰。     

B^＋注入Si的辐射损伤和退火特性

本文用ｘ射线衍射仪测定了Ｂ＾＋注入Ｓｉ的摇摆曲线，用阻尼最小二乘法模拟实验曲线，借助于“多层模型”和ｘ射线衍射的运动学理论，计算了Ｂ＾＋注入Ｓｉ后辐射损伤随注入深度，注入剂量的变化，并用不同的温度进行等时热退火，给出了辐射损伤恢复的退火特性。     

反应离化簇团束制备氮化镓薄膜

根据离化簇团束的基本性质与原理，运用反应离化簇团束技术在低衬底温度下制备了氮化镓薄膜。透射电子显微镜和扫描电子显微镜测定出该薄膜为多晶薄膜。Ｘ射线光电子能谱测定结果表明４，已经形成了Ｇａ－Ｎ化学键，氮，镓原子比接近１：１，说明反应气体离化族团技术是一条在较低温度下制备氮化镓薄膜的可行的技术途径。     

高温超声衬底台阶结研究

本文报导用Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２外延超导薄膜在ＬａＡｌＯ３补底上研制的台阶结及其特性，在液氮温度下，当台阶结受到９．２０ＧＨｚ的微波辐照时，从Ｉ－Ｖ曲线上可以观察到第九级夏皮诺微波感应台阶、在液氮温度下，台阶结的临界随外磁场的变化较好地附合夫琅和费衍射关系。     

HoGe1.56的结构研究

用Ｘ射线衍射分析法对晶体ＨｏＧｅ１．５６的结构进行了研究，根据实验衍射数据，我们用Ｌｉｐｓｏｎ方法按四方晶系成功地指化了所有谱线，表明ＨｏＧｅ１．５６属四方晶系，其点阵参数为ａ＝４．０５１Ａ和ｃ＝１３．６５１Ａ。     

双束注入的晶格应变

用双晶ｘ射线衍射仪测出了注入能量为１８０ｋｅＶ,不同注入剂量和不同退火温度的Ｎ＾＋＋Ａｓ＾＋双束离子注入的摇摆曲线。利用离子注入的多层模型,试探应变函数和ｘ射线衍射的运动学理论,借助于计算机,用Ｌｅｖｅｎｂｅｒｇ－Ｍａｒｕａｒｄｔ最优化法拟合实验曲线,给出了不同剂 退火温度晶格应变随注入深度的变化。     

分段摇摆墙内力改进效果研究及影响参数分析

在保证对结构变形、抗震性能改进效果的情况下,采用分段摇摆墙的形式可有效降低摇摆墙自身的内力需求,并且该形式具有制作更简单、运输更便利、安装更简易的优势。为了分析摇摆墙采用分段形式后对摇摆墙内力的改进效果,文中结合分段摇摆墙的特征及与整段摇摆墙不同的边界条件,推导了铰接分段摇摆墙-框架结构的位移和摇摆墙内力的简化计算公式,并进一步开展了摇摆墙刚度比和摇摆墙分段数目对摇摆墙内力的影响效果分析,且与整段摇摆墙的相应情况进行了对比。研究结果表明：将摇摆墙分段可以大幅降低摇摆墙的内力峰值、缩小内力值的变化区间,在均匀荷载作用时各分段摇摆墙的弯矩和剪力分布规律类似,且整段摇摆墙的弯矩峰值是分段摇摆墙的m2倍、整段摇摆墙的剪力峰值是分段摇摆墙的m倍,而在倒三角形荷载作用下时,上段分段摇摆墙的弯矩和剪力比下段分段摇摆墙的大;刚度比在1.0～5.0这一适当的区间内变化时,刚度比对摇摆墙内力的影响效果明显,且影响程度随摇摆墙刚度比增大呈先增大后减小的规律,但当摇摆墙刚度比在此适当区间之外（无论取值过大还是过小）,摇摆墙内力改变情况则对刚度比变化变得不敏感,此时刚度比对摇摆墙内力的改善效果不佳;分段摇摆墙内...     

并联多筒体摇滚式混合机摆动机构节能设计

应用计算软件Matlab,根据矢量方程解析法对摇滚式混合机的摆动机构进行了分析,由摆动支架摆角变化求出其相应的摆动角速度和摆动角加速度,并计算出整个摆动部分的重心和转动惯,得到摆动所需功率。然后根据正负功叠加的方法,通过使用曲拐来设计并联多筒体摇滚式混合机,由程序实现对各种曲拐角度的试验,找出和功率最大值最小时的曲拐角度,得到设计方案。结果表明并联多筒体摇滚式混合机可以大大节省能量。     

自复位耗能摇摆架加固软弱底层框架抗震性能

为改善软弱底层框架的层间变形和能量耗散模式,提出一种结合预应力钢绞线和装配式BRB的自复位耗能(SCED)摇摆架加固方案.对加固后体系进行受力性能分析,并建立有限元模型对SCED摇摆架-软弱底层框架的性能进行研究.结果表明,SCED摇摆架能明显改善软弱底层框架的破坏模式、抗震性能、自复位性能和变形模式,但是钢绞线和装配式BRB对层间变形有不利的影响,建议层间变形为控制目标的结构采用纯摇摆架加固,而侧向变形为控制目标的采用SCED摇摆架.     

多量子阱结构的MOVPE生长

利用金属有机气相沉积技术生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ多量子阱结构，通过改变生长程序，得到了优化的陡峭量子阱界面．并利用光致发光（ＰＬ）和Ｘ射线双晶衍射对其界面质量分析，Ｘ射线双晶衍射表明界面起伏为一个原子层厚度，在１０Ｋ温度下ＰＬ谱半峰高宽（ＦＷＨＭ）为７ｍｅＶ     

新型摇摆隔震装置振动台试验研究

为解决塔型结构在地震作用下产生的变形问题,提出了一种新型摇摆隔震系统,该系统由竖向弹性支座和限位球铰组成。限位球铰安装在隔震层中,使结构在地震作用下产生摇摆运动。为验证该摇摆隔震系统的性能,运用摇摆隔震悬臂梁分析模型,对一钢柱模型进行了振动台试验研究,探究装有摇摆隔震装置的塔形结构对比传统结构的隔震效果。试验结果表明,摇摆隔震结构在顶部位移小幅度放大的情况下,顶部加速度的隔震率达到33.5%,且结构底部的应变减少率高达85%。证明该摇摆隔震系统不仅能有效隔离水平地震力作用,还能够控制结构产生的倾覆弯矩,减小上部结构动力响应,同时大幅度减少结构底部的应变,从而保护结构本身和内部设施不被破坏,提高了结构的安全性。     

考虑井筒相分离的污染检测试井研究及应用

通过对 Fair模型解与 Ram ey模型解的对比分析 ,提出利用双对数及导数典型曲线分析具有井筒相再分布实测曲线的新方法 ,提高了处理具有井筒相再分布实测曲线的精度 ,并在现场实例中得到验证     

摇架式隔振系统隔振特性的试验研究

研究履带车辆动力传动装置摇架式隔振系统的隔振特性。应用动力学相似理论设计制作了摇架式隔振系统的试验模型并进行了理论分析和试验。试验表明,摇架式单层隔振系统的传递率下降斜率为１２ｄＢ／ｏｃｔ,双层隔振系统的传递下降斜率为２４ｄＢ／ｏｃｔ。     

Ge_xSi_（1－x）／Si应变超晶格的质量鉴别

采用分子束外延（ＭＢＥ）方法生长了ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ应变超晶格．利用Ｘ射线双晶衍射、小角衍射和宽角衍射方法测量了超晶格样品的实验衍射曲线．运用Ｘ射线运动学理论和动力学理论，分析、模拟了样品的实验曲线，得到了精确的定量结构参数数据．并根据实验曲线中衍射峰的位置和分布情况对应变超晶格的生长质量做了评价．     

透射光补偿浊度测量方法的研究

设计了一种新型透射光补偿法浊度测量系统,介绍了测量系统的工作原理和探头结构。测量系统采用ISO7027国际标准规定的880nm红外LED作为光源,以单片机ATmega128为核心,利用GPIB卡记录电压、温度数据。该测量体系通过同时测量水样散射光和透射光的方法,在低浊度时（<25NTU）测量散射光,高浊度时通过量程切换并利用散射-透射光之比进行浊度测量,还设计了温度补偿系统测量浊度与温度之间的关系。配置福尔马肼标准溶液进行多点测试,结果表明本套测量系统测量浊度线性度高,数据稳定可靠。