基于电荷转移体系聚合物/C60组合膜的光电导增强效应

利用物理喷束沉积技术在石英和ＩＴＯ衬底上获得了ＭＢＢ－ＰＰＶ／Ｃ６０和ＭＢ－ＰＰＶ／Ｃ６０组合薄膜,研究了聚合物特性和膜的结构对光电导的影响。光电导和时间分辨荧光结果表明两种组合膜的光电导较纯的ＰＰＶ和Ｃ６０有明显的增强效应,而且ＭＢＢ－ＰＰＶ／Ｃ６０的光电导优于ＭＢ－ＰＰＶ／Ｃ６０。结果表明在ＰＰＶ／Ｃ６０体系中存在着有效的激发传递过程。     

水/Span85-Tween60/环己烷微乳液及纳米复合微粒制备

以紫外／可见光分光光度计为检测手段,研究确定了水／Ｓｐａｎ８５－Ｔｗｅｅｎ６０／环己烷反相微乳液体系的适宜条件如乳化剂含量、ＨＬＢ值和溶水量值;进而在其中进行丙烯酰胺（ＡＭ）聚合反应和ＡｇＣ１、ＺｎＳ沉淀反应,制备了ＡｇＣ１／ＰＡＭ、ＺｎＳ／ＰＡＭ纳米复合微粒,并采用航向电镜（ＴＥＭ）观察了给米微粒的形貌。     

超微粒子－有机聚合物薄膜的研究

我们用离子团束－飞行时间质谱（ＩＣＢ－ＴｏＦＭＳ）系统制备了金（Ａｕ）超微粒子－聚乙烯（ＰＥ）薄膜和Ｃ＿（６０）－聚乙烯薄膜。用透射电子显微镜（ＴＥＭ）分析了所制备的样品。它们的结构是Ａｕ超徽粒子镶嵌在多晶的ＰＥ薄膜中，其中Ａｕ原子团呈球形，直径分布在２．０－５．０ｎｍ窄范围内，当沉积基底温度为９０℃时，Ａｕ原子团相互靠近，几乎连接起来，但仍保持原来大小。基底温度为１４０℃蒸积的Ｃ＿（６０）－ｐＥ薄膜具有晶态结构，其晶格常数为１．４５４ｎｍ。     

An／C_（60）－Polymer／P－Si结构C－V特性

报道了利用ＰＥＣＶＤ技术在Ｐ－Ｓｉ衬底抛光面上淀积含Ｃ６０聚合物薄膜及在薄膜表面蒸金形成Ａｎ／Ｃ６０－Ｐｏｌｙｍｅｒ／Ｐ－Ｓｉ结构．通过常温及温偏处理后的不同Ｃ－Ｖ特性，推算了聚合物薄膜中的几种电荷密度和介电常数，并对经过温偏处理后Ｃ－Ｖ曲线的畸变做了讨论．     

超微粒子—有机聚合物薄膜的研究

我们用离子团束－飞行时间质谱（ＩＣＢ－ＴＯＦＭＳ）系统制备了金（Ａｕ）超微粒子－聚乙烯（ＰＥ）薄膜和Ｃ６０－聚乙烯薄膜。用透射电子显微镜（ＴＥＭ）分析了所制备的样品。它们的结构是Ａｕ超微粒子镶嵌在多晶的ＰＥ薄膜中，其中Ａｕ原子团呈球形，直径分布在２．０－５．０ｎｍ窄范围内，当沉积基底温度为９０℃时，Ａｕ原子团相互靠近，几乎连接起来，但仍保持原来大小。基底温度为１４０℃蒸积的Ｃ６０－ＰＥ薄膜具有晶态     

基片温度对Cu—TiC复合薄膜的影响

研究了基片温度对Ｃｕ－ＴｉＣ复合薄膜的影响。Ｃｕ－ＴｉＣ复合薄膜采用多靶磁控溅射仪制备。测定了薄膜的显微硬度及电阻率，并利用ＸＲＤ，ＳＥＭ，ＥＤＡＸ和ＴＥＭ研究了薄膜结构。结果表明，随基片温度的提高，Ｃｕ－ＴｉＣ复合薄膜中ＴｉＣ含量增加，Ｃｕ和ＴｉＣ的晶化逐步完善。     

TPD：CuPc LB薄膜电子阻挡层对电致发光的影响

ＴＰＤ：ＣｕＰｃ ＬＢ薄膜作为电子阻挡层被引入到ＩＴＯ／ＴＰＤ：ＣｕＰｃ／Ａｌｇ：ＤＣＭ１／Ａｌ电致发光器件中的ＰＰＶ和Ａｌｑ：ＤＣＭ１层之间,不含任何ＴＰＤ：ＣｕＰｃ层或仅含单层ＴＰＤ：ＣｕＰｃ且在较高直流电压（≥８Ｖ）驱动下的器件,它们的发射光谱同时来自ＰＰＶ（５１３ｎｍ）和Ａｌ：ＤＣＭ１（５９１ｎｍ）。相反,当含单层ＴＰＤ：ＣｕＰｃ的器件在较低电压驱动下（〈７Ｖ）或含双层ＴＰＤ：ＣｕＰｃ的器     

离子束增强沉积纳米Fe—N磁性膜

利用高能量（〉１５ｋｅＶ）、脉冲氮离子束增强沉积（ＩＢＥＤ）Ｆｅ－Ｎ磁性薄膜。合成了含有α－Ｆｅ、α″－Ｆｅ１６Ｎ２、γ＇－Ｆｅ４Ｎ和ε－Ｆｅ２￣３Ｎ相的纳米多晶薄膜。Ｆｅ－Ｎ薄膜的磁性取决于膜层的相结构及微观形貌。纳米尺度的α″－Ｆｅ１６Ｎ２和α－Ｆｅ相的混合物膜层的饱和磁性强度可达２４５ｅｍｕ／ｇ。多元ＩＢＥＤ Ｆｅ－Ｃｏ－Ｎ合金薄膜与相同制备条件下合成的Ｆｅ－Ｎ薄膜相比，其相结构相似，但饱和     

Effect of TPD:CuPc LB Films as Electron Blocking Layer on EL Emission

ＴＰＤ：ＣｕＰｃＬＢ薄膜作为电子阻挡层被引入到ＩＴＯ／ＴＰＤ：ＣｕＰｃ／Ａｌｇ：ＤＣＭ１／Ａｌ电致发光器件中的ＰＰＶ和Ａｌｑ：ＤＣＭ１层之间。不含任何ＴＰＤ：ＣｕＰｃ层或仅含单层ＴＰＤ：ＣｕＰｃ且在较高直流电压（≥８Ｖ）驱动下的器件,它们的发射光谱同时来自ＰＰＶ（５１３ｎｍ）和Ａｌ：ＤＣＭ１（５９１ｎｍ）。相反,当含单层ＴＰＤ：ＣｕＰｃ的器件在较低电压驱动下（＜７Ｖ）或含双层ＴＰＤ：ＣｕＰｃ的器件均具有５９１ｎｍ的发射峰值,这表明在此类器件中Ａｌ：ＤＣＭ１作为电子转移型的发光层而ＴＰＤ：ＣｕＰｃ则作为能有效地阻挡电子的电子阻挡层,因而我们可以通过调整载流子阻挡层的厚度来精确地控制载流子的复合区域从而得到不同的电致发光光谱     

新颖苝四羧酸亚胺系化合物的光电互转换性质研究

合成了Ｎ，Ｎ＇－二正丙基－１，６，７，１２－四苯氧基－３，４，９，１０－苝四羧酸亚胺（ＰＴＣ）。利用真空镀膜技术制备了Ａｌ－ＰＴＣ－Ａｇ（Ｃｅｌｌ－Ａ）和ＩＴＯ－ＰＴＣ－Ａｇ（Ｃｅｌｌ－Ｂ）两种光电池以及ＩＴＯ－ＰＴＣ－Ｚｎｑ_２－Ａｌ（ＬＥＤ－Ｃ）双层结构的电致发光二极管。测试光电性能得：Ｃｅｌｌ－Ａ具有光生伏打效应，Ｃｅｌｌ－Ｂ没有，ＬＥＤ－Ｃ发出λ＝５５０ｎｍ的黄绿光，故ＰＴＣ具有Ｐ型半导体性质。     

C60薄膜的离化团族束沉积及离子掺杂

用离化团簇束（ＩＣＢ）沉积法在石英玻璃和云母衬底上形成了Ｃ６０薄膜,ＸＲＤ测试表明膜呈多晶结构,原位电阻测试表明膜的室温电阻率超过１０＾４Ωｃｍ,具有负的电阻温度系数。用８０ｋｅＶ Ｐ＾＋,ＢＢｒ３＾＋,Ａｒ＾＋和Ｈｅ＾＋对Ｃ６０膜作剂量范围为０￣１０＾１６ｃｍ＾－２的离子注入,Ｃ６０膜的电阻率随注入剂量增加而急剧下降,磷注入具有ｎ型掺杂作用,离子与Ｃ６０分子的相互作用导致Ｃ６０分子分裂,引起薄膜     

酞菁铁—表面活性剂薄膜修饰电极及其催化性能

将酞菁铁（ＦｅＰｃ）掺入阳离子表面活性剂双十二烷基二甲基溴化铵（ＤＤＡＢ）的氧仿溶液，并涂布于热解石墨电极表面，待氯仿挥发后即制得ＦｅＰｃ－ＤＤＡＢ薄膜电极，循环伏安实验表明，在ＫＢｒ溶液中该薄膜电极有２对还原氧化峰，第１对峰的Ｅｐｃｌ＝－０．６４Ｖ，Ｅｐａｌ＝－０．２９Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）第２对峰的Ｅｐｃ２＝－１．０４Ｖ，Ｅｐａ２＝－０．９４Ｖ着重探讨了第２对峰的电化学行为，估计了该体系的电化学参     

Cl~- 和 SO_4~(2-) 对厌氧废水处理的抑制阈值

用人工配制高浓度有机废水分别研究了Ｃｌ－和ＳＯ２－４对厌氧生物废水处理的抑制作用和抑制阈值．在全混流厌氧恒化器和上流式厌氧污泥床（ＵＡＳＢ）反应器中分别得到了对厌氧消化基本无抑制作用（全混流恒化器：Ｃｌ－＜４．５ｇ／Ｌ,ＳＯ２－４＜１．８ｇ／Ｌ;ＵＡＳＢ：Ｃｌ－＜７．２ｇ／Ｌ,ＳＯ２－４＜３．０ｇ／Ｌ）;轻度抑制（全混流恒化器：Ｃｌ－＝４．５～６．０ｇ／Ｌ,ＳＯ２－４＝１．８～３．３ｇ／Ｌ;ＵＡＳＢ：Ｃｌ－＝７．２～８．２ｇ／Ｌ,ＳＯ２－４＝３．０～４．１ｇ／Ｌ）;中度抑制（全混流恒化器：Ｃｌ－＝６．０～１３．８ｇ／Ｌ,ＳＯ２－４＝３．３～６．５ｇ／Ｌ;ＵＡＳＢ：Ｃｌ－＝８．２～１０．０ｇ／Ｌ,ＳＯ２－４＝４．１～６．０ｇ／Ｌ）和重度抑制（全混流恒化器：Ｃｌ－＞１３．８ｇ／Ｌ,ＳＯ２－４＞６．５ｇ／Ｌ;ＵＡＳＢ：Ｃｌ－＞１０．０ｇ／Ｌ,ＳＯ２－４＞６．０ｇ／Ｌ）的不同Ｃｌ－和ＳＯ２－４浓度范围．     

光合细菌Chromatium vinosum可溶性氢酶小亚基基因的克隆

光合细菌Ｃ．ｖｉｎｏｓｕｍ可溶性氢酶由５２ｋＤａ和２１．５ｋＤａ两个亚基组成。该酶大亚基Ｎ－末端氨基酸序列为：ＳＲＴＩＴＩＥＰＶＴＲＸＥＧＨＡＲ,小亚基Ｎ末端氨基酸序列为：ＳＴＱＰＫＩＴＶＡＴＸＬＤＧ。根据大、小亚基Ｎ－末端氨基酸序列设计两套引物,Ｐｒｉｍｅｒ１：５’ｇＡＴ（ｇＴｇＡＴ（ｇ／Ｃ）ｇＴｇＡＴ（ｇ／Ｃ）ｇＴ（ｇ／Ａ）Ｃｇ３’和Ｐｒｉｍｅｒ２：５’ＡｇＣ ＡＣ（Ｃ／ｇ）ＣＡｇＣＣ（Ｃ／ｇ     

g－对称矩阵的LL~g和LDL~g分解

ｇ－对称矩阵的ＬＬ￣ｇ和ＬＤＬ￣ｇ分解傅尚朴（中国工程物理研究院职工大学）１ｐ－对称矩阵的ＬＬ￣ｇ和ＬＤＬ￣ｇ分解我们讨论的矩阵均为实矩阵。　　定义１．１设（Ａ、Ｂ）分别为ｒ、ｑ阶矩阵，Ｃ为ｒ×ｑ矩阵，Ｄ为ｑ×ｒ矩阵），（１）称ＪＭ￣ＴＪ为Ｍ的ｐ－转...     

碘酸钾存在下牛血清白蛋白的极谱催化波

报道ＫＩＯ３存在下牛血清白蛋白（ＢＳＡ）的新型极谱催化波。在０．１ｍｏｌ．Ｌ＾－１Ｎａ２ＨＰＯ４＾－ＫＨ２ＰＯ４（ｐＨ６．８）缓冲介质中,ＢＳＡ于－０．６０Ｖ（ｖｓ．Ａｇ／ＡｇＣｌ）处产生一个可逆的极谱还原波。用极谱电流法测定ＢＳＡ还原波的电子数,证实该波的ＢＳＡ中的两个双硫键还原所致。     

双靶反应溅射Ti-B-N复合膜的研制

采用基片架旋转的多靶磁控溅射仪，通过六方氮化硼（ｈ－ＢＮ）和Ｔｉ靶反应溅射制备Ｔｉ－Ｂ－Ｎ复合薄膜，并用ＡＥＳ、ＸＲＤ和ＴＥＭ等方法研究了薄膜的微结构．结果表明，室温下沉积薄膜均呈非晶态，经过４００°Ｃ热处理薄膜晶化．基片加热为４００°Ｃ沉积的薄膜则已晶化，ＴＥＭ分析确定薄膜结构为ＴｉＮ结构．显微硬度表征发现，室温沉积Ｔｉ与ｈ－ＢＮ的原子数约为２∶１时的薄膜达到最高硬度ＨＫ２６００．     

Mg—RE微合金化对Ni_3Al（B）－Gr熔盐腐蚀及力学性能的影响

研究了Ｍｇ－ＦＥ复合微合金化的双相Ｎｉ３ＡＬ（Ｂ）－Ｃｒ基金属间化合物熔盐腐蚀和力学性能，发现Ｍｇ－ＲＥ复合微合金化能降低Ｎｉ３Ａｌ（Ｂ）－Ｃｒ在ＬｉＣｌ－ＫＣｌ熔盐中的阳极电流密度；同时能在不降低Ｎｉ３Ａｌ（Ｂ）－Ｃｒ屈服强度的条件下，提高延伸率近２０％．     

近交系NJS小鼠的生物学特性研究Ⅰ．繁殖性能与生长发育的观察

对作者培育的近交系ＮＪＳ小鼠的繁殖性能与生长发育进行观察，结果表明：ＮＪＳ小鼠的基代虽来源于ＫＭ远交群，但由于高度近交和定向选择，其产仔、泌乳等繁殖性能已大大下降。有关繁殖性能指标为：配产间隔２５．９±４．５／ｄ、胎间隔４７．１±１１．４／ｄ、窝产仔数７．６±２．６／只、离乳仔数６．２±２．３／只、离乳率８０．５±２５．２／％、初生个体重１．５５±０．１２／ｇ、泌乳力４４．６７±１７．１２／ｇ、离乳个体重１０．３５±０．９５／ｇ。３０、６０、９０日龄雄鼠个体重分别为：１７．０±２．１／ｇ、２７．８±１．７／ｇ、３１．８±２．１／ｇ，雌鼠分别为：１５．８±０．９／ｇ、２３．５±１．４／ｇ、２５．５±１．６／ｇ。与其他近交系相比较，ＮＪＳ小鼠的繁殖性能与Ｃ＿（５７）ＢＬ／６近似，比ＢＡＬＢ／ｃ、ＤＢＡ／２显著高（Ｐ＜０．０１）。离乳前后ＮＪＳ小鼠的生长速度与ＢＡＬＢ／ｃ近似，比Ｃ（５７）ＢＬ／６、ＤＢＡ／２显著快（Ｐ＜０．０１）。     

珍珠花丛生芽的诱导及生根条件的研究

诱导珍珠花（Ｓｔａｐｈｙｌｅａ ｂｕｍａｌｄａ ＤＣ）丛生芽的最佳培养基为ＭＳ基本培养基附加ＮＡＡ０．２ｍｇ．Ｌ＾－１和ＢＡ５ＭＧ．ｌ＾－１,无菌苗在１／２ＭＳ培养基中附加ＮＡＡ１ｍｇ．Ｌ＾－１、活性碳０．４５ｇ．Ｌ＾－１、硫胺素１ｍｇ．Ｌ＾－１、蔗糖２０ｇ．Ｌ＾－１能长根形成完整植株。