| 低温下单根In掺杂ZnO纳米带电学性质的研究 |
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| 引用本文： | 李铭杰,李江禄,李凯.低温下单根In掺杂ZnO纳米带电学性质的研究[J].哈尔滨师范大学自然科学学报,2012,28(6). |
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| 作者姓名： | 李铭杰 李江禄 李凯 |
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| 作者单位： | 哈尔滨师范大学 |
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| 基金项目： | 黑龙江省教育厅科学技术研究重点项目资助 |
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| 摘 要： | 采用化学气相沉积(CVD)的方法合成了In掺杂ZnO纳米带,并且用简单、廉价的微栅模板法为单根纳米带制作了微电极,研究了在室温到20 K低温范围内单根In掺杂ZnO纳米带电阻随温度的变化.结果表明,在140～290 K区间单根ZnO∶ In纳米带电子输运机制符合热激活输运机制.
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| 关 键 词： | In掺杂ZnO 纳米带 低温 输运机制 |
The Electrical Properties of Single In Doped ZnO Nanobelt at Low Temperature |
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| Li Mingjie,Li Jianglu,Li Kai.The Electrical Properties of Single In Doped ZnO Nanobelt at Low Temperature[J].Natural Science Journal of Harbin Normal University,2012,28(6). |
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| Authors: | Li Mingjie Li Jianglu Li Kai |
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