高低发射氏（HLE）硅太阳电池

对ＨＬＥ硅太阳电池做了光谱响应表达式的推导，理论上的数值计算及实验结果分析表明，硅ＨＬＥ太阳电池在采用浅的重掺杂区及较深的低掺杂区构成电池发射区时，可获得比常规电池更好的光谱响应，从而提高了短路电流，并对暗电流有抑制作用，可获得较高的开路电压结果使ＨＬＥ硅太阳电池具有较高的光电转换效率。     

InP N^＋／P太阳电池光谱响应的数值模拟和分析

用数值模拟方法对ＩｎＰ Ｎ＾＋／Ｐ太阳电池在ＡＭ１．０下的光谱响应和光电流进行了计算和分析，探讨引起ＩｎＰ太阳电池光谱特性曲线变化的原因，从而获得Ｎ＾＋区和Ｐ区的最佳掺杂浓度，厚度，表面复合速度等参数，为设计制造ＩｎＰ太阳电池提供参考数据。     

PESC太阳电池双层减反射膜的研究

钝化发射极硅太阳电池（简称为PESC）^[1]，采用浅结密栅结构，以改革蓝光响应，提高转换效率。同时要求硅太阳电池的减反射在短波范围有较好的透射性能。本文对MgF2-Zn双层减反射进行了研究，将其用于PESC中，有效地提高了电池的短波光谱响应。在AM1．5mw/cm^2光照下得到太阳电池短路电流增益高达1．47，平均反射率在3％左右。     

GaAs太阳电池减反射膜的设计

利用实际测量的光谱响应结果来对GaAs单结太阳电池减反射膜进行设计优化. 先初步设计单结GaAs太阳电池SiN减反射膜厚度,然后太阳电池片样品进行光谱响应测量. 利用实际测量的光谱响应结果推算电池样品在AM1.5条件下的无反射时光谱响应,根据计算的结果来对GaAs单结太阳电池减反射膜厚度进行设计优化. 优化结果表明83nm为GaAs单结太阳电池单层减反射膜厚度的最优值.     

硅太阳电池电极系统的分析与制备

文章分析了硅太阳电池电极设计必须考虑到电池的表面状态．表面扩散层的掺杂浓度．金属一半导体接触以及遮光损失等的影响，因而是一个电极系统的设计和制备问题。给出了栅状电极的设计实例，并用于太阳电池的制作获得较满意的输出特性。     

浅结硅光伏电池光响应特性实验研究

实验研究了电子束辐照诱导半导体掺杂技术制作的浅结硅光伏电池光响应特性。给出其相对光谱响应和激光感生光电压值。结果表明该器件具有较好的光响应特性。     

硅太阳电池光谱响应的曲线拟合研究

从理论和实验对常规和背场硅太阳电池的光谱响应进行研究，利用阻尼最小二乘法对光谱响应进行拟合计算，可得出各区少子扩散度，表面复合速度和结深等参数，计算结果表明，拟合值和实验值的乘余标准离差σ≤３．２％，用等光强表面光伏法对基区少子扩散和蔗进行跟踪监测，观察其随工艺变化况并验证光谱响应拟合结果。     

多晶硅太阳电池的高温水蒸汽处理

文章研究了多晶硅太阳电池的高温水蒸汽处理，对处理前后太阳电池光谱响应、开路电压、短路电流等太阳电池的特性进行了测量。处理后太阳电池的性能得到了改善，获得了较好的处理条件及处理效果。     

激光退火技术对多晶硅太阳能电池薄膜处理的新进展

硅薄膜及其太阳电池研究已经成为国际光伏领域研究的热点,但硅薄膜太阳能电池在生产工艺上存在成本较高的问题,其中非晶硅薄膜的退火工艺是制约生产成本的一个重要环节。本文利用激光退火方法对高掺杂多晶硅衬底的非晶硅外延薄膜进行处理,实验结果表明,激光退火实现了非晶硅薄膜的晶化,电性能达到太阳能电池板的生产要求。     

钝化发射极,背面定域扩散高效硅太阳电池

报道了钝化发射极，背面定域扩散高效率硅太阳电池的研制结果，阐述了电池的工艺制作流程及结构设计特点，并分析其获得高转换效率的机理。由于电池设计及制作中采用了双面钝化，背面进行定域小面积的硼扩散，正面利用“倒金字塔“结构，同时配以淡磷、浓磷分区扩散等手段，使硅太阳电池的开路电压、短路电流和填充因子都得到较大提高，在ＡＭ１．５，２５℃的光照条件下，光电转换效率η＝２３．８％。     

硅低温双极型晶体管电流增益的分析

从理论和实验两方面研究了硅晶体管电流增益的低温特性,建立了电流增益的温度模型,阐明了电流增益低温下降的机理,在此基础上探讨了获得具有良好电性能的硅低温晶体管的方法,结论如下:电流增益由发射效率决定时,具有正温度系数,且随温度下降而下降,下降程度随工作电流的减小而增强.发射区采用轻掺杂技术以减小禁带变窄量,并考虑载流子冻析效应,可获得适于低温工作的硅双极晶体管.     

门极换向晶闸管阳极透过率的优化设计

采用数值模拟方法研究了缓冲层和透明阳极的结构参数对阳极透过率的影响.结果表明:透明阳极在较小的电流密度情况下具有较低的透过率,随着电流密度的增大透过率显著提高,即透明阳极的透过率依赖于阳极的电流密度;降低透明发射极或提高缓冲层掺杂水平,透过率也会提高;减小阳极的结深,透过率也会提高.因此,可以通过恰当地选择缓冲层和透明阳极的结构参数来调整阳极透过率,使之达到期望值,进而提高器件的关断性能.     

硅赝异质结双极晶体管的电学参数性能分析

具有重掺杂基区和中等掺杂发射区的硅赝异质结双极晶体管，其能带结构类似于真实异质结双极晶体管的能带结构。本文研究了硅赝质结双极晶体管的电流增益，截止频率和基区电阻等电学参数性能及其与温度的关系。并指出了硅赝异质结双极晶体管在低温下应用的潜力。     

Cephalosporin antibiotics can be modified to inhibit human leukocyte elastase

Several laboratories, including our own have reported the synthesis and activity of certain low relative molecular mass inhibitors of mammalian serine proteases, especially human leukocyte elastase (HLE, EC 3.4.21.37), an enzyme whose degradative activity on lung elastin has been implicated as a major causative factor in the induction of pulmonary emphysema, and which is present in the azurophil granules of human polymorphonuclear leukocytes (PMN). Normally, these granules fuse with phagosomes containing engulfed foreign material (such as bacteria), and HLE, in combination with other lysosomal enzymes, catabolizes the particles. Under certain pathological conditions, however, PMN become attached to host protein (elastin fibres, basement membrane, connective tissue, immune complexes), and in response to this adherence, the granules may fuse with the PMN outer membrane and release their contents, including HLE, directly onto the tissue. Besides emphysema, HLE may also contribute to the pathogenesis of disease states such as adult respiratory distress syndrome, and its potential involvement in rheumatoid arthritis makes HLE inhibitors of considerable interest. It is known that cephalosporin antibiotics (for example, cephalothin (compound I, Table 2)) are acylating inhibitors of bacterial serine proteases which help synthesize the cell wall by performing a transpeptidation reaction on a peptidyl substrate bearing a D-Ala-D-Ala terminus. We now report that neutral cephalosporins (that is, compounds not bearing a free carboxyl at position C-4) can be modified to become potent time-dependent inhibitors of HLE.     

滴灌滴头内流场的数值模拟及流道优化设计

针对滴灌技术中农用传统迷宫型滴头流道内易堵塞的缺点,提出根据流线形状设计"自清洗"型滴头的思想.以滴头流道内流场的三维数值模拟分析为基础,以减少非主流区域通流面积和避免较大的主流速度梯度为基本思想,对滴头流道的结构形状进行优化设计,消除流道中的滞止区和涡旋区,使得流道内速度分布趋于均匀以减少低速流动区域.优化前、后的计算结果表明:优化后的滴头能够有效地避免内部涡旋和滞止区的产生,提高了滴头流道的抗堵性能;滴头在紊流流动状态运行时,流道的近壁面速度较高,抗堵性能更好;优化后的滴头流道整体压降降低,可以通过延长流道长度和增加进口流量予以弥补.     

放大电路高频响应分析再探

在分析放大电路的上限截止频率时,通常用密勒定理对共射电路进行单向化等效,可简化计算过程。但是分析表明,密勒定理不能解释共基和共集电路的上限截止频率比共射电路高的原因。在网络的上限截止频率附近,用主极点函数来表示网络的传递函数,就可以用网络的开路时间常数和表示网络上限截止频率的时间常数。运用主极点方法分析放大电路的上限截止频率,一眼即可看出,共基和共集电路的开路电阻远小于共射电路的开路电阻,因此它们的开路时间常数和比共射电路的小,它们的高频响应效果自然优于共射放大电路。由此可见,用放大电路的开路时间常数和分析上限截止频率,物理概念清晰,它适用于各种放大电路的高频响应分析。     

pn结太阳电池饱和电流密度的理论研究

为提高太阳电池的开路电压Vac和效率η,必须减小饱和电流Jo,据此,对影响Jo的各种因素进行了研究,推导了更为普遍的有限尺寸条件下太阳电池的表面复合速度和少子加速场对Jo影响的表达式,并且对两者的影响进行了数值模拟,直观地得出了以下结论：在保证消除重掺杂效应带来不良影响的条件下,增大发射区少子漂移场强,可减小,Jo,提高电池Vco;减少电池的表面复合速度,能提高电池的性能。     

离子注入MOS结构少子产生寿命的确定

本文分析了非均匀掺杂衬底ＭＯＳ结构的电流和电容对线性扫描电压的瞬态响应，采用较精确的产生区模型，提出了瞬态电流和瞬态电容联合技术测量非均匀掺杂衬底ＭＯＳ结构电容少子产生寿命的方法，本方法无需计算图形积分和衬底的杂质分布，因而简单实用。     

Zr 掺杂对锐钛矿型TiO2 电子结构和光学性质的影响

本文采用密度泛函理论的平面波超软赝势方法研究了Zr 掺杂对锐钛矿型TiO₂ 电子结构和光学性质的影响, 计算了Zr 掺杂前后锐钛矿型TiO₂ 的电子态密度分布、能带结构、光吸收系数等性质, 定性地分析了掺杂前后电子结构和光学性质的变化. 研究结果表明: Zr 掺杂锐钛矿型TiO₂, 导致带隙减小, 掺杂后在360~400nm 附近的光吸收系数增大, TiO₂ 的吸收带产生红移, 增强了TiO₂ 的光催化活性, 理论与实验结果 一致.     

多晶硅膜改善薄发射区晶闸管开通特性机理分析

本文通过建立发射区两区模型,对多晶硅膜改善薄发射区晶闸管开通特性的机理进行了分析,结果表明:基区注入的少子在多晶硅区运动受障碍导致等效薄发射极晶体管的电流增益提高;多晶硅膜的少子迁移率和寿命是提高电流增益的两个关键参数.管芯测试结果亦表明,由于多晶硅膜的作用,薄发射区晶闸管的开通特性并未因发射区很薄而受影响.