浅结硅光伏电池光响应特性实验研究

实验研究了电子束辐照诱导半导体掺杂技术制作的浅结硅光伏电池光响应特性。给出其相对光谱响应和激光感生光电压值。结果表明该器件具有较好的光响应特性。     

金属离子掺杂TiO2纳米晶簇室温光透射谱

报道了金属离子掺杂ＴｉＯ２纳米晶簇室温光透射谱实验测量结果。金属掺杂使ＴｉＯ２纳米晶簇室温光透射值明显减小。而且,金属掺杂引起ＴｉＯ２纳米晶簇室温光透射值变化谱线是非线性变化曲线。在变化曲线上存在位置不等的极大值。     

ZrO2纳米晶簇研究

用化学方法将ＺｒＯ２纳米晶簇掩埋在ＰＶＡ膜内。实验测定ＺｒＯ２纳米晶簇的ＴＥＭ图。Ｘ－光谱和光吸收曲线。ＺｒＯ２纳米晶簇平均尺寸约７．０ｎｍ。室温带隙是３．０２４ｅＶ。     

纳米CuCl晶簇室温光吸收谱

实验测定了平均尺寸４．２ｎｍＣｕＣｌ晶簇的室这紫外和可见光吸收谱线，给出了Ｈｅ－Ｎｅ激光束辐照下的光吸收谱线，在３．１８７ｅＶ处有宽度０．６２ｍｅＶ的吸收尖峰。     

纳米晶簇尺寸测定

报道了用透射电子显微镜和Ｘ－光衍射仪测定ＴｉＯ２，ＳｎＯ２和ＣｕＣｌ纳米晶簇尺寸，并加以对比分析的实验结果。     

MOVPE生长不掺杂薄GaAs层线偏振光吸收系数和折射率的电流感生变化

本文报道研究MOVPE技术生长微米量级不掺杂薄GaAs层的线偏振光吸收系数电流感生变化(△α)和折射串电流感生变化(△n)的实验结果。发现通有电流的薄GaAs层内△α和△n值随光波长(λ)呈脉冲线型非线性变化。电流增加,△α,△n和脉冲线型函数的半极值全宽值都明显增大,而△α-λ谱和△n-λ谱的峰值对应的λ_p值明显移向长波端。不掺杂薄GaAs层内电流感生的这种光学非线性效应,对了解具有多薄层结构的电流注入型半导体光电子器件和集成光学元件的物理机制,设计和改进器件性能具有实用参考价值。     

金属离子掺杂影响TiO2纳米晶簇的光吸收

实验测量掺杂不同金属离子的TiO2纳米晶簇在UV和可见波段的室温光吸收谱.金属离子掺杂明显增强TiO2纳米晶簇的光吸收.TiO2带隙发生红移.光吸收增加量随波长非线性变化.     

激光辐照GaAs膜和GaAs多量子阱反射光强的观测

实验观测了Ｈｅ－Ｎｅ激光辐照不掺杂ＧａＡｓ膜和ＧａＡｓ多量子阱的反射光强，对比研究了实验的结果。     

TiO2纳米晶簇室温线偏振光透射特性

报道ＴｉＯ２纳米晶族室温线偏振光盘这射谱实验测量结果，样品光透射值随波长非线性变化。