Ce掺杂ZnO纳米棒的水热法制备及其性能表征

采用水热法制备了稀土铈（Ce）掺杂的ZnO纳米棒,并利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）和光致发光谱（PL）对样品进行表征．结果表明：Ce成功的掺入到ZnO中,掺杂的ZnO纳米棒有较好的结晶质量,直径约为8nm．另外,随着Ce的掺入,紫外峰峰位发生红移,这是因为掺杂后带隙变窄,从而导致了紫外峰的红移．     

生长时间对ZnO纳米棒形貌和光学性能的影响

在低温条件下，利用化学溶液沉积法（CBD）成功在Si（100）衬底上生长出近一维ZnO纳米棒阵列．采用X射线衍射（XRD），扫描电子显微镜（SEM）和光致发光谱（PL）对样品进行结构、形貌和光学性能分析．结果表明：产物为结晶良好的六角结构晶体．随着生长时间的增加，ZnO纳米棒的尺寸随之增大．PL测试表明产物有较好的光致发光性能，并且随着纳米棒尺寸的减小，紫外发射峰发生蓝移现象．     

In掺杂ZnO纳米带电学性质的研究

利用化学气相沉积法成功合成了In掺杂ZnO纳米带.通过扫描电子显微镜、X射线能谱仪对样品进行表征.利用微栅模板法制备欧姆接触的光电器件,研究了器件的伏安特性曲线及紫外光敏特性.结果表明,In掺杂ZnO纳米带的导电能力远远高于纯ZnO纳米带,电阻仅为纯ZnO纳米带的1/50,但是其光敏特性不及纯ZnO纳米带,开关比仅为纯ZnO纳米带的1/20.     

过渡族金属离子掺杂ZnS纳米棒的制备及光学性质研究

利用溶剂热法制备过渡族金属Cu^2＋、Mn^2＋、Fe^2＋掺杂ZnS纳米棒．通过x射线衍射（XRD）、X射线能谱仪（EDX）、扫描电显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）分析研究过渡族金属离子（Cu^2＋、Mn^2＋、Fe^2＋）掺杂对样品的结构和形貌的影响．利用紫外可见分光光度计和共聚焦显微拉曼一荧光光谱仪（PL）对样品的光学特性进行表征．结果表明,样品为六角纤锌矿结构,过渡族金属离子成功掺入到ZnS晶格中．另外,金属离子的引入对ZnS纳米棒的发光特性有很大影响．     

晶核层对ZnO纳米棒阵列结构和性能的影响

采用CBD两步生长法制备ZnO纳米棒阵列,分别选择ZnO粉末,Zn粉以及醋酸锌(Zn(OOCCH3)2·2H2O)低温分解的ZnO纳米颗粒作为晶核层.结果表明:由醋酸锌分解法获得的ZnO纳米颗粒旋涂层是最有利于取向性好、直径小的ZnO纳米棒阵列生长的晶核层,它不但可以明显减小ZnO纳米棒阵列的平均直径,而且还有效地改善了ZnO纳米棒阵列的密度和取向性.     

图纹结构Co／Pt多层膜的制备及研究

先采用自组装技术制备大面积有序聚苯乙烯微球模板,在此基础上,制备Co／Pt多层膜纳米碗和纳米点列阵样品．利用扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）和透射电子显微镜（TEM）对制备样品的表面形貌进行了分析．结果表明：溅射方法和刻蚀处理对纳米碗和纳米点的形貌存在影响,磁滞回线的结果表明倾斜溅射条件下制备的纳米点阵具有明显的方向取向性．     

低温下单根In掺杂ZnO纳米带电学性质的研究

采用化学气相沉积(CVD)的方法合成了In掺杂ZnO纳米带,并且用简单、廉价的微栅模板法为单根纳米带制作了微电极,研究了在室温到20 K低温范围内单根In掺杂ZnO纳米带电阻随温度的变化.结果表明,在140～290 K区间单根ZnO∶ In纳米带电子输运机制符合热激活输运机制.     

反应温度对水热法制备Eu掺杂ZnO纳米片结构和性能的影响

采用水热法制备了稀土Eu掺杂的Zn0纳米片状材料（ZnO：1％Eu），在稀土Eu掺杂浓度一定的条件下讨论了不同水热反应温度对纳米片结构的影响，得出材料最佳生长温度，并研究了该反应温度条件下掺杂材料的光学性能．实验结果表明，稀土铕以正三价价态成功地掺入到ZnO晶格中．在反应温度为155℃时，材料的结晶质量最好．该反应温度下PL谱图显示出Eu3＋的特征发射峰，分别位于579．6，587．8和614nm处，它们是V—V的跃迁，分别来源于Eu3＋的5D0-7Fo，^5D0-7F1和^5D0-^7F2跃迁．     

Gd3+掺杂纳米SnO2锂离子电池负极材料的制备与电化学性能研究

以SnCl4为锡源,Gd3+为掺杂离子,采用水热法制备出不同掺杂浓度的SnO2纳米晶.运用XRD、TEM、FT-IR以及充放电测试等手段对其结构、形貌、电化学性能进行了表征.结果表明所制备样品为四方晶系金红石型SnO2,Gd3+以替位方式掺入SnO2纳米晶中.当名义Gd3+掺杂浓度达到15%时,SnO2纳米颗粒转变为纳米棒.电化学性能表征发现SnO2纳米棒的首次充放电容量、循环稳定性以及库伦效率都要高于纳米颗粒,并且经过50次循环后SnO2纳米棒的比容量仍保持有370mAh/g.研究结果表明,由于掺杂的作用,调节了材料的形貌与尺寸,改善了SnO2纳米晶的电化学性能.     

ZnO纳米棒的湿化学法制备及其表面复合

采用CBD两步生长法和热蒸发法在Si衬底上生长ZnO纳米棒.研究发现,该方法对于ZnO纳米棒阵列的近带边复合发光有效衰减时间有很大影响.采用CBD方法生长的ZnO纳米棒的衰减曲线存在两个衰减指数,而通过热蒸发法生长的ZnO纳米棒只有一个衰减指数,实验结果显示CBD法生长的ZnO纳米棒其中较快的衰减指数与表面复合发光有关,慢的衰减指数对应体材料的衰减.另外,随着热处理温度从500℃到700℃,其表面复合速率急剧减小.     

基于RBF神经网络重构模糊PID控制器的研究

尽管模糊PID控制器具有良好的控制品质,但存在计算复杂和实时性差的问题,为了解决这个问题.利用1LBF神经网络逼近能力重构模糊PID控制器,由于重构的RBF神经网络的并行计算能力,这简化了计算复杂性并提高实时性.通过选择不同的给定信号,比较模糊PID控制器和重构的RBF神经网络的控制性能.得到两者的控制效果是相当的.说明重构的RBF神经网络可以取代模糊PID控制器,从而减少了计算复杂性.避免维度灾难并改善控制实时性.     

RNAi机制的研究进展

RNA干涉广泛存在于各种真核生物中,而且其基本的作用机制也具有高度的保守性．最近,研究发现RNAi在许多重要的生物学过程中发挥调节作用,具有重要的生物学功能．而且RNAi技术已经成为研究功能基因组学的一种有力工具．     

适可而止的“栖息”

当今的设计将重点探讨物品、过程、服务中的方式创新,亦即谋事,其研究具有广泛性和纵深性。设计承载的是人类的理想、道德的重任,设计是一种生产关系,是科学与艺术发展的动力,是人类生存智慧的源泉。     

论诸种电影元素在塔尔柯夫斯基作品中的运用

对诸种电影元素的极其严谨而和谐的运用并使其完美地服务于作品整体的精神内涵,这是塔尔柯夫斯基高度的电影艺术成就的一个重要方面。从作品的人物、表演、摄影、剪辑、色彩与声音诸要素来看,它们都能很好的实现作者的表意目的。     

自补图半度序列和的界

自补图是图论中对称性极好的一类图,并在网络理论和设计中有一定的应用。本文论述了自补图前,后半度序列和的上、下确界。     

漂泊者“真心真血的流露”——浅谈杨骚二十年代漂泊南洋的创作

闽籍现代作家杨骚于1925年夏至1927年秋漂泊南洋时的创作,是一个漂泊者"真心真血的流露".这些作品描绘了南洋人民的苦难生活,抒写了他的思乡恋国之情,也抒发了他的爱情吟唱,虽说其中弥漫着矛盾、痛苦、感伤,甚至还有颓废的气息,但却透露出他的倔强、坦诚与率真.     

从近代科学技术发展历史辨析科学与技术的关系

通过对近代科学技术发展历史分析 ,认为科学与技术关系是由相互独立到相互作用 ,形成“技术科学化”和“科学技术化”的历史过程 ,并对科学与技术的关系做逻辑的分析、概括、总结     

多项式除法中商与余式的显式表达

利用矩阵方法,给出多项式除法中商与余式的显式表达式。     

植物界（含菌物）孢子特性的初步探讨

在目前孢子的概念较为混乱的状况下，本文对其特性进行了初步地分析归纳：（１）具有繁殖休眠和传播功能。，繁殖功能体现在６个方面；（２）无性的分化；（３）可以通过有丝分裂，减数分裂或配子结合，由产孢结构生产或由营养细胞变态而成；（４）有或无性别差异；（５）由１－多数细胞组成；（６）脱离母体或否；（７）可以发育成一个体或一产孢结构。