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双靶反应溅射Ti-B-N复合膜的研制 总被引:3,自引:2,他引:3
采用基片架旋转的多靶磁控溅射仪,通过六方氮化硼(h-BN)和Ti靶反应溅射制备Ti-B-N复合薄膜,并用AES、XRD和TEM等方法研究了薄膜的微结构.结果表明,室温下沉积薄膜均呈非晶态,经过400°C热处理薄膜晶化.基片加热为400°C沉积的薄膜则已晶化,TEM分析确定薄膜结构为TiN结构.显微硬度表征发现,室温沉积Ti与h-BN的原子数约为2∶1时的薄膜达到最高硬度HK2600. 相似文献
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