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《科学技术与工程》2018,(36)
200 mm硅外延片是肖特基器件的关键支撑材料,但是大尺寸硅外延层生长面临反应面积大、易受热流场扰动影响的问题,导致采用传统外延工艺始终未实现预期目标。利用Centura外延炉,在200 mm的硅单晶衬底上化学气相沉积(CVD)了结晶质量良好且高均匀性的外延层,外延层厚度不均匀性1. 0%,电阻率不均匀性1. 1%,无滑移线、雾等缺陷。实验利用光学显微镜、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)、汞探针电容-电压测试仪(Hg-CV)等测试设备分别研究了外延层的表面形貌、厚度和电阻率等参数。通过精确调节外延炉内的热场和流场分布,结合设计附面层杂质稀释、基座浅层包硅等技术,解决了参数一致性与稳定性问题,实现了高质量200 mm的硅外延层。 相似文献
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《复旦学报(自然科学版)》1976,(2)
大量分立元件和集成电路是在硅外延片上制造的。外延层的电阻率及其分布情况极大地影响着元件的电参数:n/n~ 外延层电阻率太高会使h_(FE)和f_T的峰值电流降低;n/p外延层电阻率太高会使p-n结隔离线性电路bs穿通,外延层电阻率太低又会降低击穿电压;而采用n~-/n/n~ 结构的外延片制管以解决大电流h_(FE)和击穿电压之间的矛盾时,更要求测准n~-层的厚度和n层的电阻率。目前生产厂广泛采用三探针测外延层电阻率, 相似文献
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本文采用化学气相沉积(CVD)方法,利用平板式外延炉,在5英寸111晶向,2×10-3Ω·cm重掺As衬底上,生长N/N+型硅外延;试验中采用电容-电压方法,利用汞探针CV测试仪,通过金属汞与硅外延片表面接触形成肖特基势垒,测试势垒电容并转换为外延层载流子浓度和电阻率,实现对外延层电阻率的测量。在此过程中,我们研究了自然氧化、H2O2水浴、紫外照射三种氧化方法,处理硅外延片表面,形成10~15A的氧化层,并对比分析了三种氧化方法所形成的硅外延片表面状态,以及对电阻率测试结果的影响。通过实验对比,H2O2水浴方法,获得的硅外延片表面最为稳定,重复测试标准差±1%。 相似文献
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低阻硅TSV高温工艺中的热力学分析 总被引:1,自引:0,他引:1
针对低阻硅TSV热力学研究的空白做出了相应的仿真分析.首先介绍了低阻硅TSV转接层的加工工艺,接着基于实验尺寸,在350℃工艺温度下,模拟了低阻硅TSV的涨出高度及应力分布.不同于铜基TSV,低阻硅TSV的涨出区域主要集中在聚合物绝缘层的上方.为了减小低阻硅TSV的涨出高度及热应力,分别对工艺温度、表面SiO2厚度、低阻硅TSV的直径、高度、间距和BCB绝缘层厚度进行了变参分析.结果表明,减小BCB绝缘层的厚度及高度以及增加表面SiO2厚度是抑制低阻硅TSV膨胀高度及减小热应力的有效方法. 相似文献
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结合实验室制备机械刻槽深埋电极太阳电池的工艺过程及实验结果,给出二氧化硅层参数的最佳设计及制备方法.实验结果表明,1000℃氧化温度下采用干-湿-干氧化法,经过70分钟可生长350nm~450nm厚的二氧化硅层.这不仅大大缩短了高温氧化时间,降低了生产成本,而且氧化层的质量和厚度也能满足器件和工艺过程的要求. 相似文献
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不同厚度的La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)外延薄膜被沉积到立方相的LaA lO3(001)单晶衬底上,XRD测试结果显示,LSMO外延膜的结构是单相的,具有与衬底相同的晶格取向;随着膜厚的增加,LSMO外延膜的晶格经历应变到驰豫的变化.电阻测量显示,应变驰豫的薄膜(较厚的薄膜)有较大的电阻率,这与该膜中缺陷浓度增加有关.此外,也对生长在不同单晶衬底上的LSMO外延膜(厚度相同)的结构和电阻进行了对比研究. 相似文献
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佘思明 《中南大学学报(自然科学版)》1990,(1)
利用测量熔体温度、液流模拟、红外吸收和扩展电阻探针研究了温场对硅单晶的氧含量和径向扩展电阻均匀性的影响。高温场中整个熔体的温度梯度与重力方向一致,矮温场中只有上部熔体的温度梯度与重力方向一致,而下部熔体的温度梯度与重力方向相反。高温场中整个熔体有热对流,矮温场中只有上部熔体有热对流。高温场中生长的单晶的氧含量明显高于矮温场中生长的单晶。高温场中生长的硅片,径向扩展电阻分布有中央平坦部分、剧烈起伏部分和边缘波纹起伏部分,矮温场中生长的硅片无剧烈起伏部分。这一部分可能是熔体中泰勒柱与热对流区之间的切变层是高氧熔体造成的。 相似文献
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基于偏最小二乘回归的高炉铁水硅含量模型 总被引:1,自引:1,他引:0
在高炉炼铁过程中,常用铁水硅含量[Si]来衡量铁水的质量和表征高炉的热状态,即用铁水硅含量反映高炉炉温.将偏最小二乘回归方法应用于预测硅含量[Si]中,在高炉炉况相对稳定的条件下,得出影响硅含量[Si]的因素为风量和喷煤,与冶炼专家的经验相符.利用包钢6号高炉的数据,建立铁水硅含量[Si]的回归模型,该模型对高炉炉温预测的准确度达到87.61%,对在线监测高炉硅含量具有一定的实用价值. 相似文献
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高玉民 《西安理工大学学报》1992,(3)
本文推导出外延层穿通击穿情况下均匀掺杂外延层电阻率和厚度的关系式,及使外延层理想比电阻ρW取最小值时电阻率和厚度的精确表达式。从比导通电阻最小的要求考虑,提出了优选外延层参数的方法,计算结果表明,此法优于传统方法和C.Hu方法,可使VDMOSFET的比导通电阻达到最小值。 相似文献
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Xing Wei ZhongYing Xue AiMin Wu Xiang Wang XianYuan Li Fei Ye Jie Chen Meng Chen Bo Zhang ChengLu Lin Miao Zhang Xi Wang 《科学通报(英文版)》2011,56(4-5):444-448
In this paper, we investigated the dose window of forming a continuous buried oxide (BOX) layer by single implantation at the implantation energy of 200 keV. Then, an improved two-step implantation process with second implantation dose of 3×1015 cm?2 was developed to fabricate high quality separation by implanted oxygen (SIMOX) silicon on insulator (SOI) wafers. Compared with traditional single implantation, the implantation dose is reduced by 18.2%. In addition, the thickness and uniformity of the BOX layers were evaluated by spectroscopic ellipsometry. Defect-free top Si as well as atomic-scale sharp top Si/buried oxide interfaces were observed by transmission electron microscopy, indicating a high crystal quality and a perfect structure of the SOI fabricated by two step implantation. The top Si/BOX interface morphology of the SOI wafers fabricated by single or two-step implantation was also investigated by atomic force microscopy. 相似文献
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对多热源合成SiC冶炼炉的温度场进行了数值模拟,研究了冶炼炉内的温度分布、热流强度以及温度梯度的动态变化规律,揭示了多热源合成SiC的传热传质规律.研究表明,由于多热源之间的屏蔽作用与热能叠加作用,导致多热源合成SiC技术比Acheson单热源炉的单炉产量提高48.1%,特、一级品率提高30%,节能10%以上,并且杜绝了单热源生产中频繁喷炉事故,使生产更安全. 相似文献
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宝钢4号高炉炉衬温度场数学模型及分析 总被引:1,自引:0,他引:1
以宝钢新建4号高炉炉衬结构为原型,以多类边界条件处理边界传热问题,建立了炉衬结构三维温度场数学模型.基于该模型,分析了炉衬温度场分布,讨论了炉内渣皮形成与脱落的温度条件和冷却热负荷对炉衬温度场的影响.结果表明,在炉身中下部和炉腹、炉腰部位炉衬内表面到冷却板前端的100mm范围内是炉衬耐材易损区和渣皮形成区;在1300~1450℃炉气温度范围内易于形成稳定的渣皮层,而1450℃以上区域渣皮的形成与稳定取决于该部位的冷却负荷;保证铜冷却板长期使用的最低水流量需不小于6t/h. 相似文献
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对于IRF7705型30伏P沟VDMOSFET进行了结构优化设计.给出了该器件的纵向结构和横向结构参数及材料的物理参数.较系统地分析了VDMOSFET的几个重要参数,重点讨论了P沟VDMOSFET的外延层电阻率、外延层厚度、N体区扩散浓度以及各个参数之间的关系,对该类器件的实际生产有一定的指导作用. 相似文献