| In掺杂ZnO纳米带电学性质的研究 |
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| 引用本文： | 潘思明,高红,郎颖,李凯,唐欣月,顾海佳.In掺杂ZnO纳米带电学性质的研究[J].哈尔滨师范大学自然科学学报,2012,28(6). |
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| 作者姓名： | 潘思明 高红 郎颖 李凯 唐欣月 顾海佳 |
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| 作者单位： | 哈尔滨师范大学 |
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| 摘 要： | 利用化学气相沉积法成功合成了In掺杂ZnO纳米带.通过扫描电子显微镜、X射线能谱仪对样品进行表征.利用微栅模板法制备欧姆接触的光电器件,研究了器件的伏安特性曲线及紫外光敏特性.结果表明,In掺杂ZnO纳米带的导电能力远远高于纯ZnO纳米带,电阻仅为纯ZnO纳米带的1/50,但是其光敏特性不及纯ZnO纳米带,开关比仅为纯ZnO纳米带的1/20.
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| 关 键 词： | In掺杂ZnO纳米带 微栅模板法 伏安特性 光响应 |
The Electrical Characteristics of In-doped ZnO Nanobelt |
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| Pan Siming,Gao Hong,Lang Ying,Li Kai,Tang Xinyue,Gu Haijia.The Electrical Characteristics of In-doped ZnO Nanobelt[J].Natural Science Journal of Harbin Normal University,2012,28(6). |
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| Authors: | Pan Siming Gao Hong Lang Ying Li Kai Tang Xinyue Gu Haijia |
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