| 机械刻槽深埋电极太阳电池中二氧化硅层的制备 |
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| 引用本文： | 郜小勇,卢景霄,李维强.机械刻槽深埋电极太阳电池中二氧化硅层的制备[J].郑州大学学报(理学版),2000,32(4):43-45. |
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| 作者姓名： | 郜小勇 卢景霄 李维强 |
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| 作者单位： | 郑州大学物理工程学院，郑州 450052 |
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| 基金项目： | 河南省自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 结合实验室制备机械刻槽深埋电极太阳电池的工艺过程及实验结果，给出二氧化硅层参数的最佳设计及制备方法．实验结果表明，1000℃氧化温度下采用干-湿-干氧化法，经过70分钟可生长350nm～450nm厚的二氧化硅层．这不仅大大缩短了高温氧化时间，降低了生产成本，而且氧化层的质量和厚度也能满足器件和工艺过程的要求．
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| 关 键 词： | 机械刻槽 深埋电极 太阳电池 分凝系数 掩蔽层 二氧化硅 |
| 文章编号： | 1001-8212(2000)04-0043-03 |
| 修稿时间： | 2000年5月26日 |
Preparation of Silicondioxide in Mechanically Grooved Buried Contact Solar Cell |
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| GAO Xiao-yong,LU Jing-xiao,LI Wei-qiang.Preparation of Silicondioxide in Mechanically Grooved Buried Contact Solar Cell[J].Journal of Zhengzhou University:Natural Science Edition,2000,32(4):43-45. |
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| Authors: | GAO Xiao-yong LU Jing-xiao LI Wei-qiang |
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| Abstract: | According to the process of the mechanically grooved buried contact solar cell and the results of the experiments, the optimized parameter design and the preparation of silicon oxide are given. The experiment proves that the silicon dioxide layer of the thickness between 350mm and 450mm is grown with thermal oxidation method of dry oxidation-wet oxidation-dry oxidation process, at T= 1 000℃ and t= 70min. The time of thermal oxidation is greatly shorten and the production cost is lowered. The requirement of the device and the process in the quality and thickness of the silicon oxide is met as well. |
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| Keywords: | mechanical groove buried contact solar cell separation coefficient masking layer silicon dioxide |
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